阵列基板的制作方法

本发明是有关于一种阵列基板，且特别是有关于一种具有支撑结构的阵列基板。

背景技术：

随着科技的进展，可挠式电子产品在市面上的出现率逐渐增加，且各种有关的技术也层出不穷。举例来说，可挠式电子产品的相关技术可以使用在显示器、传感器、穿戴式装置等等各种电子设备。由此可知，可挠式电子产品具有庞大的市场商机。

目前，通常先在刚性的载板上形成软性基板以及电子元件之后，再将软性基板以及电子元件从刚性的载板上面移下来以形成可挠式电子产品。然而，电子元件中不同的构件时常需要在不同的环境(例如温度)下形成。由于不同的构件具有不一样的热膨胀系数，因此，在同样的温度下，不同的构件之间往往会有应力残留。当软性基板以及电子元件从刚性的载板上面移下来以后，这些应力容易造成可挠式电子产品变形，使得电子元件无法对准预期的位置。尤其是在可挠式电子产品与其他元件接合的接合区，变形以后容易使其他元件无法正确的与可挠式电子产品接合，导致产品不能正常运作。因此，目前亟需一种可以解决前述问题的方法。

技术实现要素：

本发明的至少一实施例提供一种阵列基板，可以降低阵列基板的接合区变形的问题。

本发明的至少一实施例提供一种阵列基板，包括元件阵列、接合垫以及至少一支撑结构。接合垫位于接合区中，且与元件阵列电性连接。支撑结构与接合垫之间的水平距离介于5微米与1000微米之间。

本发明的目的之一为减轻阵列基板的接合区在制造过程中产生的变形，使接合垫不会偏离预期的位置。

本发明的目的之一为大幅提升产品的良率。

为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合所附图式作详细说明如下。

附图说明

图1是依照本发明的一实施例的一种阵列基板的上视示意图。

图2a是依照本发明的一实施例的一种阵列基板的上视示意图。

图2b是沿着图2a的线aa’的剖面示意图。

图3a是依照本发明的一实施例的一种阵列基板的上视示意图。

图3b是沿着图3a的线aa’的剖面示意图。

图4a是依照本发明的一实施例的一种阵列基板的上视示意图。

图4b是沿着图4a的线aa’的剖面示意图。

图5是依照本发明的一实施例的一种阵列基板的上视示意图。

图6是依照本发明的一实施例的一种阵列基板的上视示意图。

图7是依照本发明的一实施例的一种阵列基板的上视示意图。

图8是依照本发明的一实施例的一种阵列基板的剖面示意图。

图9是依照本发明的一实施例的一种阵列基板的剖面示意图。

图10是依照本发明的一实施例的一种阵列基板的剖面示意图。

图11是依照本发明的一实施例的一种阵列基板的剖面示意图。

图12是依照本发明的一实施例的一种阵列基板的剖面示意图。

图13是依照本发明的一实施例的一种阵列基板的剖面示意图。

图14是依照本发明的一实施例的一种阵列基板的剖面示意图。

图15是依照本发明的一实施例的一种阵列基板的剖面示意图。

图16是依照本发明的一实施例的一种阵列基板的剖面示意图。

图17a～图17c是依照本发明的一实施例的一种支撑结构与信号线的制造流程的剖面示意图。

图18a～图18c是依照本发明的一实施例的一种支撑结构、辅助支撑结构与信号线的制造流程的剖面示意图。

图19是依照本发明的一实施例的一种阵列基板的剖面示意图。

图20是依照本发明的一实施例的一种阵列基板的剖面示意图。

图21是依照本发明的一实施例的一种阵列基板的剖面示意图。

图22是依照本发明的一实施例的一种阵列基板的剖面示意图。

图23是依照本发明的一实施例的一种阵列基板的剖面示意图。

图24是依照本发明的一实施例的一种阵列基板的剖面示意图。

图25是依照本发明的一实施例的一种阵列基板的剖面示意图。

图26是依照本发明的一实施例的一种阵列基板的剖面示意图。

其中，附图标记：

1、1a、1b、1c、2、3、4、5、6、7、8、9、10、11、12、13、14、15、16、17、18、19、20、21、22：阵列基板

100：基底

105、110、120、130、140：绝缘层

150：保护层

210、230、244：信号线

210a、224b、300aa、300ba：第一层

210b、224a、300ab、300bb：第二层

210c、300ac、300bc：第三层

220：传导结构

224：导电层

226：接合垫

242、250：电极

300、300a、400：支撑结构

300b：辅助支撑结构

310、410、310a：第一部分

320、420、310b：第二部分

330、430：第三部分

312a：主体部

312b：指叉部

410a：外层

410b：内层

510；栅极

520：通道层

530：源极

540：漏极

a1、a2、t1、t2：厚度

cr：接合区

da：元件阵列

dr：阵列区

h：沟渠

h1、h2：水平距离

k1、k2：厚度

l：显示介质

ld：发光元件

m1、m1’：导电材料层

m1a、m1a’：第一导电层

m1b、m1b’：第二导电层

o1、o1’、o2、o3、o4：开口

om1、om1’、om2、om3、om4：光刻胶

p、p0、p1、p2、p3、p4：垂直距离

st：支撑垫

tft：主动元件

w1：宽度

具体实施方式

图1是依照本发明的一实施例的一种阵列基板的上视示意图。

请参考图1，阵列基板1包括基底100、元件阵列da、接合垫226以及支撑结构300。

在一些实施例中，基底100可为软性基板，基底100的材料例如为聚乙烯对苯二甲酸酯(polyethyleneterephthalate,pet)、聚二甲酸乙二醇酯(polyethylenenaphthalate,pen)、聚酯(polyester,pes)、聚甲基丙烯酸甲酯(polymethylmethacrylate,pmma)、聚碳酸酯(polycarbonate,pc)、聚酰亚胺(polyimide,pi)或金属软板(metalfoil)或其他可挠性材质，但本发明不以此为限。在一些实施例中，基底100的材料可为具可挠性的玻璃、石英、或是不透光/反射材料(例如：导电材料、金属、晶圆、陶瓷或其他可适用的材料)或是其他可适用的材料。

基底100具有接合区cr以及阵列区dr。在一实施例中，基底100包括接合垫226，接合垫226位于接合区cr中，元件阵列da位于阵列区dr中。在一些实施例中，元件阵列da可以为画素阵列或触控感测阵列或其他电子元件阵列。导电层224与接合垫226电性连接，且从接合区cr朝元件阵列da延伸，并与元件阵列da电性连接。在一些实施例中，导电层224可以包括多层结构或单层结构。支撑结构300位于接合区cr中，且靠近接合垫226而设置，支撑结构300与接合垫226之间的水平距离例如是介于5微米与1000微米之间，5微米与500微米之间，5微米与250微米之间，5微米与150微米之间，或5微米与50微米之间。在本实施例中，接合区cr中包括多个支撑结构300，每个支撑结构300对应于一个接合垫226设置。在本实施例中，每个接合垫226位于对应的支撑结构300的开口op中。

在本实施例中，接合垫226为矩形，且每个支撑结构300对应于每个接合垫226的至少三个侧边而设置。在本实施例中，每个支撑结构300例如包括多个朝向元件阵列da的开口op，且接合垫226位于开口op中。在本实施例中，支撑结构300的上表面大致上呈现u字形，然而本发明不以此为限。在其他实施例中，支撑结构300的上表面包括三角形、矩形、五边形、圆形、椭圆形或其他多边几何形状。在本实施例中，接合垫226的上表面为矩形，然而本发明不以此为限。在其他实施例中，接合垫226的上表面包括三角形、圆形、椭圆形、五边形、或其他多边几何形状或上述形状的组合。在本实施例中，接合垫226排成一列，且彼此对齐，但本发明不以此为限。在其他实施例中，多个接合垫226可为交错排列，且多个支撑结构300也可为交错排列。

基于上述，本发明至少一实施例提供的阵列基板1在靠近接合垫226的位置设置有支撑结构300。支撑结构300可以减轻阵列基板1的接合区cr在制造过程中产生的变形，使接合垫226不会偏离预期的位置。因此，能大幅的提升产品的良率。

图2a是依照本发明的一实施例的一种阵列基板的上视示意图。图2b是沿着图2a的线aa’的剖面示意图。在此必须说明的是，图2a、图2b的实施例沿用图1的实施例的元件标号与部分内容，其中采用相同或近似的标号来表示相同或近似的元件，并且省略了相同技术内容的说明。关于省略部分的说明可参考前述实施例，本实施例不再重复赘述。

请同时参考图2a与图2b，阵列基板1a的支撑结构300设置于基底100上，且支撑结构300与基底100之间夹有绝缘层110。绝缘层120形成于绝缘层110上，在本实施例中，至少部分支撑结构300嵌入绝缘层120。在本实施例中，支撑结构300的形状包括环状，且具有开口op。

接合垫226与导电层224形成于绝缘层120上，接合垫226与导电层224例如包括相同的导电材料，且接合垫226与导电层224可以同时形成。在一些实施例中，支撑结构300也包括导电材料，导电层224和支撑结构300之间夹有绝缘层120。在本实施例中，接合垫226对应于支撑结构300的开口op而设置。

绝缘层130形成于绝缘层120上。绝缘层130至少覆盖部分导电层224，且绝缘层130具有暴露出接合垫226的开口o1。

基于上述，本发明至少一实施例提供的阵列基板1a在靠近接合垫226的位置设置有支撑结构300。支撑结构300可以减轻阵列基板1a的接合区cr在制造过程中产生的变形，使接合垫226不会偏离预期的位置。因此，能大幅的提升产品的良率。

图3a是依照本发明的一实施例的一种阵列基板的上视示意图。图3b是沿着图3a的线aa’的剖面示意图。在此必须说明的是，图3a、图3b的实施例沿用图2a、图2b的实施例的元件标号与部分内容，其中采用相同或近似的标号来表示相同或近似的元件，并且省略了相同技术内容的说明。关于省略部分的说明可参考前述实施例，本实施例不再重复赘述。

