技术特征：
技术总结
本发明实施例公开了形成连接件和封装的半导体器件的方法。在一些实施例中，通过在互连结构上方形成第一光刻胶层，并且将第一光刻胶层图案化为具有用于连接件的第一部分的图案，形成连接件。穿过图案化的第一光刻胶层镀第一金属层以形成连接件的第一部分，第一部分具有第一宽度。第二光刻胶层形成在互连结构和连接件的第一部分上方。将第二光刻胶层图案化为具有用于连接件的第二部分的图案。通过图案化的第二光刻胶层镀第二金属层以形成在连接件的第一部分上方的连接件的第二部分。连接件的第二部分具有第二宽度，第二宽度小于第一宽度。
技术研发人员：郑荣伟;林鸿仁;王宗鼎;李建勋;侯皓程;刘名哲;庄钧智;陈海明
受保护的技术使用者：台湾积体电路制造股份有限公司
技术研发日：2016.10.27
技术公布日：2017.08.04