技术特征：
技术总结
一种有源矩阵基板，具备：基板、支撑于基板的TFT、以及覆盖TFT的无机绝缘层。TFT具有：设置于基板上的栅极电极、覆盖栅极电极的栅极绝缘层、设置于栅极绝缘层上的氧化物半导体层、以及连接到氧化物半导体层的源极电极及漏极电极。栅极绝缘层包含第1氮化硅层和设置于第1氮化硅层上的第1氧化硅层。无机绝缘层包含第2氧化硅层和设置于第2氧化硅层上的第2氮化硅层。第1氮化硅层、第1氧化硅层、第2氧化硅层以及第2氮化硅层的厚度分别是275nm以上400nm以下、20nm以上80nm以下、200nm以上300nm以下、以及100nm以上200nm以下。
技术研发人员：内田岁久
受保护的技术使用者：夏普株式会社
技术研发日：2018.01.11
技术公布日：2019.08.27