1.一种用于制造半导体结构的方法，其包含：
接收包括第一晶体管的第一导电区域及第二晶体管的第二导电区域的衬底，其中所述第一晶体管及所述第二晶体管具有不同导电类型；
对所述第一导电区域及所述第二导电区域执行非晶化；
在所述第一晶体管的所述第一导电区域上执行植入；
使接触材料层形成于所述第一导电区域及所述第二导电区域上；
对所述第一导电区域及所述第二导电区域执行热退火；及
对所述第一导电区域及所述第二导电区域执行激光退火。
2.根据权利要求1所述的方法，其中所述热退火的温度低于所述激光退火的温度。
3.根据权利要求1所述的方法，其中在所述激光退火之前执行所述热退火。
4.根据权利要求3所述的方法，其中通过所述热退火来使所述接触材料层形成为硅化物层，且通过所述激光退火来使所述第一导电区域及所述第二导电区域的非晶结构分别转化为结晶结构。
5.一种用于制造半导体结构的方法，其包含：
接收包括第一晶体管的第一导电区域及第二晶体管的第二导电区域的衬底，其中所述第一晶体管及所述第二晶体管具有不同导电类型；
使第一物质冲击所述第一导电区域及所述第二导电区域；
将第二物质植入到所述第一导电区域中；
将第三物质沉积于所述第一导电区域及所述第二导电区域上；及
通过激光退火来增大所述第一导电区域及所述第二导电区域的结晶密度。
6.根据权利要求5所述的方法，其中所述第一物质冲击所述第一导电区域及所述第二导电区域导致所述第一导电区域及所述第二导电区域的第一减小结晶密度。
7.根据权利要求6所述的方法，其中将所述第二物质植入到所述第一导电区域中导致从所述第一导电区域的所述第一减小结晶密度减小的所述第一导电区域的第二结晶密度。
8.根据权利要求7所述的方法，其中所述第二减小结晶密度小于所述第一减小结晶密度。
9.一种用于制造半导体结构的方法，其包含：
接收包括第一晶体管的第一导电区域及第二晶体管的第二导电区域的衬底，其中所述第一晶体管及所述第二晶体管具有不同导电类型；
暴露所述第一导电区域及所述第二导电区域；
增大所述第一导电区域及所述第二导电区域的非晶密度；
将物质引入到所述第一导电区域的非晶结构中；
将接触材料层沉积于所述第一导电区域及所述第二导电区域上；及
执行激光退火以减小所述第一导电区域及所述第二导电区域的所述非晶密度。
10.根据权利要求9所述的方法，其中通过所述激光退火来使所述接触材料层形成为硅化物层，且所述方法进一步包含：
执行快速热退火以使所述硅化物层的晶格的相移位。