请同时参考图3a与图3b，绝缘层110形成于基底100上。导电层224形成于绝缘层110上。绝缘层120形成于绝缘层110上且至少覆盖部分的导电层224。绝缘层120具有暴露出部分导电层224的开口o1’。接合垫226形成于导电层224上，且接合垫226位于绝缘层120的开口o1’中。在本实施例中，接合垫226与导电层224例如是在不同的工艺下形成。

阵列基板1b的支撑结构300形成于绝缘层120上。在本实施例中，支撑结构300的形状包括环状，且具有开口op。接合垫226对应于支撑结构300的开口op而设置。在一些实施例中，接合垫226可与支撑结构300同时形成且具有相同的材料。在本实施例中，接合垫226的上表面与支撑结构300的上表面齐平，但本发明不以此为限。在其他实施例中，接合垫226的上表面与支撑结构300的上表面不齐平。

绝缘层130形成于绝缘层120上。至少部分的支撑结构300嵌入绝缘层130中。绝缘层130具有暴露出接合垫226的开口o1。

基于上述，本发明至少一实施例提供的阵列基板1b在靠近接合垫226的位置设置有支撑结构300。支撑结构300可以减轻阵列基板1b的接合区cr在制造过程中产生的变形，使接合垫226不会偏离预期的位置。因此，能大幅的提升产品的良率。

图4a是依照本发明的一实施例的一种阵列基板的上视示意图。图4b是沿着图4a的线aa’的剖面示意图。在此必须说明的是，图4a、图4b的实施例沿用图3a、图3b的实施例的元件标号与部分内容，其中采用相同或近似的标号来表示相同或近似的元件，并且省略了相同技术内容的说明。关于省略部分的说明可参考前述实施例，本实施例不再重复赘述。

请同时参考图4a与图4b，绝缘层110形成于基底100上。导电层224形成于绝缘层110上。绝缘层120形成于绝缘层110上且至少覆盖部分的导电层224。绝缘层120具有暴露出部分导电层224的开口o1’。接合垫226形成于导电层224上，且接合垫226位于绝缘层120的开口o1’中。在本实施例中，接合垫226与导电层224例如是在不同的工艺下形成。

阵列基板1c的支撑结构300形成于绝缘层120上。在本实施例中，支撑结构300与接合垫226例如是在不同的工艺下形成。在本实施例中，支撑结构300的形状包括环状，且具有开口op。接合垫226对应于支撑结构300的开口op而设置。

绝缘层130形成于绝缘层120上。至少部分的支撑结构300嵌入绝缘层130中。在本实施例中，绝缘层130暴露出支撑结构300的上表面，但本发明不以此为限。在其他实施例中，绝缘层130包覆支撑结构300的上表面。绝缘层130具有暴露出接合垫226的开口o1。

基于上述，本发明至少一实施例提供的阵列基板1c在靠近接合垫226的位置设置有支撑结构300。支撑结构300可以减轻阵列基板1c的接合区cr在制造过程中产生的变形，使接合垫226不会偏离预期的位置。因此，能大幅的提升产品的良率。

图5是依照本发明的一实施例的一种阵列基板的上视示意图。在此必须说明的是，图5的实施例沿用图1的实施例的元件标号与部分内容，其中采用相同或近似的标号来表示相同或近似的元件，并且省略了相同技术内容的说明。关于省略部分的说明可参考前述实施例，本实施例不再重复赘述。

在本实施例中，阵列基板2的接合区cr中包括支撑结构300。在本实施例中，支撑结构300对应于多个接合垫226设置。在本实施例中，支撑结构300具有多个开口op，且每个接合垫226各自位于对应的开口op中。在本实施例中，支撑结构300的上表面大致上呈现上下相连的e字形，然而本发明不以此为限。在其他实施例中，支撑结构300的上表面包括其他具有开口的几何形状。在本实施例中，相邻的两个接合垫226之间只对应到同一个支撑结构300的一部分，因此，可减少接合垫226之间的空间，进一步缩小阵列基板2的尺寸。

基于上述，本发明至少一实施例提供的阵列基板2在靠近接合垫226的位置设置有支撑结构300。支撑结构300可以减轻阵列基板2的接合区cr在制造过程中产生的变形，使接合垫226不会偏离预期的位置。因此，能大幅的提升产品的良率。

图6是依照本发明的一实施例的一种阵列基板的上视示意图。在此必须说明的是，图6的实施例沿用图5的实施例的元件标号与部分内容，其中采用相同或近似的标号来表示相同或近似的元件，并且省略了相同技术内容的说明。关于省略部分的说明可参考前述实施例，本实施例不再重复赘述。

在本实施例中，阵列基板3的接合区cr中包括多个支撑结构300a以及多个辅助支撑结构300b。每个支撑结构300a以及每个辅助支撑结构300b对应于一个接合垫226设置。在本实施例中，支撑结构300a以及辅助支撑结构300b分别靠近对应的接合垫226的两侧。在本实施例中，辅助支撑结构300b位于接合垫226与元件阵列da之间，而接合垫226位于支撑结构300a以及辅助支撑结构300b之间。在本实施例中，支撑结构300a的上表面与辅助支撑结构300b的上表面包括相同的形状，例如为圆形，但本发明不以此为限。在其他实施例中，支撑结构300a的上表面与辅助支撑结构300b的上表面包括三角形、矩形、多边形、椭圆形或其他多边几何形状。在一些实施例中，支撑结构300a的上表面与辅助支撑结构300b的上表面包括不同的形状。在本实施例中，阵列基板3包括辅助支撑结构300b，但本发明不以此为限。在其他实施例中，阵列基板3不具有辅助支撑结构300b。

基于上述，本发明至少一实施例提供的阵列基板3在靠近接合垫226的位置设置有支撑结构300a与辅助支撑结构300b。支撑结构300a与辅助支撑结构300b可以减轻阵列基板3的接合区cr在制造过程中产生的变形，使接合垫226不会偏离预期的位置。因此，能大幅的提升产品的良率。

图7是依照本发明的一实施例的一种阵列基板的上视示意图。在此必须说明的是，图7的实施例沿用图6的实施例的元件标号与部分内容，其中采用相同或近似的标号来表示相同或近似的元件，并且省略了相同技术内容的说明。关于省略部分的说明可参考前述实施例，本实施例不再重复赘述。

在本实施例中，阵列基板4的支撑结构300a靠近接合垫226远离元件阵列da的一侧，而多个辅助支撑结构300b则是位于相邻的接合垫226之间以及接合垫226与元件阵列da之间。

在本实施例中，支撑结构300a与辅助支撑结构300b共同分布于接合垫226的周围，且接合垫226的每个侧边都面对支撑结构300a或辅助支撑结构300b。在一些实施例中，相邻的支撑结构300a、相邻的辅助支撑结构300b或相邻的支撑结构300a与辅助支撑结构300b之间的间距例如是介于5微米与1000微米之间，5微米与500微米之间，5微米与250微米之间，5微米与150微米之间，或5微米与50微米之间。

基于上述，本发明至少一实施例提供的阵列基板4在靠近接合垫226的位置设置有支撑结构300a与辅助支撑结构300b。支撑结构300a与辅助支撑结构300b可以减轻阵列基板4的接合区cr在制造过程中产生的变形，使接合垫226不会偏离预期的位置。因此，能大幅的提升产品的良率。

图8是依照本发明的一实施例的一种阵列基板的剖面示意图。在此必须说明的是，图8的实施例沿用图7的实施例的元件标号与部分内容，其中采用相同或近似的标号来表示相同或近似的元件，并且省略了相同技术内容的说明。关于省略部分的说明可参考前述实施例，本实施例不再重复赘述。

在本实施例中，阵列基板5包括基底100、绝缘层110、绝缘层120、绝缘层130、绝缘层140、信号线210、传导结构220、信号线230、信号线244、发光元件ld以及支撑结构300。

在本实施例中，绝缘层110位于基底100上。在一实施例中，绝缘层110包括栅绝缘层，绝缘层110的厚度例如介于0.05微米与2微米之间，绝缘层120的材料包括氧化物或氮化物。绝缘层120位于绝缘层110上。在一实施例中，绝缘层120例如为层间介电层(interlayerdielectric，ild)，绝缘层120的厚度例如介于0.05微米与0.6微米之间，绝缘层120的材料包括氧化物与氮化物。绝缘层130位于绝缘层120上。绝缘层140位于绝缘层130上。

在一些实施例中，阵列基板5的元件阵列da位于阵列区dr中，元件阵列da例如包括多个开关元件(未绘示)，开关元件例如是薄膜晶体管，其包括栅极、半导体通道、源极以及漏极。在一些实施例中，源极与信号线230电性连接，且栅极与信号线210电性连接，信号线230例如为数据线，信号线210例如为扫描线。在一些实施例中，源极与信号线210电性连接，且栅极与信号线230或电性连接，信号线210例如为数据线，信号线230例如为扫描线。

在一实施例中，元件阵列da例如包括多个发光元件ld。发光元件ld位于绝缘层130上。在一实施例中，发光元件ld例如为有机电致发光元件，且包括电极242、显示介质l以及电极250，显示介质l位于电极242以及电极250之间，电极250位于绝缘层140上。在一实施例中，电极242以及电极250可采用金属或金属氧化物等导电材质。倘若电极242以及电极250两者皆采用透明导电材质，那么所形成的发光元件ld为双面发光元件。倘若电极242以及电极250其中之一采用透明导电材质，那么所形成的发光元件ld为底部发光型或是顶部发光型发光元件。显示介质l例如包括小分子有机发光材料或是高分子有机发光材料。另外，发光元件ld根据其驱动方式可以分成主动式有机发光元件以及被动式有机发光元件。倘若发光元件ld为主动式有机发光元件，那么电极242与主动元件阵列电性连接。倘若发光元件ld为被动式有机发光元件，那么电极242与电极250分别由条状电极图案所构成。根据较佳实施例，发光元件ld更可包括电子传输层、电子注入层、电洞传输层以及电洞注入层(未绘示)。

