技术特征：
技术总结
本发明涉及半导体技术，特别涉及一种高可靠性IGBT及其制造方法。本发明的主要方案是对常规FS‑IGBT背面的集电极结构进行改进，在常规的FS‑IGBT的N+缓冲层和P+集电极区之间引入一层轻掺杂N型层，形成P+集电极区—N‑层—N+缓冲层的集电极三明治结构。由于轻掺杂N型层的存在，使得本发明中内部PNP晶体管的共基极电流增益αPNP更小，故而不论是室温还是高温环境下，都有效地降低了器件在正向阻断模式下的漏电流。尤其是在高温的环境下，降低了器件的漏电流，有助于提高器件的可靠性。同时，器件的正向导通特性及关断特性均与常规FS‑IGBT相当。
技术研发人员：陈万军;肖紫嫣;刘超;周琪钧;谯彬;张波
受保护的技术使用者：电子科技大学
技术研发日：2019.03.29
技术公布日：2019.06.18