一种增大过孔层的过孔坡度角的方法与流程

本发明涉及显示面板技术领域，尤其涉及一种增大过孔层的过孔坡度角的方法。

背景技术：

在显示面板行业中，电路设计一般为4～12层图案的叠加，在半导体行业中，层数更是多达几十道。在这些多层的电路设计中，过孔层是必不可少的一层，它起到连接电路、承上启下的作用。对过孔层来说，过孔坡度角尤为重要，坡度角小则过孔层的关键尺寸损失大，当过孔坡度角为90°的时候，过孔层的关键尺寸损失最小。但目前采用传统工艺制作出来的坡度角最大约为60°，还存在很大程度上的关键尺寸损失。而过孔坡度角除了和成膜与刻蚀工艺相关之外，还和光刻岗位中所成的光刻胶的坡度角有很大的关系，而光刻胶的坡度角的形成取决于真空干燥和软烘步骤中光刻胶的软硬程度。传统工艺中一般要求真空干燥和软烘步骤后光刻胶的软硬程度一致，但其形成的光刻胶过孔由于溶解速率一致，会形成上宽下窄的正角，从而导致刻蚀步骤后形成的过孔坡度角偏小，影响电路的搭接质量。

技术实现要素：

本发明提供一种增大过孔层的过孔坡度角的方法，解决了增大光刻步骤中的真空干燥时长来生成上层硬度大于下层的光刻胶，并经过曝光显影后形成上宽中窄下宽的光刻胶过孔，再经过刻蚀步骤形成坡度角为60°至90°的过孔层过孔的技术问题。

为解决以上技术问题，本发明提供一种增大过孔层的过孔坡度角的方法，包括光刻步骤和刻蚀步骤，光刻步骤包括光刻胶涂胶步骤、真空干燥步骤、软烘步骤、曝光显影步骤；在光刻胶涂胶步骤中，将光刻胶涂覆在膜层上：在真空干燥步骤中，延长抽真空时间20％至50％，光刻胶上部硬度大于下部硬度；在曝光显影步骤中，光刻胶经曝光显影形成上宽中窄下宽的光刻胶过孔，光刻胶形成凸出的中部；

在刻蚀步骤中，光刻胶凸出的中部先被灰化，光刻胶过孔下方的整个膜层表面以接近一致的速度灰化，形成坡度角为60°至90°的过孔层过孔。

具体地，在所述真空干燥步骤中，逐渐抽出工艺腔室的空气直至真空，所述光刻胶上部的溶剂从表面开始蒸发。

具体地，在所述软烘步骤中，用热板将工艺腔室升温，所述光刻胶下部的溶剂从底面开始蒸发。

具体地，在所述刻蚀步骤中，所述光刻胶与膜层形成过孔层过孔后的弧形边缘与膜层底面的相交处的切面与所述膜层底面所成的夹角为所述过孔坡度角。

优选地，在所述真空干燥步骤中，延长抽真空时间最佳为35％。

本发明提供的一种增大过孔层的过孔坡度角的方法，在传统工艺的基础上，通过增大光刻步骤中的真空干燥时长20％至50％来使光刻胶上层的硬度大于下层，并经过曝光显影后形成上宽中窄下宽的光刻胶过孔，再经过刻蚀步骤形成坡度角为60°至90°的过孔层过孔，同时降低光刻后与刻蚀后的过孔层的关键尺寸失真，使过孔层电路能有更好的搭接效果，进一步改善电路质量，并且当过孔层坡度角接近直角时，过孔的分辨率也能得到进一步提升。

附图说明

图1是本发明实施例提供的一种增大过孔层的过孔坡度角的方法的制作流程图；

图2是本发明实施例提供的一种增大过孔层的过孔坡度角的方法的过孔层的结构示意图；

图3是本发明实施例提供的一种增大过孔层的过孔坡度角的方法的真空干燥步骤中过孔层的溶剂蒸发示意图；

图4是本发明实施例提供的一种增大过孔层的过孔坡度角的方法的软烘步骤中过孔层的溶剂蒸发示意图；

图5是本发明实施例提供的一种增大过孔层的过孔坡度角的方法的光刻胶过孔的形成示意图；

图6是本发明实施例提供的一种增大过孔层的过孔坡度角的方法的过孔层过孔的形成示意图及其坡度角的展示图；

图7是本发明实施例提供的传统方法中的过孔层的溶剂蒸发示意图；

图8是本发明实施例提供的传统方法中的光刻胶过孔的形成示意图；

图9是本发明实施例提供的传统方法中的过孔层过孔的形成示意图及其坡度角的展示图。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。以下元器件的取值大小仅为较佳实施例，不构成对本发明保护范围的限制。

