本发明涉及电子元器件制作
技术领域：
，特别是涉及一种二极管的生产工艺。
背景技术：
：二极管又称晶体二极管,简称二极管(diode);它只往一个方向传送电流的电子零件。它是一种具有1个零件号接合的2个端子的器件，具有按照外加电压的方向，使电流流动或不流动的性质。晶体二极管为一个由p型半导体和n型半导体形成的p-n结，在其界面处两侧形成空间电荷层，并建有自建电场。当不存在外加电压时，由于p-n结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态。大部分二极管所具备的电流方向性我们通常称之为“整流（Rectifying）”功能。二极管最普遍的功能就是只允许电流由单一方向通过（称为顺向偏压），反向时阻断（称为逆向偏压）。因此，二极管可以想成电子版的逆止阀。然而实际上二极管并不会表现出如此完美的开与关的方向性，而是较为复杂的非线性电子特征——这是由特定类型的二极管技术决定的。二极管使用上除了用做开关的方式之外还有很多其他的功能。技术实现要素：本发明提供了一种二极管的生产工艺，包括焊接、酸洗、模压、热固成型、电镀和低温烘烤。一种二极管的生产工艺，包括焊接、酸洗、模压、热固成型、电镀和低温烘烤，二极管的生产工艺如下：（1）焊接：将焊接料放入到焊接炉中，对二极管芯片组进行高温焊接，温度为300-310℃；（2）酸洗：焊接好的二极管芯片通过混合酸分别对二极管芯片周围边缘进行化学腐蚀；（3）模压：将酸化后的二极管芯片和封装底料片放入模具中，并用黑胶对二极管芯片进行注塑封装；（4）热固成型：将模压好的二极管放入280-300℃的烘箱固化7-9h，以提高塑封料的可靠性；（5）电镀：再通过电镀在二极管表面形成一层薄膜的锡层；（6）低温烘烤：最后，再进行低温烘烤。优选的，所述步骤（2）中混合酸主要包括HNO3、HF、CH3COOH和H2SO4，其配比为HNO3:HF:CH3COOH:H2SO4=(8-10):(8-10):(11-13):(3-5)。优选的，所述步骤（2）酸洗还包括用大量去离子水对酸洗后二极管芯片进行冲洗，并将清洗过的二极管芯片放入100-130℃的烘箱里烘0.5-1.5h。优选的，所述步骤（3）中黑胶主要成分为环氧树脂。优选的，所述步骤（5）中锡层厚度为1-3mm，以提高二极管引线的可焊接性、防护性能。优选的，所述步骤（6）中低温烘烤分三个步骤进行：首先，将所述烘烤箱的烘烤温度设定为100-110℃，烘烤时间设定为355-365min；其次，烘烤箱的烘烤温度为75-85℃，烘烤时间为115-125min；最后，待所述烘烤箱的箱内温度冷却到50-70℃，烘烤时间为110-120min。有益效果：本发明提供了一种二极管的生产工艺，涉及电子元器件制作
技术领域：
，包括焊接、酸洗、模压、热固成型、电镀和低温烘烤，将焊接料放入到焊接炉中，对二极管芯片组进行高温焊接，温度为300-310℃；焊接好的二极管芯片通过混合酸分别对二极管芯片周围边缘进行化学腐蚀；将酸化后的二极管芯片和封装底料片放入模具中，并用黑胶对二极管芯片进行注塑封装；将模压好的二极管放入280-300℃的烘箱固化7-9h，以提高塑封料的可靠性；再通过电镀在二极管表面形成一层薄膜的锡层；最后，再进行低温烘烤。本发明工艺步骤简单，简化了工序，实际生产成本较小，这种方法制备的二极管具有较好的正向性、反向性、击穿特性，而且稳定可靠，大大延长了二极管的使用寿命。具体实施方式为使本发明实现的技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了解，下面结合具体实施方式，进一步阐述本发明。实施例1：一种二极管的生产工艺，包括焊接、酸洗、模压、热固成型、电镀和低温烘烤，二极管的生产工艺如下：（1）焊接：将焊接料放入到焊接炉中，对二极管芯片组进行高温焊接，温度为300℃；（2）酸洗：焊接好的二极管芯片通过混合酸分别对二极管芯片周围边缘进行化学腐蚀；（3）模压：将酸化后的二极管芯片和封装底料片放入模具中，并用黑胶对二极管芯片进行注塑封装；（4）热固成型：将模压好的二极管放入280℃的烘箱固化7h，以提高塑封料的可靠性；（5）电镀：再通过电镀在二极管表面形成一层薄膜的锡层；（6）低温烘烤：最后，再进行低温烘烤。