1.一种半导体器件(100、300)，包括：
iii族氮化物缓冲层(105、305)，其一部分包含二维电子气2deg沟道(107、307)；
iii族氮化物势垒层(115、320)；和
氮化硼合金中间层(110、315)，其介于所述iii族氮化物缓冲层(105、305)与所述iii族氮化物势垒层(115、320)之间，其中所述iii族氮化物缓冲层(105、305)的包含所述2deg沟道(107、307)的部分在所述iii族氮化物缓冲层(105、305)的与所述氮化硼合金中间层(110、315)相邻的一侧。
2.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：
布置在所述iii族氮化物势垒层上的iii族氮化物覆盖层。
3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述氮化硼合金中间层包括以下之一：
硼、铝和氮；
硼、镓和氮；
硼、铟和氮；
硼、铝、镓和氮；
硼、铟、镓和氮；
硼、铝、铟和氮；和
硼、铝、镓、铟和氮。
4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述氮化硼合金中间层是异质结的一部分，所述异质结还包括：
介于所述氮化硼合金中间层与所述iii族氮化物缓冲层之间的氮化硼合金中间层。
5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述氮化硼合金中间层是介于所述iii族氮化物缓冲层与所述iii族氮化物势垒层之间的异质结的一部分，其中，所述异质结还包括：
氮化铝中间层。
6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述iii族氮化物势垒层的导带最小值高于所述iii族氮化物缓冲层的导带最小值，所述氮化硼合金中间层的导带最小值高于所述iii族氮化物缓冲层的导带最小值，并且在所述氮化硼合金中间层与所述iii族氮化物缓冲层之间存在极化差。
7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述氮化硼合金中间层是氮化硼铝中间层。
8.根据权利要求7所述的半导体器件，其中，所述iii族氮化物势垒层是氮化铝镓势垒层，并且所述iii族氮化物缓冲层是氮化镓缓冲层。
9.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述iii族氮化物势垒层和/或所述氮化硼合金中间层的一部分包含所述2deg沟道的部分。
10.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，
所述iii族氮化物缓冲层包括氮化镓，所述氮化硼中间层包括b0.14al0.86n，并且所述iii族氮化物势垒层包括al0.30ga0.70n，
所述iii族氮化物缓冲层包括氮化镓，所述氮化硼中间层包括b0.13al0.87n，并且所述iii族氮化物势垒层包括氮化铝，或者
所述iii族氮化物缓冲层包括in0.15ga0.85n，所述氮化硼中间层包括b0.15al0.85n，并且所述iii族氮化物势垒层包括氮化镓。
11.一种用于形成半导体器件(300)的方法，所述方法包括：
形成(405)iii族氮化物缓冲层(305)；
在所述iii族氮化物缓冲层(305)上形成(410)第一中间层(310、315)；
在所述第一中间层(310、315)上形成(415)第二中间层(310、315)，其中所述第一中间层(310、315)是iii族氮化物中间层(310)和氮化硼合金中间层(315)中的一个，并且所述第二中间层(310、315)是所述iii族氮化物中间层(310)和所述氮化硼合金中间层(315)中的另一个，以及
在所述第二中间层(315)上形成(420)iii族氮化物势垒层(320)；
其中，所述iii族氮化物缓冲层(305)的一部分包含与所述第一iii族氮化物中间层(310、315)相邻的二维电子气2deg沟道(307)。
12.根据权利要求11所述的方法，还包括：
在所述iii族氮化物势垒层上形成iii族氮化物覆盖层。
13.根据权利要求11所述的方法，其中，所述氮化硼合金中间层是使用以下之一形成的：
硼、铝和氮；
硼、镓和氮；
硼、铟和氮；
硼、铝、镓和氮；
硼、铟、镓和氮；
硼、铝、铟和氮；和
硼、铝、镓、铟和氮。
14.根据权利要求11所述的方法，其中，所述iii族氮化物中间层是使用氮化硼或氮化铝形成的。
15.根据权利要求11所述的方法，其中，所述iii族氮化物势垒层的导带最小值高于所述iii族氮化物缓冲层的导带最小值，所述第一中间层和所述第二中间层的导带最小值高于所述iii族氮化物缓冲层的导带最小值，并且在所述第一中间层与所述iii族氮化物缓冲层之间存在极化差。
16.一种半导体器件(300)，包括：
iii族氮化物缓冲层(305)，其一部分包含二维电子气2deg沟道(307)；
布置在所述iii族氮化物缓冲层(305)上的第一中间层(310、315)；
布置在所述第一中间层(310、315)上的第二中间层(310、315)，其中所述第一中间层(310、315)是iii族氮化物中间层(310)和氮化硼合金中间层(315)中的一个，并且所述第二中间层(310、315)是所述iii族氮化物中间层(310)和所述氮化硼合金中间层(315)中的另一个，以及
布置在所述第二中间层(315)上的iii族氮化物势垒层(320)，其中所述iii族氮化物缓冲层(305)的包含所述2deg沟道(307)的部分在所述iii族氮化物缓冲层(305)的与所述第一中间层(310)相邻的一侧上。
17.根据权利要求16所述的半导体器件，还包括：
布置在所述iii族氮化物势垒层上的iii族氮化物覆盖层。
18.根据权利要求16所述的半导体器件，其中，所述氮化硼合金中间层包括以下之一：
硼、铝和氮；
硼、镓和氮；
硼、铟和氮；
硼、铝、镓和氮；
硼、铟、镓和氮；
硼、铝、铟和氮；和
硼、铝、镓、铟和氮。
19.根据权利要求16所述的半导体器件，其中，所述iii族氮化物中间层包括氮化硼或氮化铝。
20.根据权利要求16所述的半导体器件，其中，所述iii族氮化物势垒层的导带最小值高于所述iii族氮化物缓冲层的导带最小值，所述第一中间层和所述第二中间层的导带最小值高于所述iii族氮化物缓冲层的导带最小值，并且在所述第一中间层与所述iii族氮化物缓冲层之间存在极化差。