一种显示基板、显示装置及显示基板的制作方法与流程

本发明涉及通信技术领域，尤其涉及一种显示基板、显示装置及显示基板的制作方法。

背景技术：

随着科技的迅速发展，屏下感光模组已经成为目前终端设备的主要发展趋势之一。为确保感光模组的感光效果，屏下感光模组需要感光传感器在有限时间内接收到足够的光通量。但是，目前的显示基板的设计，存在透光率较低的问题。

技术实现要素：

本发明实施例提供一种显示基板、显示装置及显示基板的制作方法，以解决现有的显示基板的透光率较低的问题。

为解决上述问题，本发明是这样实现的：

第一方面，本发明实施例提供了一种显示基板，包括衬底基板、平坦层和电极层，所述平坦层位于所述衬底基板与所述电极层之间，所述平坦层包括透光区，所述电极层的电极在所述透光区的正投影位于平坦层图形内，所述透光区的除所述平坦层图形之外的区域为第一镂空区。

第二方面，本发明实施例还提供了一种显示装置，所述显示装置包括如第一方面中所述的显示基板。

第三方面，本发明实施例还提供了一种显示基板的制作方法，应用于如第一方面中所述的显示基板，所述方法包括以下步骤：

提供一衬底基板；

在所述衬底基板上形成平坦层，并对所述平坦层进行处理以形成透光区；

在所述平坦层的背对所述衬底基板的一侧形成电极层；

其中，所述电极层的电极在所述透光区的正投影位于所述透光区的平坦层图形内，所述透光区的除所述平坦层图形之外的区域为第一镂空区。

本发明实施例提供的显示基板，平坦层中包括透光区，而透光区中除平坦层图形以外的区域为第一镂空区，第一镂空区对于光线的穿过不会造成任何影响，光线几乎能够无衰减地穿过第一镂空区，也就不会造成光通量衰减，进而也就增大了透光区的透光率，这样也增大了显示基板的透光率。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对本发明实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获取其他的附图。

图1是本发明实施例提供的一种显示基板的结构图；

图2是图1提供的显示基板中发光结构的结构图；

图3是图1提供的显示基板中平坦层的结构图；

图4是本发明实施例提供的另一种显示基板的结构图；

图5是图4提供的显示基板中平坦层的结构图；

图6是本发明实施例提供的一种显示基板的制作方法的流程图。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获取的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

本发明实施例提供了一种显示基板，请参照图1至图5，所述显示基板包括衬底基板101、平坦层113和电极层114，所述平坦层113位于所述衬底基板101与所述电极层114之间，所述平坦层113包括透光区，所述电极层114的电极在所述透光区的正投影位于平坦层图形1131内，所述透光区的除所述平坦层图形1131之外的区域为第一镂空区1130。

需要说明地是，透光区可以是平坦层113中的一部分区域，或者也可以是整个平坦层113都是透光区。透光区中包括第一镂空区1130，第一镂空区1130的设计可以是指对透光区中除平坦层图形1131以外的部分进行蚀刻以去除，这样，也就使得透光区中只包括平坦层图形1131。

可选地，本发明实施例提供的显示基板，可以是amoled(active-matrixorganiclightemittingdiode，有源矩阵有机发光二极管)显示基板，也可以是pmole(passivematrixoled，被动式有机发光二极管)，还可以是qled(quantumdotemittingdiode，量子点发光二极管)。显示基板主要包括衬底基板、薄膜晶体管和发光结构；其中，薄膜晶体管主要包括栅极层(ge)、源极漏极金属层(sd)等。

请具体参照图1，电极层114位于平坦层113的背对衬底基板101的一侧，电极层114的电极在平坦层113透光区的正投影位于平坦层图形1131内，也就是说，透光区的平坦层图形1131覆盖在电极层114的电极之下，以确保显示基板在进行蒸镀时发光位置表面的均一性。而透光区中除平坦层图形1131以外的区域为第一镂空区1130，第一镂空区1130对于光线的穿过不会造成任何影响，光线几乎能够无衰减地穿过第一镂空区1130，也就不会造成光通量衰减，进而也就增大了透光区的透光率，这样也增大了显示基板的透光率。

这样的设计，更有利于显示基板应用于安装有屏下感光模组的显示装置中，屏下感光模组可以是正对显示基板的透光区设置，也就是感光模组相对于显示基板的正投影位于透光区内。透光区中第一镂空区1130的设计，使得透光区具有较好的透光率，以满足感光模组的光通量要求，确保感光模组的感光功能。例如，感光模组可以是屏下指纹识别模组或是屏下摄像头模组，第一镂空区1130的设计也就更有利于光学指纹的解锁或是屏下摄像头的成像。

