技术特征：
技术总结
本公开提供了一种GaN基垂直型功率晶体管器件及其制作方法；其中，所述GaN基垂直型功率晶体管器件，包括：N型GaN衬底；形成于N型GaN衬底上的N型GaN外延层；形成于N型GaN外延层上的Al(In，Ga)N背势垒层；形成于Al(In，Ga)N背势垒层上的薄势垒Al(In，Ga)N/GaN异质结构；形成于所述薄势垒Al(In，Ga)N/GaN异质结构上的钝化层以及栅极和源极，形成于N型GaN衬底上的漏极。本公开GaN基垂直型功率晶体管器件及其制作方法有效降低了GaN基垂直型功率晶体管的工艺难度，从而使其兼容常规GaN基横向器件的工艺，推动了GaN基垂直型功率晶体管在更高电流和功率转换中的应用。
技术研发人员：刘新宇;王成森;黄森;王鑫华;康玄武;魏珂;黄健
受保护的技术使用者：捷捷半导体有限公司;中国科学院微电子研究所
技术研发日：2018.05.28
技术公布日：2018.11.13