技术总结
本发明提供硅控整流器及其制作方法包括半导体衬底；依次相邻的第一N阱、P阱、第二N阱；第一/第二高浓度P型掺杂、第一/第二高浓度N型掺杂位于第一/第二N阱上部；第三高浓度P型掺杂位于P阱上部；第一/第二高浓度N型掺杂和第三高浓度P型掺杂之间的第一/第二N阱上方设有第一/第二栅极；第一/第二高浓度P型掺杂、第一/第二高浓度N型掺杂和第一/第二栅极连接构成第一/第二器件极。据此，第一/第二器件极连接正/负高压的输入输出端，均形成PNPN通道而不存在导通状况，在应用的电路实现了可同时适用于正负高压的双向的防静电保护功能，且具有较好的漏电性能。
技术研发人员：朱天志
受保护的技术使用者：上海华力微电子有限公司
技术研发日：2019.11.28
技术公布日：2020.02.28