技术总结
本发明实施例提供制造半导体结构的方法。所述方法的一者包括：接收包括第一晶体管的第一导电区域及第二晶体管的第二导电区域的衬底，其中所述第一晶体管及所述第二晶体管具有不同导电类型；对所述第一导电区域及所述第二导电区域执行非晶化；在所述第一晶体管的所述第一导电区域上执行植入；使接触材料层形成于所述第一导电区域及所述第二导电区域上；对所述第一导电区域及所述第二导电区域执行热退火；及对所述第一导电区域及所述第二导电区域执行激光退火。
技术研发人员：蔡俊雄;彭成毅;李京桦;吴忠政;幸仁·万
受保护的技术使用者：台湾积体电路制造股份有限公司
技术研发日：2019.09.23
技术公布日：2020.04.03