技术特征：
技术总结
本发明公开一种功率器件芯片及其制造方法，所述制造方法包括：提供衬底，所述衬底上表面生长有外延层，所述外延层内形成有沟槽，所述沟槽具有底部和侧壁，所述侧壁包括靠近所述底部的第一子侧壁和与所述第一子侧壁连接的第二子侧壁；在所述第一子侧壁和所述底部的表面生长第一氧化硅层；在所述第二子侧壁的表面生长第一氮氧化硅层；在所述第一氧化硅层及所述第一氮氧化硅层的表面生长第二氮氧化硅层；在所述沟槽内形成多晶硅栅；在所述沟槽两侧的外延层内形成体区，所述体区与所述第二子侧壁相连；在所述体区内形成源区。所述功率器件芯片通过设置复合结构的栅介质层，从而降低沟道漏电，提升器件的可靠性。
技术研发人员：不公告发明人
受保护的技术使用者：深圳市诚朗科技有限公司
技术研发日：2018.09.04
技术公布日：2019.01.29