在一实施例中，发光元件ld的电极250借由信号线244电性连接至传导结构220。在一实施例中，信号线244与电极242属于同一膜层。

传导结构220包括导电层224以及接合垫226。导电层224系从接合区cr朝元件阵列da(元件阵列da例如包括发光元件ld)延伸，导电层224包括第一层224b以及第二层224a，第一层224b位于第二层224a与绝缘层110之间。在本实施例中，导电层224系从接合区cr朝元件阵列da延伸。举例来说，导电层224的第二层224a从接合区cr延伸进阵列区dr，并与信号线244电性连接。在一些实施例中，第二层224a可不从接合区cr延伸进阵列区dr。不位于接合区cr内(例如位于阵列区dr内)的部分第二层224a与绝缘层110的上表面具有垂直距离p2，垂直距离p2例如介于0微米与0.5微米之间。在一实施例中，导电层224的第二层224a例如形成于绝缘层120的沟渠内。因此，第二层224a的下表面会低于信号线230的下表面。在一实施例中，导电层224的第二层224a与信号线230可属于同一膜层。例如，第二层224a与信号线230均形成于绝缘层120的上表面，此时第二层224a与绝缘层110的上表面的垂直距离即为绝缘层120的厚度。

在本实施例中，信号线244与传导结构220电性连接，但本发明不以此为限。在其他实施例中，信号线210或信号线230与传导结构220电性连接。

在接合区cr中，导电层224的第二层224a电性连接至第一层224b以及接合垫226，其中第二层224a位于第一层224b以及接合垫226之间。第一层224b位于绝缘层110上。在一实施例中，第一层224b与信号线210属于同一膜层。在一实施例中，第一层224b的厚度大于信号线210的厚度。接合垫226位于接合区cr中，且至少部分位于绝缘层130的开口o1中。在一些实施例中，接合垫226的宽度可以大于、小于或等于开口o1的宽度，当接合垫226大于开口o1时，部分的接合垫226可以与绝缘层130的顶表面或绝缘层140的顶表面接触，亦即接合垫226的一部份不位于开口o1内。接合垫226借由第二层224a而与元件阵列da电性连接。阵列基板5例如是借由接合垫226与其他电子元件电性连接。在一实施例中，其他电子元件的引脚例如是借由导电胶而电性连接至阵列基板5的接合垫226。

在本实施例中，阵列基板5包括支撑垫st，支撑垫st例如可以在制造阵列基板5的期间用来支撑掩膜，支撑垫st例如可位于接合区cr中。在本实施例中，支撑垫st为多层结构，且包括绝缘层130的一部分以及绝缘层140的一部分。

在本实施例中，支撑结构300位于接合区cr中。在一实施例中，支撑结构300的宽度w1介于3微米与100微米之间。支撑结构300与接合垫226之间的水平距离h1介于5微米与1000微米之间。在本实施例中，支撑结构300至少部分嵌入绝缘层120以及绝缘层130。在本实施例中，支撑结构300包括不同材料的第一部分310a与第二部分310b。第一部分310a形成于绝缘层120以及绝缘层130中的开口o2中。在本实施例中，支撑结构300的第一部分310a共形于开口o2。支撑结构300的第二部分310b位于第一部分310a内，且第二部分310b不与绝缘层110接触。在一实施例中，支撑结构300的第一部分310a的材料包括金属氧化物。在一实施例中，第一部分310a的厚度约为50至300奈米。在一实施例中，第二部分310b包括空隙。在一实施例中，第一部分310a例如是与信号线244以及电极242属于同一膜层。因此，不需要额外的工艺来制造支撑结构300。

在本实施例中，支撑结构300与绝缘层110的上表面之间具有垂直距离p1。垂直距离p1例如介于0.05微米与1微米之间。由于支撑结构300部分嵌入绝缘层120，且支撑结构300与绝缘层110之间留有部分的绝缘层120。因此，支撑结构300可以有效的断开绝缘层120中的应力，使阵列基板5比较不容易变形。支撑结构300与绝缘层110之间留有部分的绝缘层120，因此，在后续的干或湿工艺中，基底100可被部分的绝缘层120保护。

在本实施例中，支撑结构300的上表面会被绝缘层140所覆盖，因此，其他电子元件在与阵列基板5接合时，其他电子元件的引脚不会与支撑结构300电性连接，使电子元件能正常的运作，但本发明不以此为限。在一些实施例中，支撑结构300不会被绝缘层140所覆盖，因此阵列基板5能具有较薄的厚度。

基于上述，本发明至少一实施例提供的阵列基板5在靠近接合垫226的位置设置有支撑结构300。支撑结构300可以减轻阵列基板5的接合区cr在制造过程中产生的变形，使接合垫226不会偏离预期的位置。因此，能大幅的提升产品的良率。此外，本发明至少一实施例借由设置支撑结构300来减轻阵列基板5的接合区cr在制造过程中产生的变形，可不需要调整阵列基板5中的元件阵列的材质，也可不需要调整元件阵列da中各个膜层的厚度，因此，可以在不影响阵列基板5电性的前提下解决阵列基板5变形的问题。

图9是依照本发明的一实施例的一种阵列基板的剖面示意图。在此必须说明的是，图9的实施例沿用图8的实施例的元件标号与部分内容，其中采用相同或近似的标号来表示相同或近似的元件，并且省略了相同技术内容的说明。关于省略部分的说明可参考前述实施例，本实施例不再重复赘述。

在本实施例中，阵列基板6包括基底100、绝缘层110、绝缘层120、绝缘层130、绝缘层140、信号线210、传导结构220、信号线230、信号线244、发光元件ld以及支撑结构300。

在本实施例中，传导结构220的接合垫226位于接合区cr中，且接合垫226与元件阵列da电性连接。支撑结构300与接合垫226之间的水平距离h1介于5微米与1000微米之间。

在本实施例中，支撑结构300包括不同材料的第一部分310a与第二部分310b。在一实施例中，支撑结构300的第一部分310a的材料包括金属氧化物。在一实施例中，支撑结构300的第二部分310b位于第一部分310a内，且第二部分310b不与绝缘层110接触。在一实施例中，第二部分310b的材料例如为金属、氧化硅、氧化氮、光刻胶、聚甲基丙烯酸甲酯(pmma)、六甲基二硅氧烷(hdmso)、紫外光固化型框胶或热固化型框胶。在一实施例中，第二部分310b的材料例如同于绝缘层140的材料。在一实施例中，第一部分310a与第二部分310b包括刚性材料。

基于上述，本发明至少一实施例提供的阵列基板6在靠近接合垫226的位置设置有支撑结构300。支撑结构300可以减轻阵列基板6的接合区cr在制造过程中产生的变形，使接合垫226不会偏离预期的位置。因此，能大幅的提升产品的良率。此外，本发明至少一实施例借由设置支撑结构300来减轻阵列基板6的接合区cr在制造过程中产生的变形，不需要调整阵列基板6中的元件阵列的材质，也不需要调整元件阵列中各个膜层的厚度，因此，可以在不影响阵列基板6电性的前提下解决阵列基板6变形的问题。

图10是依照本发明的一实施例的一种阵列基板的剖面示意图。在此必须说明的是，图10的实施例沿用图9的实施例的元件标号与部分内容，其中采用相同或近似的标号来表示相同或近似的元件，并且省略了相同技术内容的说明。关于省略部分的说明可参考前述实施例，本实施例不再重复赘述。

在本实施例中，阵列基板7包括基底100、绝缘层110、绝缘层120、绝缘层130、绝缘层140、信号线210、传导结构220、信号线230、信号线244、发光元件ld以及支撑结构300a以及辅助支撑结构300b。

在本实施例中，传导结构220的接合垫226位于接合区cr中，且接合垫226与元件阵列da电性连接。支撑结构300a位于接合区cr中。支撑结构300a与接合垫226之间的水平距离h1介于5微米与1000微米之间。在本实施例中，支撑结构300a为单层结构。在一实施例中，支撑结构300a的材料例如为金属、氧化硅、氧化氮、光刻胶、聚甲基丙烯酸甲酯(pmma)、六甲基二硅氧烷(hdmso)、紫外光固化型框胶、热固化型框胶。在一实施例中，支撑结构300a包括刚性材料。

辅助支撑结构300b位于接合区cr的开口o3中，开口o3例如是位于支撑垫st中。辅助支撑结构300b至少部分嵌入绝缘层130内。开口o3的下方留有部分的绝缘层130，避免降低绝缘层130保护传导结构220的能力。辅助支撑结构300b与接合垫226之间的水平距离h2介于5微米与1000微米之间。在本实施例中，支撑结构300a与辅助支撑结构300b可共同至少部分围绕接合垫226而形成u形、圆形、多边形或其他适合之图形，但本发明不限于此。在一些实施例中，可使用多个支撑结构300a与多个辅助支撑结构300b彼此间隔排列以共同形成u形、圆形、多边形或其他适合之图形。在一实施例中，辅助支撑结构300b的材料例如与支撑结构300a的材料相同。在一实施例中，支撑结构300a与辅助支撑结构300b例如是同时形成。在一实施例中，辅助支撑结构300b与支撑结构300a皆包括材料不同的第一部分以及第二部分。

在本实施例中，形成显示介质l之后才形成支撑结构300a与辅助支撑结构300b。因此，形成支撑结构300a与辅助支撑结构300b时所产生的颗粒并不会形成在显示介质l预定设置的位置，故能避免形成支撑结构300a/辅助支撑结构300b时所产生的颗粒等杂质污染显示介质l。在一实施例中，阵列基板7是可挠性基板，且形成于刚性载板上，在将阵列基板7从刚性载板取下前形成支撑结构300a与辅助支撑结构300b，避免阵列基板7在从刚性载板取下后变形。

