1.一种简单的肖特基二极管芯片，包括衬底（6）以及设置在衬底（6）上方的外延层（4），在外延层（4）的两侧分别设置有耐压环，在外延层（4）表面设置有肖特基界面（7），其特征在于：在耐压环的外侧设置有绝缘侧壁（10），绝缘侧壁（10）包括绝缘沟槽（13）以及填充在绝缘沟槽（13）内的绝缘材料，绝缘侧壁（10）与耐压环的底面垂直设置，绝缘侧壁自耐压环的上部向下依次穿过耐压环、外延层（4）后开设在衬底（6）内部，芯片切割位置为耐压环中部的绝缘材料处。
2.根据权利要求1所述的简单的肖特基二极管芯片，其特征在于：所述的耐压环包括耐压环沟槽（3），在耐压环沟槽（3）的内壁上设置有沟槽内氧化层（2），在耐压环沟槽（3）内还填充有多晶硅（9）。
3.根据权利要求2所述的简单的肖特基二极管芯片，其特征在于：在所述的耐压环沟槽（3）之间还设置有若干有源区沟槽（5），在有源区沟槽（5）的内壁上设置有沟槽内氧化层（2），在有源区沟槽（5）内填充有多晶硅（9）。
4.根据权利要求1所述的简单的肖特基二极管芯片，其特征在于：所述的耐压环为与外延层（4）半导体类型相反的半导体材质。
5.根据权利要求4所述的简单的肖特基二极管芯片，其特征在于：在所述耐压环的内侧还设置有若干有源区内结（15），有源区内结为与外延层（4）半导体类型相反的半导体材质。
6.根据权利要求1所述的简单的肖特基二极管芯片，其特征在于：在所述外延层（4）的表面还设置有阳极金属层（1）。
7.根据权利要求1所述的简单的肖特基二极管芯片，其特征在于：在所述衬底（6）的底面还设置有阴极金属层（8）。