技术特征：
技术总结
本发明公开了一种抗辐照多栅器件及其制备方法，属于集成电路辐射效应技术领域。本发明多栅器件包括衬底、源区、漏区和场区隔离介质层，源区和漏区之间通过鳍型结构连接，鳍型结构和场区隔离介质层上覆盖有栅介质层，栅介质层上覆盖有栅电极，场区隔离介质层中设有导电材料夹层，导电材料夹层的上端从场区隔离介质层上表面的未被栅介质层覆盖的部分处露出，导电材料夹层的下端与衬底相接触并形成PN结。本发明可以提高器件抗总剂量辐照和单粒子辐照的能力，具有优越的抗辐照性能。
技术研发人员：武唯康;杜克明;王明;刘长龙;郝亚男
受保护的技术使用者：中国电子科技集团公司第五十四研究所
技术研发日：2018.10.30
技术公布日：2019.03.08