基于上述，本发明至少一实施例提供的阵列基板7在靠近接合垫226的位置设置有支撑结构300a与辅助支撑结构300b。支撑结构300a与辅助支撑结构300b可以减轻阵列基板7的接合区cr在制造过程中产生的变形，使接合垫226不会偏离预期的位置。因此，能大幅的提升产品的良率。本发明的至少一实施例借由设置支撑结构300a与辅助支撑结构300b来减轻阵列基板7的接合区cr在制造过程中产生的变形，不需要调整阵列基板7中的元件阵列的材质，也不需要调整元件阵列中各个膜层的厚度，因此，可以在不影响阵列基板7电性的前提下解决阵列基板7变形的问题。

图11是依照本发明的一实施例的一种阵列基板的剖面示意图。在此必须说明的是，图11的实施例沿用图10的实施例的元件标号与部分内容，其中采用相同或近似的标号来表示相同或近似的元件，并且省略了相同技术内容的说明。关于省略部分的说明可参考前述实施例，本实施例不再重复赘述。

在本实施例中，阵列基板8包括基底100、绝缘层110、绝缘层120、绝缘层130、绝缘层140、保护层150、信号线210、传导结构220、信号线230、信号线244、发光元件ld以及支撑结构300a以及辅助支撑结构300b。

在本实施例中，形成发光元件ld之后，于发光元件ld上形成保护层150。保护层150例如暴露出阵列基板8的接合区cr。

在本实施例中，传导结构220的接合垫226位于接合区cr中，且接合垫226与元件阵列da电性连接。支撑结构300a位于接合区cr中。支撑结构300a与接合垫226之间的水平距离h1介于5微米与1000微米之间。在一实施例中，支撑结构300a的材料例如为金属、氧化硅、氧化氮、光刻胶、聚甲基丙烯酸甲酯(pmma)、六甲基二硅氧烷(hdmso)、紫外光固化型框胶或热固化型框胶。在一实施例中，支撑结构300a包括刚性材料。

辅助支撑结构300b位于接合区cr的开口o3中，开口o3例如是位于支撑垫st中。在本实施例中，支撑垫st为单层结构，且包含绝缘层130的一部分。在本实施例中，辅助支撑结构300b至少部分嵌入绝缘层130内。开口o3的下方留有部分的绝缘层130，避免降低绝缘层130保护传导结构220的能力。辅助支撑结构300b与接合垫226之间的水平距离h2介于5微米与1000微米之间。在本实施例中，支撑结构300a与辅助支撑结构300b可共同至少部分围绕接合垫226而形成u形、圆形、多边形或其他适合的图形，但本发明不限于此，可使用多个支撑结构300a与多个辅助支撑结构300b彼此间隔排列以共同形成u形、圆形、多边形或其他适合的图形。在一实施例中，辅助支撑结构300b的材料例如与支撑结构300a的材料相同。在一实施例中，支撑结构300a与辅助支撑结构300b例如是同时形成。在一实施例中，辅助支撑结构300b与支撑结构300a皆包括材料不同的第一部分以及第二部分。

在本实施例中，支撑结构300a与辅助支撑结构300b并未被绝缘层140所覆盖，支撑结构300a与辅助支撑结构300b可以与保护层150同时形成并可与保护层150使用相同的材料。

在阵列区dr中，保护层150可覆盖绝缘层140的侧表面的至少一部份并嵌入绝缘层130，但本发明不局限于此。

基于上述，本发明至少一实施例提供的阵列基板8在靠近接合垫226的位置设置有支撑结构300a与辅助支撑结构300b。支撑结构300a与辅助支撑结构300b可以减轻阵列基板8的接合区cr在制造过程中产生的变形，使接合垫226不会偏离预期的位置。因此，能大幅的提升产品的良率。此外，本发明至少一实施例借由设置支撑结构300a与辅助支撑结构300b来减轻阵列基板8的接合区cr在制造过程中产生的变形，不需要调整阵列基板8中的元件阵列的材质，也不需要调整元件阵列中各个膜层的厚度，因此，可以在不影响阵列基板8电性的前提下解决阵列基板8变形的问题。

图12是依照本发明的一实施例的一种阵列基板的剖面示意图。在此必须说明的是，图12的实施例沿用图9的实施例的元件标号与部分内容，其中采用相同或近似的标号来表示相同或近似的元件，并且省略了相同技术内容的说明。关于省略部分的说明可参考前述实施例，本实施例不再重复赘述。

在本实施例中，阵列基板9包括基底100、绝缘层110、绝缘层120、绝缘层130、绝缘层140、信号线210、传导结构220、信号线230、信号线244、发光元件ld以及支撑结构300。

在本实施例中，传导结构220的接合垫226位于接合区cr中，且接合垫226与元件阵列da电性连接。支撑结构300与接合垫226之间的水平距离h1介于5微米与1000微米之间。

在本实施例中，支撑结构300包括不同材料的第一部分310a与第二部分310b。在本实施例中，支撑结构300的第一部分310a嵌入于绝缘层120以及绝缘层130中，且并未嵌入绝缘层140。在本实施例中，支撑结构300的第二部分310b嵌入绝缘层120、绝缘层130以及绝缘层140中。

在一实施例中，形成绝缘层130之后，于绝缘层120以及绝缘层130中形成开口o2，接着形成第一部分310a于开口o2内并可与开口o2的内表面共形。形成支撑结构300的第一部分310a以后，于第一部分310a上形成绝缘层140，接着于绝缘层140上形成对应于开口o2的开口o4，再于开口o4中填入支撑结构300的第二部分310b。支撑结构300的第二部分310b的上表面例如与绝缘层140的上表面齐平。在其他实施例中，形成绝缘层130于绝缘层120上后，于绝缘层120以及绝缘层130中形成开口o2，之后，形成第一部分材料层填满开口o2，接下来形成绝缘层140于其上并形成开口o4至少贯穿绝缘层140以及不贯穿位于开口o2内的第一部分材料层的一部分以形成第一部分310a，然后再于开口o4中填入支撑结构300的第二部分310b。

在本实施例中，形成显示介质l之后才形成支撑结构300的第二部分310b，因此能避免形成二部分310b时所产生的颗粒等杂质污染显示介质l。

基于上述，本发明至少一实施例提供的阵列基板9在靠近接合垫226的位置设置有支撑结构300。支撑结构300可以减轻阵列基板9的接合区cr在制造过程中产生的变形，使接合垫226不会偏离预期的位置。因此，能大幅的提升产品的良率。此外，本发明至少一实施例借由设置支撑结构300来减轻阵列基板9的接合区cr在制造过程中产生的变形，不需要调整阵列基板9中的元件阵列的材质，也不需要调整元件阵列中各个膜层的厚度，因此，可以在不影响阵列基板9电性的前提下解决阵列基板9变形的问题。

图13是依照本发明的一实施例的一种阵列基板的剖面示意图。在此必须说明的是，图13的实施例沿用图9的实施例的元件标号与部分内容，其中采用相同或近似的标号来表示相同或近似的元件，并且省略了相同技术内容的说明。关于省略部分的说明可参考前述实施例，本实施例不再重复赘述。

在本实施例中，阵列基板10包括基底100、绝缘层110、绝缘层120、绝缘层130、绝缘层140、信号线210、传导结构220、信号线230、信号线244、发光元件ld以及支撑结构300。

在本实施例中，传导结构220的接合垫226位于接合区cr中，且接合垫226与元件阵列da电性连接。支撑结构300与接合垫226之间的水平距离h1介于5微米与1000微米之间。

在本实施例中支撑结构300位于绝缘层110与绝缘层130之间。在一实施例中，支撑结构300、信号线230以及导电层224的第二层224a属于同一膜层，且支撑结构300的材料包括金属。在本实施例中，支撑结构300嵌入绝缘层120。

在一实施例中，信号线230位于绝缘层120的上表面，且信号线230与绝缘层110之间的垂直距离p0约等于绝缘层120的厚度。在一实施例中，导电层224的第二层224a与支撑结构300都形成于绝缘层120的沟渠内，因此，第二层224a与支撑结构300的下表面会低于信号线230的下表面。在一实施例中，第二层224a与绝缘层110的上表面具有垂直距离p2，垂直距离p2例如介于0微米与0.6微米之间。在一实施例中，支撑结构300与绝缘层110的上表面具有垂直距离p1，垂直距离p1例如介于0微米与0.6微米之间。在一些实施例中，垂直距离间的关系可以为p0>p2>p1。

基于上述，本发明至少一实施例提供的阵列基板10在靠近接合垫226的位置设置有支撑结构300。支撑结构300可以减轻阵列基板10的接合区cr在制造过程中产生的变形，使接合垫226不会偏离预期的位置。因此，能大幅的提升产品的良率。此外，本发明至少一实施例借由设置支撑结构300来减轻阵列基板10的接合区cr在制造过程中产生的变形，不需要调整阵列基板10中的元件阵列的材质，也不需要调整元件阵列中各个膜层的厚度，因此，可以在不影响阵列基板10电性的前提下解决阵列基板10变形的问题。

图14是依照本发明的一实施例的一种阵列基板的剖面示意图。在此必须说明的是，图14的实施例沿用图13的实施例的元件标号与部分内容，其中采用相同或近似的标号来表示相同或近似的元件，并且省略了相同技术内容的说明。关于省略部分的说明可参考前述实施例，本实施例不再重复赘述。

在本实施例中，阵列基板11包括基底100、绝缘层110、绝缘层120、绝缘层130、绝缘层140、信号线210、传导结构220、信号线230、信号线244、发光元件ld以及支撑结构300。

在本实施例中，传导结构220的接合垫226位于接合区cr中，且接合垫226与元件阵列da电性连接。支撑结构300与接合垫226之间的水平距离h1介于5微米与1000微米之间。

