技术总结
本发明公开了一种SOI像素探测器结构，由一种SOI像素探测器结构，包括低阻硅层、埋氧层、栅氧化层、高阻n型衬底、埋p阱、埋n阱、p型探测阱、埋n阱引出电极、传输门电极、p型探测阱读出电极和背部电极组成；其中，低阻硅层(电路层)与高阻n型衬底由埋氧层隔开；埋n阱被更加深的埋p阱包围，整个高阻n型衬底耗尽形成电荷灵敏区。该结构埋n阱连接一个适当的电压可以屏蔽衬底电压对电路层的影响；较大的埋p阱形成一个大的电荷收集和储存区域，而较小的p型探测阱作为探测区，与读出电极相连，从而降低SOI像素探测器敏感节点电容。
技术研发人员：王颖;兰昊;孙玲玲;曹菲
受保护的技术使用者：杭州电子科技大学
文档号码：201611094845
技术研发日：2016.12.02
技术公布日：2017.05.31