半导体器件及其制造方法及包括该器件的电子设备与流程

技术特征：

技术总结
公开了一种半导体器件及其制造方法及包括该器件的电子设备。根据实施例，半导体器件可以包括：衬底；依次叠置在衬底上且彼此邻接的第一源/漏区、沟道区和第二源/漏区，围绕沟道区的外周形成有栅堆叠；其中，在栅堆叠与第一源/漏区和第二源/漏区之间，以围绕沟道区的外周的形式分别设置有间隔物。

技术研发人员：朱慧珑
受保护的技术使用者：中国科学院微电子研究所
技术研发日：2019.02.03
技术公布日：2019.05.28