技术总结
此处公开半导体装置的形成方法，特别是半导体装置中的浅沟槽隔离结构与其形成方法。在一实施例中，方法可包括形成沟槽于基板中；沉积第一介电衬垫层于沟槽中；沉积一第一浅沟槽隔离材料于第一介电衬垫层上，其中第一浅沟槽隔离材料沉积为顺应层；蚀刻第一浅沟槽隔离材料；沉积第二浅沟槽隔离材料于第一浅沟槽隔离材料上，其中第二浅沟槽隔离材料沉积为可流动的材料；以及平坦化第二浅沟槽隔离材料，使第二浅沟槽隔离材料的上表面与基板的上表面共平面。
技术研发人员：王祥保;李俊鸿
受保护的技术使用者：台湾积体电路制造股份有限公司
技术研发日：2019.09.20
技术公布日：2020.04.03