一种制备高平整度绝缘层上半导体结构的方法与流程

文档序号:12473821阅读:来源:国知局
技术总结
本发明公开了一种制备高平整度绝缘层上半导体结构的方法,该方法首先分别在硅衬底和所需的半导体材料的表面生长绝缘层,对生长过绝缘层的两个衬底进行键合;其次通过光刻和刻蚀工艺在半导体材料层刻蚀出孔洞,直至绝缘层,并在刻蚀好的孔洞中填充高硬度物质充当阻挡层;最后对半导体材料层进行研磨,直到研磨到阻挡层,得到高平整度绝缘层上半导体结构。本发明将阻挡层注入需要研磨的半导体表面,阻挡层会阻止研磨机对低于阻挡层的半导体材料的研磨,对研磨过程中SOI材料的厚度有一定的控制作用,从而得到高平整的SOI材料,有效解决了传统SOI研磨工艺中表面倾斜和不平整的问题。

技术研发人员:赵毅;郑泽杰;张睿;玉虓
受保护的技术使用者:浙江大学
文档号码:201610612933
技术研发日:2016.07.29
技术公布日:2016.12.21

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