技术特征：
技术总结
一种形成环形栅半导体器件的方法，包括：提供在其上具有层状鳍片结构的衬底，该层状鳍片结构包括沟道部和牺牲部，沟道部和牺牲部各自沿层状鳍片结构的长度延伸，其中层状鳍片结构覆盖有替换栅极材料。在层状鳍片结构上方的替换栅极材料上形成有伪栅极，其中该伪栅极具有沿层状鳍片结构的长度延伸的临界尺寸。该方法还包括在伪栅极正下方形成栅极结构，该栅极结构包括金属栅极区和设置在金属栅极区的相反侧上的栅极间隔件，其中栅极结构的总临界尺寸等于伪栅极的临界尺寸。
技术研发人员：杰弗里·史密斯;安东·德维利耶
受保护的技术使用者：东京毅力科创株式会社
技术研发日：2017.11.14
技术公布日：2019.06.28