技术总结
本发明提供一种薄膜晶体管的制作方法，在有源层上依次形成栅极绝缘层及光阻层，并利用一半色调掩膜板在光阻层上对应有源层形成由外至内依次排列且厚度依次增加的第一光阻区、第二光阻区、及第三光阻区，接着依次去除第一光阻区、及第二光阻区的光阻层，并在每次去除光阻层时以剩余的光阻层为遮挡蚀刻栅极绝缘层，使栅极绝缘层对应形成厚度依次增加的第一绝缘层区、第二绝缘层区、及第三绝缘层区，之后在栅极绝缘层一侧对有源层进行离子掺杂，在有源层的两端形成离子掺杂浓度高的源漏极接触区，在源漏极接触区内侧形成离子掺杂浓度低的轻掺杂漏极区，仅进行一道离子掺杂制程即可完成源漏极接触区及轻掺杂漏极区的制作，操作简单，生产效率高。
技术研发人员：赵瑜
受保护的技术使用者：武汉华星光电技术有限公司
文档号码：201611216201
技术研发日：2016.12.26
技术公布日：2017.05.24