在本实施例中，支撑结构300嵌入绝缘层120与绝缘层130。在本实施例中，支撑结构300的厚度a1介于0.05微米与0.6微米之间。信号线230的厚度a2介于0.05微米与0.6微米之间。在本实施例中，支撑结构300的厚度a1大于信号线230的厚度a2。在一实施例中，支撑结构300的底表面低于信号线230的底表面，且支撑结构300的顶表面高于信号线230的顶表面。在一实施例中，支撑结构300的底表面低于导电层224的第二层224a的底表面，且支撑结构300的顶表面高于第二层224a的顶表面。

基于上述，本发明至少一实施例提供的阵列基板11在靠近接合垫226的位置设置有支撑结构300。支撑结构300可以减轻阵列基板11的接合区cr在制造过程中产生的变形，使接合垫226不会偏离预期的位置。因此，能大幅的提升产品的良率。此外，本发明至少一实施例借由设置支撑结构300来减轻阵列基板11的接合区cr在制造过程中产生的变形，不需要调整阵列基板11中的元件阵列的材质，也不需要调整元件阵列中各个膜层的厚度，因此，可以在不影响阵列基板11电性的前提下解决阵列基板11变形的问题。

图15是依照本发明的一实施例的一种阵列基板的剖面示意图。在此必须说明的是，图15的实施例沿用图14的实施例的元件标号与部分内容，其中采用相同或近似的标号来表示相同或近似的元件，并且省略了相同技术内容的说明。关于省略部分的说明可参考前述实施例，本实施例不再重复赘述。

在本实施例中，阵列基板12包括基底100、绝缘层110、绝缘层120、绝缘层130、绝缘层140、信号线210、传导结构220、信号线230、信号线244、发光元件ld以及支撑结构300。

在本实施例中，传导结构220的接合垫226位于接合区cr中，且接合垫226与元件阵列da电性连接。支撑结构300与接合垫226之间的水平距离h1介于5微米与1000微米之间。

在本实施例中支撑结构300位于基底100与绝缘层130之间。在本实施例中，支撑结构300嵌入绝缘层110以及绝缘层120。在一实施例中，信号线210、导电层224的第一层224b以及支撑结构300属于同一膜层，且支撑结构300的材料包括金属。支撑结构300的厚度t1介于0.05微米与0.6微米之间。信号线210的厚度t2介于0.05微米与0.6微米之间。在本实施例中，支撑结构300的厚度t1大于信号线210的厚度t2。

在一实施例中，信号线210位于绝缘层110的上表面，且信号线210与基底100之间的垂直距离p约等于绝缘层110的厚度。在一实施例中，传导结构220的第一层224b与支撑结构300都形成于绝缘层110的沟渠内或是嵌入绝缘层110内，因此，第一层224b与支撑结构300的下表面会低于信号线210的下表面。在一实施例中，导电层224位于接合区cr内的第一层224b系嵌入绝缘层110以及绝缘层120，且与基底100的上表面具有垂直距离p3，垂直距离p3例如介于0微米与1微米之间。在一实施例中，支撑结构300与基底100的上表面具有垂直距离p4，垂直距离p4例如介于0微米与1微米之间。由于支撑结构300有部分嵌入绝缘层110，且支撑结构300与基底100之间留有部分的绝缘层110，因此，支撑结构300可以有效的断开绝缘层110中的应力，使阵列基板12比较不容易变形。

基于上述，本发明至少一实施例提供的阵列基板12在靠近接合垫226的位置设置有支撑结构300。支撑结构300可以减轻阵列基板12的接合区cr在制造过程中产生的变形，使接合垫226不会偏离预期的位置。因此，能大幅的提升产品的良率。此外，本发明至少一实施例借由设置支撑结构300来减轻阵列基板12的接合区cr在制造过程中产生的变形，不需要调整阵列基板12中的元件阵列的材质，也不需要调整元件阵列中各个膜层的厚度，因此，可以在不影响阵列基板12电性的前提下解决阵列基板12变形的问题。

图16是依照本发明的一实施例的一种阵列基板的剖面示意图。在此必须说明的是，图16的实施例沿用图15的实施例的元件标号与部分内容，其中采用相同或近似的标号来表示相同或近似的元件，并且省略了相同技术内容的说明。关于省略部分的说明可参考前述实施例，本实施例不再重复赘述。

在本实施例中，阵列基板13包括基底100、绝缘层110、绝缘层120、绝缘层130、绝缘层140、信号线210、传导结构220、信号线230、信号线244、发光元件ld以及支撑结构300。

在本实施例中，传导结构220的接合垫226位于接合区cr中，且接合垫226与元件阵列da电性连接。支撑结构300与接合垫226之间的水平距离h1介于5微米与1000微米之间。

在本实施例中，支撑结构300位于基底100与绝缘层130之间。在本实施例中，支撑结构300嵌入绝缘层110以及绝缘层120。在一实施例中，信号线210、导电层224的第一层224b以及支撑结构300属于同一膜层，且支撑结构300的材料包括金属。

在本实施例中，支撑结构300包括嵌入绝缘层120的主体部312a以及从主体部312a朝绝缘层110延伸的多个指叉部312b。指叉部312b嵌入绝缘层110。在一实施例中，指叉部312b例如与部分的绝缘层110交替排列。在本实施例中，借由指叉部312b的设置来提高支撑结构300与绝缘层110之间的接触面积，藉此固定支撑结构300与绝缘层110的相对位置，进一步避免阵列基板13变形。

基于上述，本发明至少一实施例提供的阵列基板13在靠近接合垫226的位置设置有支撑结构300。支撑结构300可以减轻阵列基板13的接合区cr在制造过程中产生的变形，使接合垫226不会偏离预期的位置。因此，能大幅的提升产品的良率。此外，本发明至少一实施例借由设置支撑结构300来减轻阵列基板13的接合区cr在制造过程中产生的变形，不需要调整阵列基板13中的元件阵列的材质，也不需要调整元件阵列中各个膜层的厚度，因此，可以在不影响阵列基板13电性的前提下解决阵列基板13变形的问题。

图17a～图17c是依照本发明的一实施例的一种支撑结构与信号线的制造流程的剖面示意图。在此必须说明的是，图17a～图17c的实施例沿用图15的实施例的元件标号与部分内容，其中采用相同或近似的标号来表示相同或近似的元件，并且省略了相同技术内容的说明。关于省略部分的说明可参考前述实施例，本实施例不再重复赘述。

请参考图17a，在本实施例中，于绝缘层110形成沟渠h之后，在绝缘层110上形成导电材料层m1，导电材料层m1覆盖绝缘层110且部分导电材料层m1填入沟渠h中。虽然在本实施例中，导电材料层m1的上表面为平整的表面，但本发明不以此为限。在一些实施例中，导电材料层m1的部分上表面于沟渠h处会内凹，使沟渠h内的导电材料层m1的上表面低于沟渠h外的导电材料层m1的上表面。

在一些实施例中，导电材料层m1可以包括单层结构或多层结构，例如包括钛、铝、钼、铜、金、银或其他导电材料或上述导电材料所组合成的单层结构或多层结构。

于导电材料层m1上提供光刻胶om1，光刻胶om1具有多个开口，在阵列区dr中的开口例如对应于欲形成信号线210以外的位置，在接合区cr中的开口例如对应于欲形成支撑结构300以外的位置。接着蚀刻导电材料层m1，以将光刻胶om1的图案转移至导电材料层m1上。

请参考图17b，光刻胶om1的图案转移至导电材料层m1上，以形成导电材料层m1’。在阵列区dr中的导电材料层m1’例如对应欲形成信号线210的位置，在接合区cr中的导电材料层m1’例如对应欲形成支撑结构300的位置。接着于导电材料层m1’上提供光刻胶om2以及光刻胶om3，光刻胶om2对应欲形成支撑结构300的位置的厚度k1大于光刻胶om3对应欲形成信号线210的位置的厚度k2。接着蚀刻导电材料层m1’，以转移光刻胶om2以及光刻胶om3的图案。

请参考图17c，在本实施例中，由于厚度k1大于厚度k2，因此，对应于光刻胶om2的支撑结构300的上表面会高于对应于光刻胶om3的信号线210的上表面。此外，由于支撑结构300是形成于绝缘层110的沟渠h中，因此，对应于沟渠h的支撑结构300的下表面会低于信号线210的下表面。

虽然图17a～图17c中的支撑结构300是形成于绝缘层110上，且与信号线210属于同一膜层，但本发明不以此为限。在一些实施例中(例如图13和图14的实施例)，支撑结构300是形成于绝缘层120上，且与信号线230属于同一膜层。

基于上述，本发明至少一实施例中，支撑结构300与信号线210是同时形成的，不需要额外的工艺来形成支撑结构300。另外，由于支撑结构300可以有较厚的厚度，因此，支撑结构300可以较佳的断开绝缘层中的应力，使阵列基板比较不容易变形。因此，能大幅的提升产品的良率。此外，本发明至少一实施例借由设置支撑结构300来减轻阵列基板的接合区cr在制造过程中产生的变形，不需要调整阵列基板中的元件阵列的材质，也不需要调整元件阵列中各个膜层的厚度，因此，可以在不影响阵列基板电性的前提下解决阵列基板变形的问题。

图18a～图18c是依照本发明的一实施例的一种支撑结构、辅助支撑结构与信号线的制造流程的剖面示意图。在此必须说明的是，图18a～图18c的实施例沿用图17a～图17c的实施例的元件标号与部分内容，其中采用相同或近似的标号来表示相同或近似的元件，并且省略了相同技术内容的说明。关于省略部分的说明可参考前述实施例，本实施例不再重复赘述。

