一种晶片加压装置的制作方法

文档序号:16796465发布日期:2019-02-01 19:54阅读:306来源:国知局
一种晶片加压装置的制作方法

本实用新型属于半导体设备领域,尤其涉及一种晶片在研磨固晶时的加压装置。



背景技术:

LED加工领域中,要获得LED 芯粒,需以蓝宝石等为衬底,经PSS图形化、外延MOCVD技术磊晶,芯片前段工艺制作电极后,交芯片后段进行晶片减薄、划裂成芯粒。

晶片进入芯片后段减薄工艺前,需通过上蜡机使用熔融的粘结蜡对晶片进行压蜡固定,然后使用多张吸蜡纸压蜡冷却固定,使用吸蜡纸虽然可以实现对晶片边缘挤出的多余蜡进行吸收,避免挤出蜡将晶片与加压盘粘结导致吸盘或吸盘掉落现象,但因吸蜡纸对晶片边缘蜡存在吸蜡能力差异导致局部区域厚度均匀性异常,或因蜡纸过吸出现边缘粘结蜡空洞导致边缘固晶异常,从而在使用砂轮研磨时边缘出现暗裂。同时,吸蜡纸实际使用过程中,其对蜡的实际利用面积极低,且一般需要考虑吸蜡纸对边缘蜡吸影响需要上调单片蜡量(单片实际起固晶作用的蜡量占用率不足10%),造成上蜡制造成本浪费。



技术实现要素:

为解决以上问题,取消或者减少吸蜡纸的使用,改善吸蜡纸使用引起的厚度异常、研磨边缘异常以及蜡成本浪费,本实用新型提出一种晶片加压装置,用于压制固定晶片的固晶物,其至少包括一承载晶片的工作平台和一压制晶片的可上下移动的加压盘,其特特征在于:所述加压盘与所述晶片的接触面的直径小于该晶片的直径。

优选的,所述加压盘包括一第一平台和若干直径小于第一平台的第二平台,若干个第二平台分别设置于第一平台的下表面。

优选的,所述第二平台的下表面为与所述晶片直接接触的接触面。

优选的,所述第二平台的高度H与所述晶片厚度h的比值为:0.5~10。。

优选的,所述第一平台与所述第二平台一体成型或者所述第二平台通过固定构件固定于第一平台下表面。

优选的,所述第一平台为不锈钢台或者陶瓷台,第二平台的为硅胶台。

优选的,所述接触面的直径D与所述晶片的直径d的比为:0.7~0.95。

优选的,所述接触面与所述晶片的形状相同。

优选的,所述加压装置还包括对工作平台加热/冷却的加热-冷却装置。

所述接触面的直径D与所述晶片的直径d的比为:0.8~0.9。

本实用新型通过改变加压盘与晶片接触的接触面的大小,取消吸蜡纸的使用,改善吸蜡纸使用引起的厚度异常、研磨边缘异常以及蜡成本浪费。

附图说明

图1为现有技术中加压装置的结构示意图;

图2 为本实用新型提出的加压装置结构示意图。

具体实施方式

在下列段落中参照附图以举例方式更具体地描述本实用新型。根据下面说明和权利要求书,本实用新型的优点和特征将更清楚。需说明的是,附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例,仅用以方便、明晰地辅助说明本实用新型实施例的目的。

参看附图1,现有技术中的加压装置及其工作流程如下:

喷蜡装置将粘结蜡喷涂在工作平台200上的晶片放置区,启动加热-冷却装置400将固晶物500,一般为粘结蜡熔融后将晶片300放置在粘结蜡上,然后加压盘100下降对晶片300进行固定压制作业,然后启动加热-冷却装置400对粘结蜡进行冷却。

由于晶片300固定时的粘结蜡处于熔融状态,在压制的过程中,多余的粘结蜡会从晶片300周围溢出,现有的加压盘100为一个圆台,竖直截面呈“一字型”,与晶片300的接触面直径大于晶片的直径,导致溢出的蜡液会粘附在加压盘100上,造成加压盘100无法与晶片300分离或者加压盘100与晶片300之间粘结不牢固在加压盘100上升过程中掉落摔盘造成破片,为了解决此问题,现有技术中多采用吸蜡纸将晶片周围溢出多余的蜡液吸附,但因吸蜡纸对晶片边缘蜡吸蜡能力存在差异导致晶片局部区域厚度均匀性异常,或因蜡纸过吸出现边缘粘结蜡空洞导致边缘固晶异常,从而在使用砂轮研磨时边缘出现暗裂,同时,由于吸蜡纸不能重复利用,造成很大的成本浪费。

因此,参看附图2,本实施例提出的一种晶片加压装置,以解决上述问题,其至少包括一工作平台210,用于承载晶片310和固晶物510,固晶物510为粘结蜡或者固晶胶,本实施例优选固晶物510为粘结蜡;一压制晶片310的可上下移动的加压盘110,该加压盘110与该晶片310的接触面的直径小于晶片310的直径,使得晶片周围溢出的蜡与加压盘110之间存在一定空隙从而避免工作平台与加压盘发生黏连现象,达到无需使用吸蜡纸对边缘蜡进行吸收的效果。

进一步地,加压盘110包括一第一平台111和若干直径小于第一平台111的第二平台112,第二平台112分别设置于第一平台111的下表面,第二平台112的下表面为与晶片310直接接触的接触面。工作平台上设置于若干个晶片放置区,晶片放置区的个数与第二平台112的个数相同,以便同时对数个晶片310进行固晶作业。当然,当晶片尺寸较大时,一个工作平台也可以一有一个晶片放置区。

此外,为保证加压盘110对晶片310压制的厚度均匀性,我们设定该接触面的直径D与所述晶片310的直径d的比为:0.7~0.95 ,优选为0.8~0.9。同时由于晶片310的尺寸及厚度的不同,而且晶片310在外延生长过程中发生应力翘曲的现象,为保证在压制过程中,加压盘110与粘结蜡不出现黏连现象,我们设置第二平台112的高度H与所述晶片310厚度h的比值为:0.5~10,优选为1~4。

加压盘110中的第一平台111与第二平台112可以是一体成型的,也可以是分别成型后通过固定件将若干个第二平台112均匀地固定在第一平台111的下表面,本领域技术人员可以根据实际需要选择,本实施例优选第一平台111与第二平台112通过固定件固定,固定件可以为双面耐热胶或者螺栓。

由于第二平台112的下表面为与晶片310的直接接触面,优选第二平台112的材质为硅胶材质,实现加压盘与晶片之间的软接触降低固晶过程中晶片的碎裂风险。第二平台112可以与第一平台111的材质不同,本实施例优选,第一平台111是由不锈钢材质构成的平台。

同时,该加压装置还包括一对工作平台加热/冷却的加热-冷却装置410,以提高晶片的固晶效率。

实际作业中,以厚度600~800um的4inch 晶片固晶为例,固晶贴片使用粘结蜡的单片蜡质量0.2~0.5g,固晶加压压力200~1000Kg,蜡层期望厚度1~3um。为保证固晶后晶片厚度均匀性TTV匀性度0,优选面精度TTV精度度0的硅胶材质作为第二平台,第二平台的厚度1~3mm,直径为80~90mm。

本实用新型通过改变加压盘与晶片接触的接触面的大小,取消吸蜡纸的使用,改善吸蜡纸使用引起的厚度异常、研磨边缘异常以及蜡成本浪费。

应当理解的是,上述具体实施方案为本实用新型的优选实施例,本实用新型的范围不限于该实施例,凡依本实用新型所做的任何变更,皆属本实用新型的保护范围之内。

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