请参照图1和图4，显示基板还包括支撑柱116，所述支撑柱116位于电极层114的背对衬底基板101的一侧，所述支撑柱116在所述透光区的正投影位于所述平坦层图形1131内。电极层114位于平坦层113的背对衬底基板101的一侧，支撑柱116位于电极层114的背对平坦层113的一侧，而电极层114的电极在透光区的正投影以及支撑柱116在透光区的正投影都位于平坦层图形1131内，例如电极层114的电极在透光区的正投影可以是与支撑柱116在透光区的正投影相重叠，或者也可以是这两个正投影相邻。也就是说，透光区的平坦层图形1131是位于支撑柱116覆盖范围内的，以保障panel段差。

可选地，请参照图1和图2，显示基板还包括位于衬底基板101与所述平坦层113之间的源极漏极金属层112，所述平坦层图形1131在所述源极漏极金属层112的正投影覆盖所述源极漏极金属层112的图形。透光区的平坦层图形1131(如图2中的三个竖直框阴影)是覆盖在源极漏极金属层112的图形上的，进而以确保源极漏极金属层112的图形不会裸露，避免电极层114在蚀刻时酸液把源极漏极金属层112的图形损伤。

或者，请参照图4，在一些实施方式中，显示基板可以是包括源极漏极金属层112和无机保护层119，所述源极漏极金属层112位于衬底基板101的面对平坦层113的一侧，而无机保护层119位于所述源极漏极金属层112与所述平坦层113之间，所述第一镂空区1130覆盖所述源极漏极金属层112的图形。可以理解地，无机保护层119能够对源极漏极金属层112起到保护作用，避免源极漏极金属层112的图形裸露，进而也就能够防止电极层114在蚀刻时酸液把源极漏极金属层112的图形损伤。这种实施方式中，由于无机保护层119的设置，平坦层图形1131也就无需覆盖源极漏极金属层112的图形，进而也就是第一镂空区1130覆盖源极漏极金属层112的图形，进一步增大了透光区中第一镂空区1130的范围(如图5所示)，也就增大了透光区的透光率。

本发明实施例中，显示基板还包括位于所述平坦层113的背对所述衬底基板101一侧的像素限定层115，所述像素限定层115包括第二镂空区，所述第二镂空区与所述第一镂空区1130相对设置。也就是说，像素限定层115也包括镂空区的设计，像素限定层115中除像素限定层图形以外的区域即为第二镂空区。第二镂空区域与第一镂空区1130相对设置，例如可以是第二镂空区覆盖第一镂空区1130。这样的设计，使得光线经过像素限定层115的第二镂空区不会被衰减，再经过平坦层113的第一镂空区1130时也不会被衰减，进一步增大了显示基板的透光率。

在一种优选的实施方式中，电极层114为阳极层。显示基板可以是包括依次设置的衬底基板101、源极漏极金属层112(sd)、无机保护层119(pv)、平坦层113(pln)、阳极层(anode)、像素限定层115(pdl)和支撑柱116(ps)。平坦层113包括透光区，且透光区包括第一镂空区1130，第一镂空区1130覆盖所述源极漏极金属层112的图形；像素限定层115包括第二镂空区，且第二镂空区与所述第一镂空区1130相对设置；支撑柱116在所述透光区的正投影位于所述平坦层图形1131内。这样，使得显示基板具有较大的透光率，更有利于显示基板应用于安装有屏下感光模组的显示装置中。

本发明实施例中，请具体参照图1，所述衬底基板101可以是指第一衬底基板，显示基板还可以包括依次设置的第一缓冲层(pb1)102、第二衬底基板(pi2)103、第二缓冲层(pb2)104、保护层105、第一栅极绝缘层(gi1)106、有源层(poly)107、第一栅极层(ge1)109、第二栅极绝缘层(gi2)108、第二栅极层(ge2)111、中间绝缘层(ild)110、源极漏极金属层(sd)112、有机平坦层(pln)113、阳极层(anode)、像素限定层(pdl)115、支撑层(ps)116、阴极层(cathode)117和封装层118。其中，上述实施方式中的电极层114为阳极层。

可以理解地，发光结构主要包括第一电极层、第二电极层和位于第一电极层与第二电极层之间的发光单元。如图2所示，在显示基板为amoled的情况下，在阳极层(anode)和阴极层(cathode)117之间还可以包括依次设置的空穴注入层(hil)121、空穴传输层(htl)122、发光层(eml)123、电子传输层(etl)124、电子注入层(eil)125。需要说明地，以上各结构层在显示基板中的具体位置关系可以是参照现有技术，在此不做赘述。