其中，所述步骤（2）中混合酸主要包括HNO3、HF、CH3COOH和H2SO4，其配比为HNO3:HF:CH3COOH:H2SO4=8:8:11:3；所述步骤（2）酸洗还包括用大量去离子水对酸洗后二极管芯片进行冲洗，并将清洗过的二极管芯片放入100℃的烘箱里烘0.5h；所述步骤（3）中黑胶主要成分为环氧树脂；所述步骤（5）中锡层厚度为1mm，以提高二极管引线的可焊接性、防护性能；所述步骤（6）中低温烘烤分三个步骤进行：首先，将所述烘烤箱的烘烤温度设定为100℃，烘烤时间设定为355min；其次，烘烤箱的烘烤温度为75℃，烘烤时间为115min；最后，待所述烘烤箱的箱内温度冷却到50℃，烘烤时间为110min。实施例2：一种二极管的生产工艺，包括焊接、酸洗、模压、热固成型、电镀和低温烘烤，二极管的生产工艺如下：（1）焊接：将焊接料放入到焊接炉中，对二极管芯片组进行高温焊接，温度为305℃；（2）酸洗：焊接好的二极管芯片通过混合酸分别对二极管芯片周围边缘进行化学腐蚀；（3）模压：将酸化后的二极管芯片和封装底料片放入模具中，并用黑胶对二极管芯片进行注塑封装；（4）热固成型：将模压好的二极管放入290℃的烘箱固化8h，以提高塑封料的可靠性；（5）电镀：再通过电镀在二极管表面形成一层薄膜的锡层；（6）低温烘烤：最后，再进行低温烘烤。其中，所述步骤（2）中混合酸主要包括HNO3、HF、CH3COOH和H2SO4，其配比为HNO3:HF:CH3COOH:H2SO4=8:9:12:4；所述步骤（2）酸洗还包括用大量去离子水对酸洗后二极管芯片进行冲洗，并将清洗过的二极管芯片放入110℃的烘箱里烘1h；所述步骤（3）中黑胶主要成分为环氧树脂；所述步骤（5）中锡层厚度为2mm，以提高二极管引线的可焊接性、防护性能；所述步骤（6）中低温烘烤分三个步骤进行：首先，将所述烘烤箱的烘烤温度设定为105℃，烘烤时间设定为360min；其次，烘烤箱的烘烤温度为80℃，烘烤时间为120min；最后，待所述烘烤箱的箱内温度冷却到60℃，烘烤时间为115min。实施例3：一种二极管的生产工艺，包括焊接、酸洗、模压、热固成型、电镀和低温烘烤，二极管的生产工艺如下：（1）焊接：将焊接料放入到焊接炉中，对二极管芯片组进行高温焊接，温度为310℃；（2）酸洗：焊接好的二极管芯片通过混合酸分别对二极管芯片周围边缘进行化学腐蚀；（3）模压：将酸化后的二极管芯片和封装底料片放入模具中，并用黑胶对二极管芯片进行注塑封装；（4）热固成型：将模压好的二极管放入300℃的烘箱固化9h，以提高塑封料的可靠性；（5）电镀：再通过电镀在二极管表面形成一层薄膜的锡层；（6）低温烘烤：最后，再进行低温烘烤。其中，所述步骤（2）中混合酸主要包括HNO3、HF、CH3COOH和H2SO4，其配比为HNO3:HF:CH3COOH:H2SO4=10:10:13:5；所述步骤（2）酸洗还包括用大量去离子水对酸洗后二极管芯片进行冲洗，并将清洗过的二极管芯片放入130℃的烘箱里烘1.5h；所述步骤（3）中黑胶主要成分为环氧树脂；所述步骤（5）中锡层厚度为3mm，以提高二极管引线的可焊接性、防护性能；所述步骤（6）中低温烘烤分三个步骤进行：首先，将所述烘烤箱的烘烤温度设定为110℃，烘烤时间设定为365min；其次，烘烤箱的烘烤温度为85℃，烘烤时间为125min；最后，待所述烘烤箱的箱内温度冷却到70℃，烘烤时间为120min。正向性反向性击穿特性实施例1合格良良实施例2优优优实施例3良合格良现有的技术参数合格合格合格根据上述表格数据可知，实施例2中采用本发明二极管的生产工艺和现有的技术参数比较，具有正向性、反向性、击穿特性，而且稳定可靠，大大延长了二极管的使用寿命。本发明提供了一种二极管的生产工艺，涉及电子元器件制作
技术领域：
，包括焊接、酸洗、模压、热固成型、电镀和低温烘烤，将焊接料放入到焊接炉中，对二极管芯片组进行高温焊接，温度为300-310℃；焊接好的二极管芯片通过混合酸分别对二极管芯片周围边缘进行化学腐蚀；将酸化后的二极管芯片和封装底料片放入模具中，并用黑胶对二极管芯片进行注塑封装；将模压好的二极管放入280-300℃的烘箱固化7-9h，以提高塑封料的可靠性；再通过电镀在二极管表面形成一层薄膜的锡层；最后，再进行低温烘烤。本发明工艺步骤简单，简化了工序，实际生产成本较小，这种方法制备的二极管具有较好的正向性、反向性、击穿特性，而且稳定可靠，大大延长了二极管的使用寿命。以上所述仅为本发明的实施例，并非因此限制本发明的专利范围，凡是利用本发明说明书内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的
技术领域：
，均同理包括在本发明的专利保护范围内。当前第1页1 2 3