技术特征：
技术总结
本发明涉及功率半导体技术，特别涉及一种漂移阶跃恢复二极管。本发明对常规p+‑p‑n0‑n+漂移阶跃恢复二极管的耐压基区进行了改造，通过将均匀掺杂的n0基区改变为超结结构，即超结耐压基区3，从而改变了漂移阶跃恢复二极管在脉冲放电的反向泵浦阶段的载流子抽取路径，使纵向和横向都可以进行载流子的抽取，大大减少了少数载流子的平均移动距离，从而加速了少数载流子的抽取速度，使得反向泵浦阶段的时间降低，脉冲放电回路中的负载上形成的电压脉冲前沿的电压变化率更大、时间更短。本发明的超结基区结构使用常规的超结工艺，无需额外开发新的工艺方法。
技术研发人员：陈万军;高吴昊;邓操;谯彬;左慧玲;夏云;刘超
受保护的技术使用者：电子科技大学
技术研发日：2018.08.22
技术公布日：2018.12.21