在本实施例中，可以在形成支撑结构300a的同时，形成其他两种厚度不同于支撑结构300a的信号线210及/或辅助支撑结构300b。

请参考图18a，在本实施例中，于绝缘层110中形成沟渠h之后，在绝缘层110上形成导电材料层m1，导电材料层m1覆盖绝缘层110且部分导电材料层m1填入沟渠h中。在本实施例中，导电材料层m1的部分上表面于沟渠h处会内凹，使位于沟渠h内的部分导电材料层m1的上表面低于位于沟渠h外的导电材料层m1的上表面，但本发明不以此为限。在一些实施例中，导电材料层m1的上表面为平整的表面。

在本实施例中，导电材料层m1包括多层结构，例如包括第一导电层m1a与第二导电层m1b。在一些实施例中，第一导电层m1a的材料不同于第二导电层m1b的材料。在一些实施例中，第一导电层m1a的材料例如包括钛、钼或其他导电材料，第二导电层m1b的材料例如包括铝或其他导电材料。

于导电材料层m1上提供光刻胶om1以及光刻胶om4。光刻胶om1以及光刻胶om4例如是借由半调式掩膜(half-tonemask)或其他类似的工艺所一起定义出来的。在一些实施例中，光刻胶om4的厚度小于光刻胶om1的厚度。在本实施例中，光刻胶om4形成于阵列区dr，而光刻胶om1形成于接合区cr，但本发明不以此为限，光刻胶om4形成于接合区cr，而光刻胶om1形成于阵列区dr，也可以是接合区cr与阵列区dr都同时具有光刻胶om1以及光刻胶om4。

om1以及光刻胶om4具有多个开口，在阵列区dr中的开口例如对应于欲形成信号线210以外的位置，在接合区cr中的开口例如对应于欲形成支撑结构300a及辅助支撑结构300b以外的位置。接着蚀刻导电材料层m1，以将光刻胶om1以及光刻胶om4的图案转移至导电材料层m1上。

请参考图18b，光刻胶om1以及光刻胶om4的图案转移至导电材料层m1上，以形成导电材料层m1’，导电材料层m1’例如包括第一导电层m1a’与第二导电层m1b’。在阵列区dr中的导电材料层m1’例如对应欲形成信号线210的位置，在接合区cr中的导电材料层m1’例如对应欲形成支撑结构300a与辅助支撑结构300b的位置。

利用灰化工艺或蚀刻工艺移除光刻胶om4以及部分的光刻胶om1，灰化工艺例如是利用氧电浆移除光刻胶om4以及部分的光刻胶om1。由于光刻胶om4的厚度小于光刻胶om1的厚度，在光刻胶om4都被移除了以后，光刻胶om1仍会有部分残留。接着以残留下来的光刻胶om1’(图18b)为罩幕，继续蚀刻导电材料层m1’。

请参考图18b及图18c，导电材料层m1’未被光刻胶om1’所屏蔽的部分形成信号线210的第一层210a与第二层210b。导电材料层m1’被光刻胶om1’所屏蔽的部分则形成支撑结构300a的第一层300aa与第二层300ab以及辅助支撑结构300b的第一层300ba与第二层300bb。由于信号线210的第二层210b未被光刻胶om1’所屏蔽，因此信号线210的第二层210b的厚度会小于支撑结构300a的第二层300ab的厚度及/或辅助支撑结构300b的第二层300bb的厚度。

利用灰化工艺或蚀刻工艺移除残留下来的光刻胶om1’之后，如图18c，于信号线210的第二层210b、支撑结构300a的第二层300ab以及辅助支撑结构300b的第二层300bb上形成信号线210的第三层210c、支撑结构300a的第三层300ac以及辅助支撑结构300b的第三层300bc，以完成本实施例中的信号线210、支撑结构300a以及辅助支撑结构300b。信号线210的第三层210c、支撑结构300a的第三层300ac以及辅助支撑结构300b的第三层300bc属于同一膜层。形成第三层210c/300ac/300bc的方法例如包括先沉积一层导电材料(未绘示)，接着在图案化该层导电材料。在一些实施例中，第三层210c/300ac/300bc的材料与第一层210a/300aa/300ba的材料相同。

虽然在本实施例中，移除残留下来的光刻胶om1’之后还会形成第三层210c/300ac/300bc，但本发明不以此为限。在一些实施例中，移除残留下来的光刻胶om1’之后不会形成第三层210c/300ac/300bc。

在本实施例中，由于辅助支撑结构300b是形成于绝缘层110的沟渠h中，因此，对应于沟渠h的辅助支撑结构300b的下表面会低于支撑结构300a与信号线210的下表面，然而本发明不以此为限。在其他实施例中，支撑结构300a形成于沟渠h中，且支撑结构300a的厚度大于辅助支撑结构300b的厚度。

虽然图18a～图18c中的支撑结构300a与辅助支撑结构300b是形成于绝缘层110上，且与信号线210属于同一膜层，但本发明不以此为限。在一些实施例中，支撑结构300a与辅助支撑结构300b是形成于绝缘层120上，且与信号线230属于同一膜层。

基于上述，本发明至少一实施例中，支撑结构300a、辅助支撑结构300b与信号线210是同时形成的，不需要额外的工艺来形成支撑结构300a与辅助支撑结构300b。另外，由于支撑结构300a与辅助支撑结构300b可以有较厚的厚度，因此，支撑结构300a与辅助支撑结构300b可以较佳的断开绝缘层中的应力，使阵列基板比较不容易变形。因此，能大幅的提升产品的良率。此外，本发明至少一实施例借由设置支撑结构300a与辅助支撑结构300b来减轻阵列基板的接合区cr在制造过程中产生的变形，不需要调整阵列基板中的元件阵列的材质，也不需要调整元件阵列中各个膜层的厚度，因此，可以在不影响阵列基板电性的前提下解决阵列基板变形的问题。

图19是依照本发明的一实施例的一种阵列基板的剖面示意图。在此必须说明的是，图19的实施例沿用图8的实施例的元件标号与部分内容，其中采用相同或近似的标号来表示相同或近似的元件，并且省略了相同技术内容的说明。关于省略部分的说明可参考前述实施例，本实施例不再重复赘述。

在本实施例中，阵列基板15包括基底100、绝缘层110、绝缘层120、绝缘层130、绝缘层140、信号线210、传导结构220、信号线230、信号线244、发光元件ld以及支撑结构400。

在本实施例中，传导结构220的接合垫226位于接合区cr中，且接合垫226与元件阵列da电性连接。支撑结构400与接合垫226之间的水平距离h1介于5微米与1000微米之间。

在本实施例中，支撑结构400包括第一部分410、第二部分420以及第三部分430。在本实施例中，支撑结构400的第一部分410包括外层410a以及内层410b。第一部分410的外层410a的材料包括金属氧化物。在本实施例中，第一部分410的内层410b位于外层410a内，且内层410b不与绝缘层110接触。在本实施例中，第一部分410的内层410b包括空隙。

第二部分420位于绝缘层110与第一部分410之间。在一实施例中，支撑结构400的第二部分420、信号线230以及导电层224的第二层224a属于同一膜层，且第二部分420的材料包括金属。支撑结构400的第二部分420与绝缘层110的上表面之间具有垂直距离p1。垂直距离p1例如介于0微米与1微米之间。

第三部分430位于第二部分420与第一部分410之间并与外层410a和第二部分420连接。在一实施例中，第三部分430的材料与绝缘层130的材料相同。在本实施例中，支撑结构400的第三部分430与绝缘层130连成一体，也可以说绝缘层130将支撑结构400的第一部分410与第二部分420分开。在一实施例中，支撑结构400的第一部分410与第二部分420皆为刚性材料，且第一部分410与第二部分420之间的第三部分430能作为应力缓冲层。虽然在本实施例中，支撑结构400包括位于第一部分410与第二部分420之间的第三部分430，但本发明不以此为限。在其他实施例中，支撑结构400不包括第三部分430，且第一部分410与第二部分420直接接触。

基于上述，本发明至少一实施例提供的阵列基板15在靠近接合垫226的位置设置有支撑结构400。支撑结构400可以减轻阵列基板15的接合区cr在制造过程中产生的变形，使接合垫226不会偏离预期的位置。因此，能大幅的提升产品的良率。此外，本发明至少一实施例借由设置支撑结构400来减轻阵列基板15的接合区cr在制造过程中产生的变形，不需要调整阵列基板15中的元件阵列的材质，也不需要调整元件阵列中各个膜层的厚度，因此，可以在不影响阵列基板15电性的前提下解决阵列基板15变形的问题。

图20是依照本发明的一实施例的一种阵列基板的剖面示意图。在此必须说明的是，图20的实施例沿用图19的实施例的元件标号与部分内容，其中采用相同或近似的标号来表示相同或近似的元件，并且省略了相同技术内容的说明。关于省略部分的说明可参考前述实施例，本实施例不再重复赘述。

在本实施例中，阵列基板16包括基底100、绝缘层110、绝缘层120、绝缘层130、绝缘层140、信号线210、传导结构220、信号线230、信号线244、发光元件ld以及支撑结构400。

在本实施例中，传导结构220的接合垫226位于接合区cr中，且接合垫226与元件阵列da电性连接。支撑结构400与接合垫226之间的水平距离h1介于5微米与1000微米之间。

在本实施例中，支撑结构400包括第一部分410、第二部分420以及第三部分430。在本实施例中，支撑结构400的第一部分410包括外层410a以及内层410b。第一部分410的外层410a的材料包括金属氧化物。在本实施例中，内层410b的材料例如为金属、氧化硅、氧化氮、光刻胶、聚甲基丙烯酸甲酯(pmma)、六甲基二硅氧烷(hdmso)、紫外光固化型框胶或热固化型框胶。在一实施例中，内层410b例如包括绝缘层140的材料。在一实施例中，第一部分410的外层410a与内层410b包括刚性材料。

