1.一种半导体结构，其包含：
底部端子；
中间端子，其位于所述底部端子上方且通过高k介电层来与所述底部端子分离；
顶部端子，其位于所述中间端子上方且通过所述高k介电层来与所述中间端子分离；以及
氮化硅层，其位于所述顶部端子上方且直接位于所述高k介电层上。
2.根据权利要求1所述的半导体结构，其进一步包含穿透所述底部端子的通路。
3.根据权利要求2所述的半导体结构，其中所述通路由导电材料构成。
4.根据权利要求3所述的半导体结构，其中所述导电材料包含铝-铜。
5.根据权利要求2所述的半导体结构，其进一步包含在所述通路的侧壁上的间隔物。
6.根据权利要求5所述的半导体结构，其中所述间隔物接触所述高k介电层及所述底部端子、所述中间端子及所述顶部端子中的至少一者。
7.根据权利要求5所述的半导体结构，其中所述间隔物与所述氮化硅层接触。
8.根据权利要求5所述的半导体结构，其中所述间隔物包含氮化钛。
9.一种半导体结构，其包含：
底部端子；
中间端子，其位于所述底部端子上方且通过高k介电层来与所述底部端子分离；
顶部端子，其位于所述中间端子上方且通过所述高k介电层来与所述中间端子分离；
通路，其穿透所述底部端子；以及
间隔物，其位于所述通路的侧壁上。
10.一种用于制造半导体结构的方法，其包含：
在顶部金属层上方形成底部端子；
在所述底部端子上方形成中间端子；
在所述中间端子上方形成顶部端子；
在所述底部端子与所述中间端子之间及所述中间端子与所述顶部端子之间形成高k介电层；
在所述顶部端子上方形成氮化硅层；以及
形成穿透所述底部端子的通路沟槽。