技术总结
本发明提供一种半导体装置。该半导体装置包含基板、沟道层、间隔层、阻挡层、氧化披覆层、源极与漏极、栅极以及保护层。沟道层置于基板上或上方并具有二维电子气通道。间隔层置于沟道层上。阻挡层置于间隔层上。氧化披覆层置于阻挡层上，材质为氮氧化物。源极与漏极置于阻挡层上或上方。栅极至少置于氧化披覆层上或上方并位于源极与漏极之间。保护层置于氧化披覆层上。本发明的半导体装置中，披覆层的缺陷可减少，因此披覆层的表面为平坦表面，更进一步地，氧化工艺可将披覆层去极化，如此一来，氧化披覆层的缺陷可进一步地被减少，再加上，因氧化披覆层被去极化，因此其表面为平坦表面，成长于氧化披覆层上的其他层的品质也可被改善。
技术研发人员：廖文甲
受保护的技术使用者：台达电子工业股份有限公司
技术研发日：2015.05.26
技术公布日：2020.02.28