第三部分430位于第二部分420与第一部分410之间。在一实施例中，第三部分430的材料与绝缘层130的材料相同。在本实施例中，支撑结构400的第三部分430与绝缘层130连成一体，也可以说绝缘层130将支撑结构400的第一部分410与第二部分420分开。在一实施例中，支撑结构400的第一部分410与第二部分420皆为刚性材料，且第一部分410与第二部分420之间的第三部分430能作为应力缓冲层。虽然在本实施例中，支撑结构400包括位于第一部分410与第二部分420之间的第三部分430，但本发明不以此为限。在其他实施例中，支撑结构400不包括第三部分430，且第一部分410与第二部分420直接接触。

第二部分420位于绝缘层110与第一部分410之间。在一实施例中，支撑结构400的第二部分420、信号线230以及导电层224的第二层224a属于同一膜层，且第二部分420的材料包括金属。支撑结构400的第二部分420与绝缘层110的上表面之间具有垂直距离p1。垂直距离p1例如介于0微米与1微米之间。

基于上述，本发明至少一实施例提供的阵列基板16在靠近接合垫226的位置设置有支撑结构400。支撑结构400可以减轻阵列基板16的接合区cr在制造过程中产生的变形，使接合垫226不会偏离预期的位置。因此，能大幅的提升产品的良率。此外，本发明至少一实施例借由设置支撑结构400来减轻阵列基板16的接合区cr在制造过程中产生的变形，不需要调整阵列基板16中的元件阵列的材质，也不需要调整元件阵列中各个膜层的厚度，因此，可以在不影响阵列基板16电性的前提下解决阵列基板16变形的问题。

图21是依照本发明的一实施例的一种阵列基板的剖面示意图。在此必须说明的是，图21的实施例沿用图11及图20的实施例的元件标号与部分内容，其中采用相同或近似的标号来表示相同或近似的元件，并且省略了相同技术内容的说明。关于省略部分的说明可参考前述实施例，本实施例不再重复赘述。

在本实施例中，阵列基板17包括基底100、绝缘层110、绝缘层120、绝缘层130、绝缘层140、保护层150、信号线210、传导结构220、信号线230、信号线244、发光元件ld、支撑结构400a以及辅助支撑结构400b。

在本实施例中，形成发光元件ld之后，于发光元件上形成保护层150。保护层150例如暴露出阵列基板17的接合区cr。

在本实施例中，传导结构220的接合垫226位于接合区cr中，且接合垫226与元件阵列da电性连接。支撑结构400a位于接合区cr中。支撑结构400a与接合垫226之间的水平距离h1介于5微米与1000微米之间。

在一实施例中，支撑结构400a包括第一部分410、第二部分420以及第三部分430。在本实施例中，支撑结构400a的第一部分410的材料例如为金属、氧化硅、氧化氮、光刻胶、聚甲基丙烯酸甲酯(pmma)、六甲基二硅氧烷(hdmso)、紫外光固化型框胶或热固化型框胶。在一实施例中，第一部分410包括刚性材料。

在本实施例中，第二部分420位于绝缘层110与第一部分410之间。在一实施例中，支撑结构400a的第二部分420、信号线230以及导电层224的第二层224a属于同一膜层，且第二部分420的材料包括金属。支撑结构400a的第二部分420与绝缘层110的上表面之间具有垂直距离p1。垂直距离p1例如介于0微米与1微米之间。

第三部分430位于第二部分420与第一部分410之间。在一实施例中，第三部分430的材料与绝缘层130的材料相同。在本实施例中，支撑结构400a的第三部分430与绝缘层130连成一体，也可以说绝缘层130将支撑结构400a的第一部分410与第二部分420分开。在一实施例中，支撑结构400a的第一部分410与第二部分420皆为刚性材料，且第一部分410与第二部分420之间的第三部分430能作为应力缓冲层。虽然在本实施例中，支撑结构400a包括位于第一部分410与第二部分420之间的第三部分430，但本发明不以此为限。在其他实施例中，支撑结构400a不包括第三部分430，且第一部分410与第二部分420直接接触。在本实施例中，第一部分410可与保护层150同时形成且具有相同的材料，但本发明不以此为限。

辅助支撑结构400b位于接合区cr的开口o3中，开口o3例如是位于支撑垫st中。在本实施例中，支撑垫st为单层结构，且为绝缘层130的一部分。辅助支撑结构400b至少部分嵌入绝缘层130内。开口o3的下方留有部分的绝缘层130，避免降低绝缘层130保护传导结构220的能力。辅助支撑结构400b与接合垫226之间的水平距离h2介于5微米与1000微米之间。在一实施例中，辅助支撑结构400b的材料例如与支撑结构400a的第一部分410的材料相同。在一实施例中，支撑结构400a的第一部分410与辅助支撑结构400b例如是同时形成。在一实施例中，支撑结构400a的第一部分410、辅助支撑结构400b与保护层150例如是同时形成。

在本实施例中，支撑结构400a的第一部分410与辅助支撑结构400b并未被绝缘层140所覆盖。因此，支撑结构400a的第一部分410与辅助支撑结构400b例如可以与保护层150同时形成。

基于上述，本发明至少一实施例提供的阵列基板17在靠近接合垫226的位置设置有支撑结构400a与辅助支撑结构400b。支撑结构400a与辅助支撑结构400b可以减轻阵列基板12的接合区cr在制造过程中产生的变形，使接合垫226不会偏离预期的位置。因此，能大幅的提升产品的良率。此外，本发明至少一实施例借由设置支撑结构400a与辅助支撑结构400b来减轻阵列基板17的接合区cr在制造过程中产生的变形，不需要调整阵列基板17中的元件阵列的材质，也不需要调整元件阵列中各个膜层的厚度，因此，可以在不影响阵列基板17电性的前提下解决阵列基板17变形的问题。

图22是依照本发明的一实施例的一种阵列基板的剖面示意图。在此必须说明的是，图22的实施例沿用图19的实施例的元件标号与部分内容，其中采用相同或近似的标号来表示相同或近似的元件，并且省略了相同技术内容的说明。关于省略部分的说明可参考前述实施例，本实施例不再重复赘述。

在本实施例中，阵列基板18包括基底100、绝缘层110、绝缘层120、绝缘层130、绝缘层140、信号线210、传导结构220、信号线230、信号线244、发光元件ld以及支撑结构400。

在本实施例中，传导结构220的接合垫226位于接合区cr中，且接合垫226与元件阵列da电性连接。支撑结构400与接合垫226之间的水平距离h1介于5微米与1000微米之间。

在本实施例中，支撑结构400包括第一部分410以及第二部分420。在本实施例中，支撑结构400的第一部分410包括外层410a以及内层410b。在一实施例中，第一部分410的外层410a的材料包括金属氧化物。在本实施例中，第一部分410的内层410b位于外层410a内，且内层410b不与绝缘层110接触。在本实施例中，第一部分410的内层410b包括空隙。

第二部分420位于绝缘层110与第一部分410之间。在一实施例中，支撑结构400的第二部分420、信号线230以及导电层224的第二层224a属于同一膜层，且第二部分420的材料包括金属。支撑结构400的第二部分420与绝缘层110的上表面之间具有垂直距离p1。垂直距离p1例如介于0微米至1微米之间。在本实施例中，支撑结构400的第一部分410与第二部分420直接接触。

基于上述，本发明至少一实施例提供的阵列基板18在靠近接合垫226的位置设置有支撑结构400。支撑结构400可以减轻阵列基板18的接合区cr在制造过程中产生的变形，使接合垫226不会偏离预期的位置。因此，能大幅的提升产品的良率。此外，本发明至少一实施例借由设置支撑结构400来减轻阵列基板18的接合区cr在制造过程中产生的变形，不需要调整阵列基板18中的元件阵列的材质，也不需要调整元件阵列中各个膜层的厚度，因此，可以在不影响阵列基板18电性的前提下解决阵列基板18变形的问题。

图23是依照本发明的一实施例的一种阵列基板的剖面示意图。在此必须说明的是，图23的实施例沿用图20的实施例的元件标号与部分内容，其中采用相同或近似的标号来表示相同或近似的元件，并且省略了相同技术内容的说明。关于省略部分的说明可参考前述实施例，本实施例不再重复赘述。

在本实施例中，阵列基板19包括基底100、绝缘层110、绝缘层120、绝缘层130、绝缘层140、信号线210、传导结构220、信号线230、信号线244、发光元件ld以及支撑结构400。

在本实施例中，传导结构220的接合垫226位于接合区cr中，且接合垫226与元件阵列da电性连接。支撑结构400与接合垫226之间的水平距离h1介于5微米与1000微米之间。

在本实施例中，支撑结构400包括第一部分410以及第二部分420。在本实施例中，支撑结构400的第一部分410包括外层410a以及内层410b。在一实施例中，第一部分410的外层410a的材料包括金属氧化物。在本实施例中，内层410b的材料例如为金属、氧化硅、氧化氮、光刻胶、聚甲基丙烯酸甲酯(pmma)、六甲基二硅氧烷(hdmso)、紫外光固化型框胶或热固化型框胶。在一实施例中，内层410b例如包括绝缘层140的材料。在一实施例中，第一部分410的外层410a与内层410b包括刚性材料。

第二部分420位于绝缘层110与第一部分410之间。在一实施例中，支撑结构400的第二部分420、信号线230以及导电层224的第二层224a属于同一膜层，且第二部分420的材料包括金属。支撑结构400的第二部分420与绝缘层110的上表面之间具有垂直距离p1。垂直距离p1例如介于0微米与1微米之间。在本实施例中，支撑结构400的第一部分410与第二部分420直接接触。

基于上述，本发明至少一实施例提供的阵列基板19在靠近接合垫226的位置设置有支撑结构400。支撑结构400可以减轻阵列基板19的接合区cr在制造过程中产生的变形，使接合垫226不会偏离预期的位置。因此，能大幅的提升产品的良率。此外，本发明至少一实施例借由设置支撑结构400来减轻阵列基板19的接合区cr在制造过程中产生的变形，不需要调整阵列基板19中的元件阵列的材质，也不需要调整元件阵列中各个膜层的厚度，因此，可以在不影响阵列基板19电性的前提下解决阵列基板19变形的问题。

