技术领域本实用新型涉及一种半导体加工治具，特别是涉及一种具有高吸附性的晶片切割用吸附式治具。
背景技术：
参阅图1，现有的一种吸附式治具1，包含一个连接至一个抽气装置(图未示)并具有多个第一通孔(图未示)的吸附头座11，及一个设置于该吸附头座11的橡胶层12，该橡胶层12具有多个分别连通所述第一通孔的第二通孔121。在晶圆的切割制程中，该吸附式治具1架设于一台切割机(图未示)上，并连接该抽气装置，再将一片晶圆(图未示)设置于该橡胶层12上，切割过程中，该抽气装置吸气，并通过所述第二通孔121吸附该晶圆，然而，由于该橡胶层12的边缘无支撑物支撑，当该切割机的一个切割刀(图未示)通过该橡胶层12的边缘时，该橡胶层12会晃动，使得该晶圆无法稳定地吸附于该吸附式治具1，容易发生飞落或旋转的情形，并在进入下一台切割机时，会因移位而无法放置于另一个吸附式治具1，或是切割后的小块晶片无法被吸附，造成掉料或不良品的情形，进而降低生产的良率。
技术实现要素：
本实用新型的目的在于提供一种能提高产品良率的具有高吸附性的晶片切割用吸附式治具。本实用新型具有高吸附性的晶片切割用吸附式治具，适用于连接至一个抽气装置，并包含一个吸附头座及一个弹性接触层。该吸附头座包括一个连接至该抽气装置的基座本体、一个形成于该基座本体底面并环绕界定出一个中岛的沟槽、多个分别贯穿该基座本体的两相反侧面且分布于该沟槽与该中岛的第一通孔，及一个形成于该基座本体的顶面且连通所述第一通孔的容置凹槽。该弹性接触层设置于该容置凹槽，并包括一个呈水平的接触面，及多个贯穿该接触面且分别连通所述第一通孔的第二通孔。本实用新型所述的具有高吸附性的晶片切割用吸附式治具，该具有高吸附性的晶片切割用吸附式治具还包含一个支撑单元，该支撑单元包括多个设置于该基座本体且紧抵于该弹性接触层边缘的挡墙。本实用新型所述的具有高吸附性的晶片切割用吸附式治具，该弹性接触层还包括多个形成于该接触面且呈纵横交错地分别围绕所述第二通孔的主切割槽。本实用新型所述的具有高吸附性的晶片切割用吸附式治具，所述挡墙呈L字形，每一个挡墙具有一个设置于该基座本体顶面的水平板部，及一个由该水平板部向上延伸且紧抵于该弹性接触层边缘的垂直板部。本实用新型所述的具有高吸附性的晶片切割用吸附式治具，每一个挡墙还具有多个形成于该垂直板部且分别连通于所述主切割槽的副切割槽。本实用新型所述的具有高吸附性的晶片切割用吸附式治具，该支撑单元还包括多个分别将所述挡墙锁固于该基座本体的锁固件。本实用新型所述的具有高吸附性的晶片切割用吸附式治具，该弹性接触层还包括多个形成于该接触面且分别围绕所述第二通孔的气槽。本实用新型所述的具有高吸附性的晶片切割用吸附式治具，位于该中岛的所述第一通孔与相对应的第二通孔及气槽共同界定出一个内吸附区，位于该沟槽的所述第一通孔与相对应的第二通孔及气槽共同界定出一个外吸附区。本实用新型所述的具有高吸附性的晶片切割用吸附式治具，该弹性接触层的材质为橡胶。本实用新型的有益效果在于：通过在该基座本体的底面设置该沟槽，增加位于该沟槽的所述第一通孔上方的气体流动空间，进而增强相对应的第二通孔的吸力，达到提高产品良率的效果。附图说明图1是一立体图，说明现有的一种吸附式治具；图2是一立体分解图，说明本实用新型具有高吸附性的晶片切割用吸附式治具的一个实施例；图3是该实施例的一立体图；图4是该实施例的一局部放大立体图；图5是该实施例的一仰视立体图；图6是该实施例的一仰视平面图；图7是沿图6的剖线VII-VII的一局部剖视图，说明一片晶圆吸附于该实施例待切割的情形。