技术特征：
技术总结
一种半导体器件的形成方法，包括：层间介质层内形成有相互贯穿的第一开口和第二开口，且所述第一开口位于基底与第二开口之间；在第一开口底部和侧壁上、以及第二开口侧壁上形成高k栅介质层；在高k栅介质层上形成含有氧离子的盖帽层；在位于第一开口底部的盖帽层上形成非晶硅层；对非晶硅层、盖帽层以及高k栅介质层进行退火处理，退火处理适于使盖帽层中的氧离子向高k栅介质层内扩散，退火处理还适于使非晶硅层吸收盖帽层中的氧离子。本发明不仅提高了高k栅介质层的性能，还提高了界面层的致密度，避免第一开口底部的基底被过度氧化，且还避免了盖帽层或高k栅介质层产生裂缝的问题，提高了形成的半导体器件的电学性能。
技术研发人员：李勇
受保护的技术使用者：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
技术研发日：2016.07.07
技术公布日：2018.01.16