1.一种形成集成电路结构的方法，所述方法包括：
在导电特征上方形成刻蚀停止层；
在所述刻蚀停止层上方形成电介质层；
在所述电介质层中形成开口以显露所述刻蚀停止层；
使用包括抑制剂的刻蚀剂通过所述开口刻蚀所述刻蚀停止层，其中，在所述导电特征上形成包括所述抑制剂的抑制剂膜；
沉积延伸到所述开口中的导电阻挡层；
在沉积所述导电阻挡层之后，执行去除所述抑制剂膜的处理；以及
沉积导电材料以填充所述开口的剩余部分。
2.根据权利要求1所述的方法，还包括在刻蚀所述停止层之后，将包括所述刻蚀停止层和所述抑制剂膜的相应晶片沉浸在化学溶液中以增加所述抑制剂膜的厚度，其中，在所述沉浸期间，所述刻蚀停止层未被刻蚀。
3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述刻蚀剂和所述化学溶液包括相同类型的抑制剂。
4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述处理包括使用氢(h2)作为工艺气体的等离子体处理。
5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述处理包括使用氢(h2)作为工艺气体的热处理。
6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述刻蚀剂中的所述抑制剂包括苯并三唑，并且所述导电特征包括铜。
7.根据权利要求1所述的方法，其中，所述导电阻挡层在所述抑制剂膜上形成隔离岛。
8.根据权利要求7所述的方法，其中，在所述处理之后，所述隔离岛接触所述导电特征与所述导电材料之间的界面。
9.一种形成集成电路结构的方法，所述方法包括：
在导电特征上方形成刻蚀停止层；
在所述刻蚀停止层上方形成电介质层；
在所述电介质层中形成开口以显露所述刻蚀停止层；
刻蚀所述刻蚀停止层；以及
选择性沉积延伸到所述开口中的导电阻挡层，其中，所述选择性沉积导致所述导电阻挡层在所述电介质层的侧壁上具有第一厚度，并且所述导电阻挡层在所述开口的底部处至少比在所述电介质层的侧壁上薄。
10.一种集成电路结构，包括：
导电特征；
在所述导电特征上方的刻蚀停止层；
在所述刻蚀停止层上方的电介质层；以及
延伸到所述电介质层和所述刻蚀停止层中的导电特征，其中，所述导电特征包括：
导电阻挡层，所述导电阻挡层包括位于所述电介质层的侧壁上的第一部分以及位于所述导电特征的顶表面上的第二部分，其中，所述第一部分形成连续层，并且其中，所述第二部分比所述第一部分薄；以及
由所述导电阻挡层的第一部分围绕的导电区域，其中，所述导电区域位于所述导电阻挡层的所述第二部分上方并与之接触。