具体实施方式下面结合附图及实施例对本实用新型进行详细说明。参阅图2至图4，本实用新型具有高吸附性的晶片切割用吸附式治具的一个实施例，包含一个吸附头座2、一个弹性接触层3及一个支撑单元4。配合参阅图5及图6，该吸附头座2包括一个基座本体21、一个形成于该基座本体21底面并环绕界定出一个中岛23的沟槽22、多个分别贯穿该基座本体21的两相反侧面且分布于该沟槽22与该中岛23的第一通孔24，及一个形成于该基座本体21的顶面且连通所述第一通孔24的容置凹槽25。该弹性接触层3以贴合的方式设置于该容置凹槽25，并包括一个呈水平的接触面31、多个贯穿该接触面31并分别连通所述第一通孔24的第二通孔32、多个形成于该接触面31并分别围绕所述第二通孔32的气槽33，及多个形成于该接触面31且呈纵横交错地分别围绕所述第二通孔32与所述气槽33的主切割槽34。在本实施例中，该弹性接触层3的材质为橡胶，但不以此为限。位于该中岛23的所述第一通孔24与相对应的第二通孔32及气槽33共同界定出一个内吸附区26，位于该沟槽22的所述第一通孔24与相对应的第二通孔32及气槽33共同界定出一个外吸附区27。该支撑单元4包括多个设置于该基座本体21且紧抵于该弹性接触层3边缘的挡墙41，及多个分别将所述挡墙41锁固于该基座本体21的锁固件42。在本实施例中，每一个锁固件42为一个螺丝，但不以此为限。所述挡墙41呈L字形，每一个挡墙41具有一个设置于该基座本体21顶面的水平板部411、一个由该水平板部411向上延伸且紧抵于该弹性接触层3边缘的垂直板部412，及多个形成于该垂直板部412且分别连通于所述主切割槽34的副切割槽413。参阅图5至图7，实际使用时，将本实施例架设于一个产线(图未示)的切割机(图未示)上，并将一个抽气装置8连接至该基座本体21，再将一片晶圆9设置于该弹性接触层3的接触面31上，接着，启动该抽气装置8，通过所述第一通孔24、所述第二通孔32及所述气槽33间的气体所形成的吸力吸附该晶圆9，切割过程中，一个切割刀(图未示)会行经所述挡墙41的副切割槽413与该弹性接触层3的主切割槽34，将该晶圆9切割成小块的晶片，以进行后续的加工。吸气过程中，往往靠近该吸附头座2中央的吸力较大，越往边缘的吸力渐弱，本实施例通过在该基座本体21的底面设置该沟槽22，增加位于该沟槽22的所述第一通孔24附近的气体流动空间，进而增强该外吸附区27的吸力，使该晶圆9能完整地吸附于该弹性接触层3，进而提高产品的良率。此外，通过在该弹性接触层3的边缘设置所述挡墙41，当该切割刀通过该弹性接触层3的边缘时，该弹性接触层3不容易晃动，使该晶圆9不会发生飞落或旋转的情形，同样提高产品的良率。值得一提的是，本实施例适用于「全切」的晶圆切割工法，也就是说切穿该晶圆9成多个完整的晶片，所述副切割槽413使该切割刀经过该弹性接触层3的边缘时不会被所述挡墙41阻挡，所述主切割槽34使该切割刀切割该晶圆9时不会被该接触面31阻挡。然而，该弹性接触层3也可以不设置所述主切割槽34，而应用于「半切」的晶圆切割工法，也就是说未完全切穿该晶圆9，此时，所述挡墙41也不须设置所述副切割槽413。综上所述，本实用新型通过在该基座本体21的底面设置该沟槽22，增加位于该沟槽22的所述第一通孔24附近的气体流动空间，进而增强该外吸附区27的吸力，使该晶圆9能够完整地吸附于该弹性接触层3，达到提高产品良率的效果，所以确实能达成本实用新型的目的。