图24是依照本发明的一实施例的一种阵列基板的剖面示意图。在此必须说明的是，图24的实施例沿用图21的实施例的元件标号与部分内容，其中采用相同或近似的标号来表示相同或近似的元件，并且省略了相同技术内容的说明。关于省略部分的说明可参考前述实施例，本实施例不再重复赘述。

在本实施例中，阵列基板20包括基底100、绝缘层110、绝缘层120、绝缘层130、绝缘层140、保护层150、信号线210、传导结构220、信号线230、信号线244、发光元件ld、支撑结构400a以及辅助支撑结构400b。

在本实施例中，形成发光元件ld之后，于发光元件ld上形成保护层150。保护层150例如暴露出阵列基板20的接合区cr。

在本实施例中，传导结构220的接合垫226位于接合区cr中，且接合垫226与元件阵列da电性连接。支撑结构400a位于接合区cr中。支撑结构400a与接合垫226之间的水平距离h1介于5微米与1000微米之间。

在本实施例中，支撑结构400a包括第一部分410以及第二部分420。在本实施例中，支撑结构400a的第一部分410的材料例如为金属、氧化硅、氧化氮、光刻胶、聚甲基丙烯酸甲酯(pmma)、六甲基二硅氧烷(hdmso)、紫外光固化型框胶或热固化型框胶。在一实施例中，第一部分410包括刚性材料。

在本实施例中，第二部分420位于绝缘层110与第一部分410之间。在一实施例中，支撑结构400a的第二部分420、信号线230以及导电层224的第二层224a属于同一膜层，且第二部分420的材料包括金属。支撑结构400a的第二部分420与绝缘层110的上表面之间具有垂直距离p1。垂直距离p1例如介于0微米与1微米之间。在本实施例中，支撑结构400a的第一部分410与第二部分420直接接触。

在本实施例中，支撑结构400a的第一部分410与辅助支撑结构400b并未被绝缘层140所覆盖。因此，支撑结构400a的第一部分410与辅助支撑结构400b例如可以与保护层150同时形成且具有相同的材料。

基于上述，本发明至少一实施例提供的阵列基板20在靠近接合垫226的位置设置有支撑结构400a与辅助支撑结构400b。支撑结构400a与辅助支撑结构400b可以减轻阵列基板20的接合区cr在制造过程中产生的变形，使接合垫226不会偏离预期的位置。因此，能大幅的提升产品的良率。此外，本发明至少一实施例借由设置支撑结构400a与辅助支撑结构400b来减轻阵列基板20的接合区cr在制造过程中产生的变形，不需要调整阵列基板20中的元件阵列的材质，也不需要调整元件阵列中各个膜层的厚度，因此，可以在不影响阵列基板20电性的前提下解决阵列基板20变形的问题。

图25是依照本发明的一实施例的一种阵列基板的剖面示意图。在此必须说明的是，图25的实施例沿用图15的实施例的元件标号与部分内容，其中采用相同或近似的标号来表示相同或近似的元件，并且省略了相同技术内容的说明。关于省略部分的说明可参考前述实施例，本实施例不再重复赘述。

在本实施例中，阵列基板21包括基底100、绝缘层110、绝缘层120、绝缘层130、绝缘层140、信号线210、传导结构220、信号线230、信号线244、发光元件ld以及支撑结构300。

在本实施例中，支撑结构300包括于垂直基底100的方向上互相堆栈的第一部分310与第二部分320。第一部分310嵌入绝缘层120以及绝缘层130。第二部分320嵌入绝缘层110以及绝缘层120。

在本实施例中，第一部分310与第二部分320的材料包括金属。在一实施例中，第一部分310、信号线230以及导电层224的第二层224a属于同一膜层。在一实施例中，第二部分320、信号线210以及导电层224的第一层224b属于同一膜层。在一实施例中，第一部分310的厚度大于信号线230的厚度。在一实施例中，第二部分320的厚度大于信号线210的厚度。

在本实施例中，支撑结构300还包括夹在第一部分310与第二部分320之间的第三部分330且第三部分330能作为应力缓冲层。在一实施例中，第三部分330与绝缘层120连成一体，也可以说绝缘层120将第一部分310与第二部分320分开。

基于上述，本发明至少一实施例提供的阵列基板21在靠近接合垫226的位置设置有支撑结构300。支撑结构300可以减轻阵列基板21的接合区cr在制造过程中产生的变形，使接合垫226不会偏离预期的位置。因此，能大幅的提升产品的良率。此外，本发明至少一实施例借由设置支撑结构300来减轻阵列基板21的接合区cr在制造过程中产生的变形，不需要调整阵列基板21中的元件阵列的材质，也不需要调整元件阵列中各个膜层的厚度，因此，可以在不影响阵列基板21电性的前提下解决阵列基板21变形的问题。

在以上实施例中，接合垫226可低于其周围的结构的高度，然本发明不局限于此，于其他变化例中，接合垫226可高于其周围的结构的高度。

图26是依照本发明的一实施例的一种阵列基板的剖面示意图。在此必须说明的是，图26的实施例沿用图25的实施例的元件标号与部分内容，其中采用相同或近似的标号来表示相同或近似的元件，并且省略了相同技术内容的说明。关于省略部分的说明可参考前述实施例，下述实施例不再重复赘述。

在本实施例中，阵列基板22包括基底100、绝缘层110、绝缘层120、绝缘层130、绝缘层140、信号线210、传导结构220、信号线230、信号线244、发光元件ld、支撑结构300a、辅助支撑结构300b以及主动元件tft。

主动元件tft包括栅极510、半导体通道层520、源极530以及漏极540。

半导体通道层520位于基底100上。在本实施例中，基底100可以包括绝缘层105，半导体通道层520位于绝缘层105上。绝缘层110覆盖半导体通道层520，栅极510位于绝缘层110上，栅极510与半导体通道层520之间夹有绝缘层110。栅极510与绝缘层105之间距有垂直距离p1。栅极510电性连接至信号线210。绝缘层120覆盖栅极510与信号线210。

源极530以及漏极540位于绝缘层120上。源极530以及漏极540填入绝缘层110的开口以及绝缘层120的开口，并分别电性连接至半导体通道层520。源极530电性连接至导电层224的第二层224a。第二层224a与绝缘层105之间具有垂直距离p2。漏极540电性连接至发光元件ld的电极242。在本实施例中，显示介质l填入绝缘层140的开口，电极242电性连接至漏极540。在一些实施例中发光元件ld的电极250(例如为阴极)可以电性连接到其他的导电层。

虽然在本实施例中，主动元件tft的源极530电性连接至导电层224，而漏极540电性连接至发光元件ld，但本发明不以此为限。在其他实施例中，主动元件tft的漏极540电性连接至导电层224。

在本实施例中，支撑结构300a、辅助支撑结构300b、信号线210、栅极510与第二层224a属于同一膜层，且例如是借由类似图17a～图17c或图18a～图18c的工艺所形成。在本实施例中，辅助支撑结构300b与第二层224a的下表面可以低于支撑结构300a与信号线210的下表面，辅助支撑结构300b与第二层224a的下表面例如齐平，且与绝缘层105之间具有垂直距离p3。在本实施例中，垂直距离p2大于垂直距离p1，垂直距离p1大于垂直距离p3。

信号线210的上表面可以低于支撑结构300a、辅助支撑结构300b与第二层224a的上表面。在一实施例中，信号线210的厚度小于支撑结构300a的厚度，支撑结构300a的厚度小于辅助支撑结构300b的厚度，辅助支撑结构300b的厚度约等于第二层224a的厚度。

基于上述，本发明至少一实施例提供的阵列基板22在靠近接合垫226的位置设置有支撑结构300a与辅助支撑结构300b。支撑结构300a与辅助支撑结构300b可以减轻阵列基板22的接合区cr在制造过程中产生的变形，使接合垫226不会偏离预期的位置。因此，能大幅的提升产品的良率。此外，本发明至少一实施例借由设置支撑结构300a与辅助支撑结构300b来减轻阵列基板22的接合区cr在制造过程中产生的变形，不需要调整阵列基板22中的元件阵列的材质，也不需要调整元件阵列中各个膜层的厚度，因此，可以在不影响阵列基板22电性的前提下解决阵列基板22变形的问题。

在以上实施例中，接合垫226可低于其周围的结构的高度，然本发明不局限于此，于其他变化例中，接合垫226可高于其周围的结构的高度。

本发明至少一实施例提供的阵列基板在靠近接合垫的位置设置有支撑结构及/或辅助支撑结构。支撑结构及/或辅助支撑结构可以减轻阵列基板的接合区在制造过程中产生的变形，使接合垫不会偏离预期的位置。因此，能大幅的提升产品的良率。

在本发明至少一实施例中，支撑结构及/或辅助支撑结构可以有效的断开绝缘层中的应力，使阵列基板比较不容易变形。在本发明至少一实施例中，形成显示介质之后才形成支撑结构及/或辅助支撑结构，因此能避免颗粒污染显示介质。

在本发明至少一实施例中，阵列基板是可挠性基板，且形成于刚性载板上，在将阵列基板从刚性载板取下前形成支撑结构及/或辅助支撑结构，避免阵列基板在从刚性载板取下后变形。

本发明至少一实施例借由设置支撑结构及/或辅助支撑结构来减轻阵列基板的接合区在制造过程中产生的变形，不需要调整阵列基板中的元件阵列的材质，也不需要调整元件阵列中各个膜层的厚度，因此，可以在不影响阵列基板电性的前提下解决阵列基板变形的问题。

当然，本发明还可有其它多种实施例，在不背离本发明精神及其实质的情况下，熟悉本领域的技术人员可根据本发明作出各种相应的改变和变形，但这些相应的改变和变形都应属于本发明权利要求的保护范围。