1.一种半导体器件，包括:
下部结构，包括下部导体；
设置在所述下部结构上的上部结构，所述上部结构具有暴露所述下部导体的开口；和
填充所述开口的连接结构，所述连接结构连接到所述下部导体，
其中所述连接结构包括：
覆盖所述开口的内表面的第一钨层，所述第一钨层在所述开口中限定凹进区；和
在所述第一钨层上的填充所述凹进区的第二钨层，
其中在所述连接结构的上部中的所述第二钨层的晶粒尺寸大于在所述连接结构的下部中的所述第二钨层的晶粒尺寸。
2.如权利要求1所述的半导体器件，其中所述第二钨层的平均晶粒尺寸大于所述第一钨层的平均晶粒尺寸。
3.如权利要求1所述的半导体器件，其中所述连接结构包括：由所述第一钨层的晶粒和所述第二钨层的晶粒形成的第一界面；和在所述连接结构的中心区中的由所述第二钨层的晶粒形成的第二界面。
4.如权利要求3所述的半导体器件，其中所述连接结构具有在一个方向上延伸的线形状，和
其中所述第一界面和所述第二界面平行于所述连接结构延伸。
5.如权利要求3所述的半导体器件，其中所述第二界面的竖直长度大于所述连接结构的竖直长度的一半。
6.如权利要求1所述的半导体器件，所述凹进区的深度大于所述开口的深度的一半。
7.如权利要求1所述的半导体器件，其中所述第一钨层在所述开口的底表面上的厚度大于所述第一钨层在所述开口的侧壁上的厚度。
8.如权利要求1所述的半导体器件，其中所述连接结构包括在所述连接结构的顶表面和底表面之间的弯曲区域，
其中所述连接结构在所述弯曲区域中具有最大宽度。
9.如权利要求1所述的半导体器件，其中所述上部结构包括：交替地层叠在所述下部结构上的绝缘层和电极，和
其中所述连接结构还包括：设置在所述第一钨层与所述电极的侧壁之间以及在所述第一钨层与所述绝缘层的侧壁之间的绝缘间隔物。
10.一种半导体器件，包括：
在基板上沿一个方向延伸的层叠结构，所述层叠结构彼此间隔开，每个层叠结构包括竖直层叠的电极；
穿透所述层叠结构的竖直结构；
设置在彼此相邻的所述层叠结构之间并与所述竖直结构间隔开的公共源线结构，所述公共源线结构平行于所述电极延伸；以及
设置在所述公共源线结构和所述层叠结构之间的绝缘间隔物，
其中所述公共源线结构包括：
覆盖所述绝缘间隔物并限定凹进区的第一钨层；和
在所述第一钨层上填充所述凹进区的第二钨层，
其中在所述公共源线结构的上部中的所述第二钨层的晶粒尺寸大于在所述公共源线结构的下部中的所述第二钨层的晶粒尺寸。
11.如权利要求10所述的半导体器件，其中所述第二钨层的平均晶粒尺寸大于所述第一钨层的平均晶粒尺寸。
12.如权利要求10所述的半导体器件，其中所述公共源线结构包括：由所述第一钨层的晶粒和与所述第一钨层的所述晶粒接触的所述第二钨层的晶粒形成的第一界面；和在所述公共源线结构的中心区中的由所述第二钨层的晶粒形成的第二界面。
13.如权利要求12所述的半导体器件，其中所述公共源线结构的所述第一界面和所述第二界面沿着所述一个方向平行于所述层叠结构延伸。
14.如权利要求10所述的半导体器件，其中所述第二钨层的竖直长度大于所述层叠结构的竖直长度的一半。
15.如权利要求10所述的半导体器件，其中所述公共源线结构在设置在所述公共源线结构的顶表面和底表面之间的弯曲区域中具有最大宽度，和
其中所述弯曲区域设置在比所述电极中最上面的一个电极的底表面高的水平处。
16.一种半导体器件，包括：
半导体基板，具有彼此间隔开并延伸到所述半导体基板的上表面的多个导体区域；
形成在所述半导体基板上和在所述多个导体区域的第一部分上的上部结构，所述上部结构包括通过其暴露出所述多个导体区域的第二部分的开口，其中所述开口在所述上部结构的上表面和下表面之间的点处最宽，所述开口在所述上部结构的所述上表面处的宽度比所述开口在所述上部结构的所述下表面处的宽度更宽；以及
层叠的填充结构，其填充所述开口的每个并接触所述多个导体区域的每个，包括：
阻挡金属层，均匀地覆盖所述开口的侧壁和所述多个导体区域的所述第一部分；
第一钨层，其非均匀地覆盖所述阻挡金属层并在所述开口的每个中限定凹进区；和
第二钨层，填充限定在所述开口的每个中的所述凹进区的每个。
17.如权利要求16所述的半导体器件，其中所述开口的相对侧壁表面分别具有负斜率到正斜率侧壁和正斜率到负斜率侧壁。
18.如权利要求16所述的半导体器件，其中所述层叠的填充结构包括：由所述第一钨层的晶粒和所述第二钨层的晶粒形成的第一界面；和沿着所述开口的每个的中心线的由所述第二钨层的晶粒形成的第二界面。
19.如权利要求16所述的半导体器件，其中所述第二钨层的平均晶粒尺寸大于所述第一钨层的平均晶粒尺寸。
20.如权利要求16所述的半导体器件，其中所述第一钨层在所述开口的底表面上的厚度大于所述第一钨层在所述开口的侧壁上的厚度。