本发明实施例还提供一种显示装置，包括如上实施例中所述的显示基板。所述显示装置包括上述显示基板的全部技术特征，并能达到相同的技术效果，为避免重复，此处不再赘述。

所述显示装置可以是手机、平板电脑、电子书阅读器、mp3播放器、mp4播放器、数码相机、膝上型便携计算机、车载电脑、台式计算机、智能电视机、可穿戴设备等。

本发明实施例中，所述显示装置还包括感光模组，所述感光模组位于显示基板中衬底基板的背对平坦层的一侧，所述感光模组相对于所述显示基板的正投影位于所述透光区内。也就是说，所述感光模组为屏下感光模组，光线需要穿过显示基板才能被感光模组接收。如上所述的，透光区包括第一镂空区的设计，使得透光区的透光率较高，而感光模组正对平坦层的透光区设置，也就确保了感光模组能够接收到较大的光通量，以确保感光模组的感光功能。

可选地，感光模组可以是指纹识别模组或是摄像头模组，透光区中第一镂空区的设计也就更有利于光学指纹的解锁或是屏下摄像头的成像，以提升感光模组功能实现的顺畅性。

本发明实施例还提供了一种显示基板的制作方法，应用于如上所述的显示基板。请参照图6，所述显示基板的制作方法包括以下步骤：

步骤601、提供一衬底基板。

可选地，所述衬底基板可以是柔性衬底，或者透明衬底等。

本发明实施例中，可以是包括第一衬底基板(pi1)和第二衬底基板(pi2)，在所述第一衬底基板和第二衬底基板之间还可以形成第一缓冲层(pb1)，在第二衬底基板的背对第一缓冲层的一侧形成第二缓冲层(pb2)。本实施例中所选用的衬底基板及缓冲层可以是参考相关技术，此处不做具体限定。

步骤602、在所述衬底基板上形成平坦层，并在所述平坦层形成透光区，所述透光区的除平坦层图形之外的区域为第一镂空区。

其中，透光区可以是平坦层中的一部分区域，或者也可以是整个平坦层都为透光区。透光区中包括第一镂空区的设计，第一镂空区的形成可以是对透光区中除平坦层图形以外的区域进行蚀刻以去除，进而透光区也就只包括平坦层图形，第一镂空区并不会衰减穿过的光线的光通量，进而增大了透光区的透光率，也就增大了显示基板的透光率。

可选地，所述方法还可以包括：在平坦层的背对衬底基板的一侧形成像素限定层，并在所述像素限定层形成第二镂空区，且所述第二镂空区与所述第一镂空区相对设置。例如，可以是对像素限定层中除像素限定层图形以外的区域进行蚀刻以去除，进而以形成第二镂空区。

第二镂空区域与第一镂空区相对设置，例如可以是第二镂空区覆盖第一镂空区。这样的设计，进一步增大了显示基板的透光率。

步骤603、在所述平坦层的背对所述衬底基板的一侧形成电极层，所述电极层的电极在所述透光区的正投影位于所述平坦层图形内。

本实施例中，所述电极层为阳极层。也就是说，阳极层的电极图形覆盖在透光区的平坦层图形上，以确保显示基板在进行蒸镀时发光位置表面的均一性。

进一步地，所述方法还可以包括：在像素限定层的背对平坦层的一侧形成支撑柱，且支撑柱相对于所述平坦层中透光区的正投影位于所述平坦层图形内，以保障panel段差。

可选地，在所述步骤602之前，所述方法还可以包括：在衬底基板上形成源极漏极金属层，在源极漏极金属层的背对衬底基板的一侧形成无机保护层，无机保护层位于平坦层与源极漏极金属层之间；其中，所述平坦层的第一镂空区覆盖所述源极漏极金属层的图形。

可以理解地，无机保护层能够对源极漏极金属层起到保护作用，避免源极漏极金属层的图形裸露，进而也就能够防止电极层在蚀刻时酸液把源极漏极金属层的图形损伤。这种实施方式中，由于无机保护层的设置，平坦层图形也就无需覆盖源极漏极金属层的图形，进而也就是第一镂空区覆盖源极漏极金属层的图形，进一步增大了透光区中第一镂空区的范围，也就增大了透光区的透光率。

本实施例中，在衬底基板与源极漏极金属层之间还可以形成保护层、第一栅极绝缘层(gi1)、第一栅极层(ge1)、第二栅极绝缘层(gi2)、第二栅极层(ge2)、中间绝缘层(ild)等；所述电极层为阳极层，在像素限定层的背对衬底基板的一侧还可以形成阴极层；在所述阳极层与所述阴极层之间还包括依次形成的空穴注入层(hil)、空穴传输层(htl)、发光层(eml)、电子传输层(etl)、电子注入层(eil)等，具体的制备方法可以是参考相关技术，此处不做进一步限定。

本实施例制备的显示基板的具体结构可以是参考上述显示基板实施例中的描述，此处不再赘述。

本实施例制备的显示基板，通过在平坦层形成包括第一镂空区的透光区，使得第一镂空区不会对光线造成阻碍，也就不会对光通量造成衰减，进而增加了显示基板的透光率，更有助于显示基板应用在设置有屏下感光模组的显示装置中，以满足屏下感光模组对光通量的需求。

以上，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以权利要求的保护范围为准。