1.一种半导体集成电路装置，其包括作为电容单元的标准单元，所述半导体集成电路装置的特征在于：
所述标准单元包括第一电源布线、第二电源布线以及多个第一导电型垂直纳米线fet，
所述第一电源布线沿第一方向延伸，并供给第一电源电压，
所述第二电源布线沿所述第一方向延伸，并供给与所述第一电源电压不同的第二电源电压，
多个所述第一导电型垂直纳米线fet设在所述第一电源布线与所述第二电源布线之间，并沿所述第一方向排列，
多个所述第一导电型垂直纳米线fet包括至少一个第一垂直纳米线fet，
所述第一垂直纳米线fet的顶部和底部与所述第一电源布线相连，所述第一垂直纳米线fet的栅极与所述第二电源布线相连。
2.根据权利要求1所述的半导体集成电路装置，其特征在于：
所述半导体集成电路装置包括底部区、局部布线以及栅极布线，
所述底部区与所述第一垂直纳米线fet的底部相连，
所述局部布线与所述第一垂直纳米线fet的顶部相连，
所述栅极布线与所述第一垂直纳米线fet的栅极相连，
当俯视时，在所述第一垂直纳米线fet的区域中，所述底部区、所述局部布线以及所述栅极布线具有彼此重合的重合部。
3.根据权利要求1所述的半导体集成电路装置，其特征在于：
多个所述第一导电型垂直纳米线fet包括两个所述第一垂直纳米线fet、以及第二垂直纳米线fet，
所述第二垂直纳米线fet布置在所述第一垂直纳米线fet之间，所述第二垂直纳米线fet的顶部、底部以及栅极与所述第一电源布线相连。
4.根据权利要求1所述的半导体集成电路装置，其特征在于：
多个所述第一导电型垂直纳米线fet包括两个所述第一垂直纳米线fet、以及第二垂直纳米线fet，
所述第二垂直纳米线fet布置在所述第一垂直纳米线fet之间，所述第二垂直纳米线fet的栅极与所述第一电源布线相连，所述第二垂直纳米线fet的顶部与所述第二电源布线相连。
5.根据权利要求3或4所述的半导体集成电路装置，其特征在于：
与所述第一垂直纳米线fet的栅极相连的栅极布线、以及与所述第二垂直纳米线fet的栅极相连的栅极布线以沿着与所述第一方向垂直的第二方向延伸的方式并列地形成。
6.一种半导体集成电路装置，其包括作为电容单元的标准单元，所述半导体集成电路装置的特征在于：
所述标准单元包括第一电源布线、第二电源布线、第一电容部以及恒定值输出部，
所述第一电源布线沿第一方向延伸，并供给第一电源电压，
所述第二电源布线沿所述第一方向延伸，并供给与所述第一电源电压不同的第二电源电压，
所述第一电容部具有多个第一导电型垂直纳米线fet，多个所述第一导电型垂直纳米线fet设在所述第一电源布线与所述第二电源布线之间，并沿所述第一方向排列，
所述恒定值输出部具有设在所述第一电源布线与所述第二电源布线之间的第二导电型垂直纳米线fet，所述恒定值输出部将所述第二电源电压供向所述第一电容部，
所述第一电容部所具有的多个所述第一导电型垂直纳米线fet包括至少一个第一垂直纳米线fet，
所述第一垂直纳米线fet的顶部和底部与所述第一电源布线相连，所述第一垂直纳米线fet的栅极与所述恒定值输出部所具有的所述第二导电型垂直纳米线fet的顶部相连。
7.根据权利要求6所述的半导体集成电路装置，其特征在于：
所述半导体集成电路装置包括底部区、局部布线以及栅极布线，
所述底部区与所述第一垂直纳米线fet的底部相连，
所述局部布线与所述第一垂直纳米线fet的顶部相连，
所述栅极布线与所述第一垂直纳米线fet的栅极相连，
当俯视时，在所述第一垂直纳米线fet的区域中，所述底部区、所述局部布线以及所述栅极布线具有彼此重合的重合部。
8.根据权利要求6所述的半导体集成电路装置，其特征在于：
所述标准单元包括第二电容部，
所述第二电容部具有多个第二导电型垂直纳米线fet，多个所述第二导电型垂直纳米线fet设在所述第一电源布线与所述第二电源布线之间，并沿所述第一方向排列，
所述恒定值输出部具有设在所述第一电源布线与所述第二电源布线之间的第一导电型垂直纳米线fet，所述恒定值输出部将所述第一电源电压供向所述第二电容部，
所述第二电容部所具有的多个所述第二导电型垂直纳米线fet包括至少一个第二垂直纳米线fet，
所述第二垂直纳米线fet的顶部和底部与所述第二电源布线相连，所述第二垂直纳米线fet的栅极与所述恒定值输出部所具有的所述第一导电型垂直纳米线fet的顶部相连。
9.根据权利要求8所述的半导体集成电路装置，其特征在于：
所述半导体集成电路装置包括底部区、局部布线以及栅极布线，
所述底部区与所述第二垂直纳米线fet的底部相连，
所述局部布线与所述第二垂直纳米线fet的顶部相连，
所述栅极布线与所述第二垂直纳米线fet的栅极相连，
当俯视时，在所述第一垂直纳米线fet的区域中，所述底部区、所述局部布线以及所述栅极布线具有彼此重合的重合部。
10.根据权利要求8所述的半导体集成电路装置，其特征在于：
所述恒定值输出部所具有的所述第一导电型垂直纳米线fet布置为：与所述第一电容部所具有的多个所述第一导电型垂直纳米线fet沿着所述第一方向排列，
所述恒定值输出部所具有的所述第二导电型垂直纳米线fet布置为：
与所述第二电容部所具有的多个所述第二导电型垂直纳米线fet沿着所述第一方向排列。