技术总结
本发明提供了一种压电纳米复合材料及其制备方法。本发明提供的压电纳米复合材料包括Gd掺杂的钛酸钡纳米粒子和PLGA基材，其中，Gd掺杂的钛酸钡纳米粒子均匀分散在PLGA基材中。所述Gd掺杂的钛酸钡纳米粒子中，Gd离子通过离子掺杂方式进入钛酸钡，其取代BTO中阳离子的位置而进入BTO的四方相结构中，对钛酸钡的四方相结构造成一定影响，从而提升复合材料的压电性能，且还能提升压电材料的表面电荷。同时，Gd离子的掺杂，使纳米粒子的磁性由抗磁性向顺磁性转变，并且提高了纳米粒子密度，赋予材料显影示踪功能，达到MRI和X‑Ray双显影的效果。
技术研发人员：章培标;王鹏;郭敏;王宗良
受保护的技术使用者：中国科学院长春应用化学研究所
技术研发日：2019.11.14
技术公布日：2020.02.14