技术特征：
1.一种薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，该薄膜晶体管淀积的衬底为带有热氧化硅的硅衬底、玻璃或者柔性衬底，薄膜晶体管从下到上依次为底栅电极、栅介质、有源层和源漏电极，栅介质位于底栅电极之上，有源层位于栅介质之上，源漏电极位于有源层之上，所有结构均采用原子层淀积工艺制备，并且淀积完栅介质后，不打开原子层淀积设备的腔室，相同温度下继续淀积有源层；具体步骤如下：1)在带有热氧化硅的硅衬底、玻璃或者柔性衬底上光刻栅电极图形，通过原子层淀积工艺淀积导电薄膜材料，然后光刻、刻蚀形成栅电极；2)通过原子层淀积工艺生长一层栅介质层，该栅介质层选自氧化铝和氧化铪等高k绝缘材料一种或者多种的组合，厚度为50-100纳米，原子层淀积绝缘材料过程中的载气为氮气，淀积温度为100℃到250℃；3)不开腔，原子层淀积工艺生长一层有源层，其中淀积温度与步骤2)制备栅介质层工艺采用的淀积温度相同；4)光刻源漏电极图形，定义源漏电极，通过原子层淀积工艺淀积导电薄膜材料，然后剥离形成源漏电极；5)光刻有源层图形，有源层和绝缘层共用相同的光刻胶掩膜，然后刻蚀出有源层和绝缘层，得到薄膜晶体管结构；6)对薄膜晶体管结构进行退火处理，最终得到薄膜晶体管器件。2.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤1)所生长的栅电极，采用pt、mo、cu、ito、azo等导电材料中的一种或者多种的组合。3.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤3)所生长的有源层，采用zno、azo、inox、izo等金属氧化物半导体材料中的一种或者多种的组合。4.如权利要求3所述的制备方法，其特征在于，有源层的厚度范围为30～50纳米。5.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤4)所生长的源漏电极，采用pt、mo、cu、ito、azo等导电材料中的一种或者多种的组合。6.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤6)中的退火，气氛为氧气或者空气，退火温度为150～250℃。7.如权利要求6所述的制备方法，其特征在于，退火时间为1～2小时。