参见图1，是本发明实施例提供的一种增大过孔层的过孔坡度角的方法的制作流程图。在本实施例中，所述的一种增大过孔层的过孔坡度角的方法，包括光刻步骤和刻蚀步骤，光刻步骤包括光刻胶涂胶步骤、真空干燥(VCD)步骤、软烘(SHP)步骤、曝光显影步骤；在光刻胶涂胶步骤中，将光刻胶10涂覆在膜层20上，如图2，是所述过孔层的结构示意图(省略位于所述膜层20地下的衬底层)；

在真空干燥(VCD)步骤中，延长抽真空时间20％至50％，光刻胶上部11硬度大于光刻胶下部12硬度；

在本实施例中，在所述真空干燥也即减压干燥(VCD)步骤中，逐渐抽出工艺腔室的空气直至真空来降低内部气压，加快溶剂蒸发速度，作用面为光刻胶10表面，所述光刻胶上部11的溶剂从表面开始蒸发，参考图3；在所述软烘(VHP)步骤中，用热板将工艺腔室升温，加快溶剂蒸发速度，作用面为光刻胶10底面，所述光刻胶下部12的溶剂从底面开始蒸发，参考图4。

所述软烘(VHP)步骤中，由于光刻胶上部11与光刻胶下部12的溶剂蒸发较快，留下的溶剂较少，而光刻胶中部13的溶剂蒸发较慢，留下的溶剂较多，因为光刻胶溶剂残留越多的话，在软烘(VHP)完成后，光刻胶就越硬，相反残留越少光刻胶就越软，如是所述光刻胶10经过曝光显影步骤后，在曝光显影步骤中，曝光显影形成上宽中窄下宽的光刻胶过孔G1，光刻胶10形成凸出的中部13，参考图5；接着对经过曝光显影步骤处理后的光刻胶10进行刻蚀，在刻蚀步骤中，光刻胶凸出的中部13先被灰化，光刻胶过孔G1下方的整个膜层表面21以接近一致的速度灰化，形成坡度角α1为60°至90°的过孔层过孔K1，所述光刻胶10与膜层20形成过孔层过孔K1后的弧形边缘与膜层底面22的相交处的切面与所述膜层底面22所成的夹角为所述过孔坡度角α1。真空干燥(VCD)步骤中，若采用35％的最佳延长时间，其过孔层过孔K1的坡度角α1将接近90°，参考图6，其中的均匀虚线代表过孔层过孔K1的形成过程。

但是传统工艺中一般要求减压干燥(VCD)和软烘(VHP)后的光刻胶软硬程度一致，其形成的光刻胶过孔G1由于溶剂的溶解速率一致，参考图7；如是所述光刻胶10经过曝光显影步骤后，形成如图8所示的上宽下窄的光刻胶过孔G2，接着对光刻胶10及膜层20进行刻蚀，形成如图9所示的过孔层过孔K2与过孔坡度角α2，其中的均匀虚线代表过孔层过孔K2的形成过程。

对比图6与图9，在刻蚀过程中，采用本发明的方法形成的光刻胶过孔G1因其上宽中窄下宽的结构特点，使得刻蚀气体能以接近一致的速度对整个所述光刻胶过孔G1下的整个膜层表面21进行刻蚀，再逐渐拓宽深度与宽度，形成过孔坡度角α1；而采用传统方法形成的光刻胶过孔G2因其上宽下窄的结构特点，使得刻蚀气体到达膜层表面21的速度不一致，所述光刻胶过孔G2下的整个膜层表面21从中间部分开始进行刻蚀，再逐渐拓宽深度与宽度，最后形成过孔坡度角α2。可以明显看到，α2(约60°)小于α1(约90°)，且存在较大的关键尺寸失真CD loss(Critical Dimension loss)，即为图中非均匀虚线与所述光刻胶10与膜层20形成过孔层过孔K1或K2后的弧形边缘围成的部分。

以上所述是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也视为本发明的保护范围。