1.一种薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤1、提供一有源层(100)，在所述有源层(100)上沉积绝缘材料，形成栅极绝缘层(200)，在所述栅极绝缘层(200)上涂布光阻材料，形成光阻层(300)；
步骤2、提供一半色调掩膜板(900)，所述半色调掩膜板(900)包括对应有源层(100)两端设置的第一曝光区(910)、位于第一曝光区(910)内侧且与第一曝光区(910)相邻的第二曝光区(920)、及位于第二曝光区(920)内侧且与第二曝光区(920)相邻的第三曝光区(930)；
所述第一曝光区(910)、第二曝光区(920)、及第三曝光区(930)的透光率依次增大或依次减小；
步骤3、利用所述半色调掩膜板(900)对光阻层(300)进行曝光显影，在光阻层(300)上形成对应第一曝光区(910)的第一光阻区(310)、对应第二曝光区(920)的第二光阻区(320)、及对应第三曝光区(930)的第三光阻区(330)；
所述光阻层(300)在第一光阻区(310)的厚度小于在第二光阻区(320)的厚度，所述光阻层(300)在第二光阻区(320)的厚度小于在第三光阻区(330)的厚度；
步骤4、去除第一光阻区(310)的光阻层(300)并薄化第二光阻区(320)、及第三光阻区(330)的光阻层(300)，以第二光阻区(320)及第三光阻区(330)剩余的光阻层(300)为遮挡对栅极绝缘层(200)进行蚀刻，减薄对应第一光阻区(310)的栅极绝缘层(200)的厚度；
步骤5、去除第二光阻区(320)的光阻层(300)并薄化第三光阻区(330)的光阻层(300)，以第三光阻区(330)剩余的光阻层(300)为遮挡对栅极绝缘层(200)进行蚀刻，减薄对应第一光阻区(310)及第二光阻区(320)的栅极绝缘层(200)的厚度，在所述栅极绝缘层(200)上形成对应第一光阻区(310)的第一绝缘层区(210)、对应第二光阻区(320)的第二绝缘层区(220)、及对应第三光阻区(320)的第三光绝缘层区(230)，所述栅极绝缘层(200)在第一绝缘层区(210)的厚度小于在第二绝缘层区(220)的厚度，所述栅极绝缘层(200)在第二绝缘层区(220)的厚度小于在第三绝缘层区(230)的厚度，去除第三光阻区(330)剩余的光阻层(300)；
步骤6、从栅极绝缘层(200)的一侧对有源层(100)进行离子掺杂，形成对应第一绝缘层区(210)的源漏极接触区(110)、及对应第二绝缘层区(220)的轻掺杂漏极区(120)；
所述源漏极接触区(110)的离子掺杂浓度大于轻掺杂漏极区(120)的离子掺杂浓度。
2.如权利要求1所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述光阻材料为正性光阻材料；
所述第一曝光区(910)的透光率大于第二曝光区(920)的透光率，所述第二曝光区(920)的透光率大于第三曝光区(930)的透光率。
3.如权利要求1所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述光阻材料为负性光阻材料；
所述第一曝光区(910)的透光率小于第二曝光区(920)的透光率，所述第二曝光区(920)的透光率小于第三曝光区(930)的透光率。
4.如权利要求1所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述第二曝光区(920)中各个位置的透光率均相同；
所述光阻层(300)在第二光阻区(320)中的厚度均匀；
所述栅极绝缘层(200)在第二绝缘层区(220)中的厚度均匀；
所述轻掺杂漏极区(120)的离子掺杂浓度均匀。
5.如权利要求1所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述第二曝光区(920)包括多个依次排列的子曝光区，所述多个子曝光区的透光率依次增大或依次减小；
所述第二光阻区(320)包括对应多个子曝光区的子光阻区，所述光阻层(300)在多个子光阻区的厚度向着远离第一光阻区(310)的方向依次增大；
所述步骤5具体包括：
步骤51、去除第二光阻区(320)中最靠近第一光阻区(310)的子光阻区的光阻层(300)并薄化除该子光阻区以外的子光阻区及第三光阻区(330)的光阻层(300)，以第二光阻区(320)及第三光阻区(330)剩余的光阻层(300)为遮挡对栅极绝缘层(200)进行蚀刻，减薄对应第一光阻区(310)及第二光阻区(320)中光阻层(300)被去除部分的栅极绝缘层(200)的厚度；
步骤52、去除其余子光阻区中最靠近第一光阻区(310)的子光阻区的光阻层(300)并薄化除该子光阻区以外的子光阻区及第三光阻区(330)的光阻层(300)，以第二光阻区(320)及第三光阻区(330)剩余的光阻层(300)为遮挡对栅极绝缘层(200)进行蚀刻，减薄对应第一光阻区(310)及第二光阻区(320)中光阻层(300)被去除部分的栅极绝缘层(200)的厚度；
步骤53、重复步骤52，直至第二光阻区(320)的光阻层(300)被完全去除；
所述栅极绝缘层(200)在第二绝缘层区(220)中形成对应多个子光阻区的多个子绝缘层区，所述栅极绝缘层(200)在多个子绝缘层区的厚度向着远离第一绝缘层区(210)的方向依次增大；
所述轻掺杂漏极区(120)包括对应多个子绝缘层区的多个子轻掺杂漏极区，所述多个子轻掺杂漏极区的离子掺杂浓度向着远离源漏极接触区(110)方向逐渐减小。
6.如权利要求1所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述步骤1提供的有源层(100)设于一基板上，所述有源层(100)与基板之间还设有分别与所述有源层(100)两端相连接的源极和漏极。
7.如权利要求1所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，还包括步骤7、在所述栅极绝缘层(200)上沉积金属材料并进行图案化，形成栅极。
8.如权利要求1所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述步骤4中通过灰化的方法去除第一光阻区(310)的光阻层(300)并薄化第二光阻区(320)及第三光阻区(330)的光阻层(300)；
所述步骤5中通过灰化的方法去除第二光阻区(320)的光阻层(300)并薄化第三光阻区(330)的光阻层(300)。