1.一种薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，包括：
在基板上依次形成主动层、栅极绝缘层、栅极及电容绝缘层，所述栅极绝缘层隔绝所述主动层与所述栅极；
在所述电容绝缘层之背离所述基板一侧形成阻氢层，所述阻氢层覆盖所述电容绝缘层；
氢化处理所述栅极绝缘层及所述主动层。
2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述氢化处理的温度不大于500℃，所述氢化处理的时长不超过60分钟。
3.根据权利要求2所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述阻氢层为导电材料，并且在所述“氢化处理所述栅极绝缘层及所述主动层”之后，所述方法还包括：图形化所述阻氢层形成电容上电极。
4.根据权利要求2所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述“氢化处理所述栅极绝缘层及所述主动层”之后，所述方法还包括：沉积导电材料于所述阻氢层之背离所述基板一侧，并图形化所述导电材料形成电容上电极。
5.根据权利要求3或4所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，形成所述电容上电极后，在所述电容上电极之背离所述基板一侧表面形成层间绝缘层，并在所述层间绝缘层表面形成源极和漏极。
6.一种薄膜晶体管，包括基板及依次层叠设置于所述基板一侧的主动层、栅极绝缘层、栅极及电容绝缘层，其特征在于，所述薄膜晶体管还包括阻氢层，所述阻氢层位于所述电容绝缘层之背离所述基板一侧，并覆盖所述电容绝缘层，所述阻氢层用于阻挡氢化处理时所述电容绝缘层提供的氢离子向外扩散。
7.根据权利要求6所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管还包括层叠设置于所述阻氢层之背离所述基板一侧的电容上电极、层间绝缘层、源极及漏极，所述层间绝缘层隔离所述电容上电极与所述源极及所述漏极于所述层间绝缘层的两侧。
8.根据权利要求7所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述层间绝缘层为有机材料膜层。
9.根据权利要求6所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述阻氢层为无机材料膜层或金属材料膜层。
10.一种显示器，其特征在于，包括权利要求6至9任意一项所述的薄膜晶体管。