用于集成电路晶片的匹配电路的制作方法

文档序号:19380024发布日期:2019-12-11 00:16阅读:来源:国知局

技术特征:

1.集成电路(ic)晶片,具有第一侧和与所述第一侧相对的第二侧,所述ic晶片包括:

通过所述ic晶片的信号通孔;

设置在所述ic晶片的第一侧处或附近的传输线,所述传输线被配置为将电信号传输到所述信号通孔;和

匹配电路,设置在所述ic晶片内的第一侧处或附近,并在所述传输线和所述信号通孔之间提供电气通讯。

2.权利要求1所述的ic晶片,其中所述第一侧包括所述集成电路的前有源侧,并且其中所述传输线在所述ic晶片内沿着所述第一侧横向延伸。

3.权利要求1所述的ic晶片,其中所述匹配电路包括电感匹配电路以补偿寄生电感和电容匹配电路以补偿寄生电容。

4.集成电路(ic)晶片,所述ic晶片包括:

延伸通过所述ic晶片的信号通孔;

在所述ic晶片内沿与所述信号通孔不平行的方向横向延伸的传输线,所述传输线被配置为将电信号传输到所述信号通孔;和

设置在所述传输线和所述信号通孔之间的匹配电路。

5.权利要求4所述的ic晶片,其中所述ic晶片被配置为在1hz至100ghz范围内的一个或多个频率下操作。

6.权利要求4所述的ic晶片,其中所述ic晶片被配置为在40hz至95ghz范围内的一个或多个频率下操作。

7.权利要求4所述的ic晶片,其中所述ic晶片被配置为在175ghz至225ghz的范围内的3db带宽下操作。

8.权利要求4所述的ic晶片,其中所述匹配电路被配置为使所述信号通孔的第一阻抗与所述传输线的第二阻抗相匹配。

9.权利要求4所述的ic晶片,其中所述信号通孔和要安装ic晶片的封装基板之间的插入损耗从dc到90ghz小于约1db。

10.权利要求4所述的ic晶片,其中所述信号通孔和要安装集成器件晶片的封装基板之间的回波损耗从dc到90ghz大于约10db。

11.权利要求4所述的ic晶片,其中所述匹配电路包括通常为l形的电路。

12.权利要求4所述的ic晶片,其中所述匹配电路包括连接到所述传输线的第一电感匹配元件、相对于所述第一电感匹配元件向外延伸的电容匹配元件、以及连接到所述第一电感匹配元件和所述电容匹配元件的第二电感匹配元件。

13.权利要求12所述的ic晶片,其中所述匹配电路包括从顶视图看的喇叭形状。

14.权利要求12所述的ic晶片,其中所述匹配电路在所述第二电感匹配元件的相对侧上延伸。

15.权利要求4所述的ic晶片,其中所述匹配电路包括电感匹配电路以补偿寄生电感和电容匹配电路以补偿寄生电容。

16.集成电路(ic)封装,包括:

封装基板;和

安装到所述封装基板的ic晶片,所述ic晶片包括:延伸通过所述ic晶片的信号通孔;和匹配电路,设置在ic晶片内并在所述ic晶片中的电路和所述信号通孔之间提供电气通讯。

17.权利要求16所述的ic封装,其中所述匹配电路被配置为使所述信号通孔的第一阻抗与所述电路的第二阻抗匹配。

18.权利要求16所述的ic封装,其中所述封装基板包括接地平面,所述匹配电路覆盖所述接地平面的一部分。

19.权利要求16所述的ic封装,其中所述ic晶片被配置为在175ghz至225ghz的范围内的3db带宽下操作。

20.权利要求16所述的ic封装,其中所述匹配电路包括电感匹配电路以补偿寄生电感和电容匹配电路以补偿寄生电容。


技术总结
公开集成电路(IC)晶片。IC晶片可包括延伸通过所述IC晶片的信号通孔。IC晶片可包括在所述IC晶片内沿与所述信号通孔不平行的方向横向延伸的传输线,所述传输线被配置为将电信号传输到所述信号通孔。IC晶片可包括设置在所述传输线和所述信号通孔之间的匹配电路。匹配电路可包括电感和电容匹配电路,以补偿通过从IC晶片过渡到下面载体而引入的寄生电感和电容。

技术研发人员:J·C·马霍恩;P·J·卡特真;林松
受保护的技术使用者:美国亚德诺半导体公司
技术研发日:2019.05.31
技术公布日:2019.12.10
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