半导体元件结构及其制造方法与流程

技术特征：

技术总结
提供具有缩小的栅极端宽度的栅极结构的半导体元件结构及其制造方法。在一例子中，半导体元件结构包含数个栅极结构形成在数个鳍状结构上。栅极结构实质上垂直鳍状结构。栅极结构包含具有第一栅极端宽度的第一栅极结构以及具有第二栅极端宽度的第二栅极结构。其中，第二栅极端宽度小于第一栅极端宽度。

技术研发人员：洪展羽;王琳松;陈郁仁;黄一珊
受保护的技术使用者：台湾积体电路制造股份有限公司
技术研发日：2017.10.19
技术公布日：2019.01.25