1.一种抑制浮体效应的新型SOI器件，其特征在于，包括SOI衬底，所述SOI衬底包括从下往上依次层叠的底部硅层、中间BOX埋层和顶层硅膜，所述顶层硅膜的两侧形成有浅槽隔离层，所述顶层硅膜中注入有P离子形成P型硅，所述顶层硅膜的上表面依次设有栅极氧化物和栅电极，所述栅极氧化物和栅电极组成栅极，所述栅极在顶层硅膜的上表面呈Y型分布，所述栅极正下方的顶层硅膜中注入金属离子形成有一金属层，所述栅极一侧的源区掺杂形成有源区超浅结，所述栅极另一侧的漏区掺杂形成有漏区超浅结，所述栅极的周围形成有栅极侧墙，所述源区超浅结下方离子注入形成有源区晕环区，所述漏区超浅结下方离子注入形成有漏区晕环区，所述源区超浅结的表面形成有源极硅化物，所述栅极的表面形成有栅极硅化物，所述漏区超浅结的表面形成有漏极硅化物，所述源极硅化物的表面形成有源电极，所述漏极硅化物的表面形成有漏电极。
2.根据权利要求1所述的抑制浮体效应的新型SOI器件，其特征在于，所述顶层硅膜的厚度为100～200nm。
3.根据权利要求1所述的抑制浮体效应的新型SOI器件，其特征在于，所述金属层的厚度为1～20nm，所述金属层距离顶层硅膜的上表面为50～200nm。
4.根据权利要求1所述的抑制浮体效应的新型SOI器件，其特征在于，所述金属层中的金属为Au、Cu、Fe、Mn和In中的任意一种。
5.根据权利要求1所述的抑制浮体效应的新型SOI器件，其特征在于，所述源极硅化物、栅极硅化物和漏极硅化物为钛化硅、钴化硅和镍化硅中的任意一种。