技术特征：
技术总结
本发明提供了一种降低VDMOS恢复时间的工艺方法及其VDMOS半导体器件，涉及半导体器件制造技术领域，所述降低VDMOS恢复时间的工艺方法包括对接触孔刻蚀后的硅片依次进行减薄、背面注入、高温烘焙和金属溅射处理，解决了传统工艺方法因掺杂的重金属外逸导致半导体器件制造成本过高的技术问题，本发明提供的降低VDMOS恢复时间的工艺方法不仅节省了设备采购费用，降低了半导体器件的制造成本，而且降低了VDMOS的恢复时间、零栅压漏极电流、外延片的电阻率及外延层厚度，同时也减少了外延材料的采购成本，应用前景广泛。
技术研发人员：王鹏;杨寿国;高宏伟;张永利;孔维东
受保护的技术使用者：吉林华微电子股份有限公司
技术研发日：2018.12.17
技术公布日：2019.04.19