本实用新型涉及一种TMC型高频片式混合电容器，属于电容器技术领域。
背景技术：
多层片式瓷介电容器具有比容大、体积小、等效串联电阻小、无极性、电感低、抗湿性好、频率特性好、损耗低、可靠性高、电容量稳定性好的特点，钽电容器具有电性能优良、稳定可靠、体积小、容量大、贮存稳定性好等特点，均被广泛应用于通讯、计算机、航天、航空、电子、兵器等领域。当使用在高可靠性领域和对综合性能要求较高的现代电子线路中时，往往需要容量温度特性相对稳定，频带宽、频率特性好同时具有超低等效串联电阻和等效串联电感值并能承受大纹波电流等综合性能优异的电容器，而单一的瓷介电容和钽电容优缺点都较为明显，无法适用于综合性能要求较高的线路中。
技术实现要素：
为解决上述技术问题，本实用新型提供了一种TMC型高频片式混合电容器，该TMC型高频片式混合电容器提高了电容器的综合电性能，可以在综合性能要求较高的现代电子线路中使用。
本实用新型通过以下技术方案得以实现。
本实用新型提供的一种TMC型高频片式混合电容器，包括内部芯片一、内部芯片二、金属片和树脂包封层；所述内部芯片一、内部芯片二并联堆叠设置，形成内部整体芯片；所述内部芯片一、内部芯片二分别与金属片焊接固定，使内部芯片一、内部芯片二、金属片构成一个整体；所述树脂包封层对内部芯片一、内部芯片二、金属片进行模压包封，形成外壳结构。
所述内部芯片一和内部芯片二的底部均高于金属片的底部。
所述内部芯片一为陶瓷电容器芯片，内部芯片二为钽电容器芯片。
所述金属片有两个，分别对称设置在内部芯片一、内部芯片二的两侧。
所述金属片长度的三分之一外露在壳体外，构成引脚。
所述金属片外露部分与壳体之间无间隙。
本实用新型的有益效果在于：通过对陶瓷电容器芯片和钽电容器芯片进行组合设计，可实现相同安装面积下的电容量提升，同时具有超低等效串联电阻和等效串联电感值并能承受大纹波电流，兼具抗热应力和抗机械应力优异等特点，并且具有容量温度特性相对稳定，频带宽、频率特性好等优异的综合性能。
附图说明
图1是本实用新型的结构示意图；
图中：1-内部芯片一，2-内部芯片二，3-金属片，4-树脂包封层。
具体实施方式
下面进一步描述本实用新型的技术方案，但要求保护的范围并不局限于所述。
如图1所示，一种TMC型高频片式混合电容器，包括内部芯片一1、内部芯片二2、金属片3和树脂包封层4；所述内部芯片一1、内部芯片二2并联堆叠设置，与常规电容器相比，可实现相同安装面积下的电容量提升，同时具有超低等效串联电阻和等效串联电感值并能承受大纹波电流，并且具有容量温度特性相对稳定，频带宽、频率特性好等优异的综合性能，形成内部整体芯片；所述内部芯片一1、内部芯片二2分别与金属片3焊接固定，使内部芯片一1、内部芯片二2、金属片3构成一个整体；所述树脂包封层4对内部芯片一1、内部芯片二2、金属片3进行模压包封，形成外壳结构，能保证电容器具有优异的抗机械冲击性能。
进一步地，所述内部芯片一1和内部芯片二2的底部均高于金属片3的底部，便于金属片3做引脚，保证内部芯片一1、内部芯片二2不会外露，避免漏电，减小芯片的磨损，增加使用寿命；所述内部芯片一1为陶瓷电容器芯片，内部芯片二2为钽电容器芯片，与单一的瓷介电容器和钽电容器比较，使用时能体现出瓷介电容器和钽电容器的综合性能；所述金属片3有两个，分别对称设置在内部芯片一1、内部芯片二2的两侧；所述金属片3长度的三分之一外露在壳体外，构成引脚，从对称两端引出电性能，使得速度更快，能很好避免焊接时受到的高温冲击，保证其性能的稳定性；所述金属片3外露部分与壳体之间无间隙，可以防潮，避免漏电造成损坏，增加了电容器的使用寿命。