发光二极管及其制备方法与流程

文档序号:25878111发布日期:2021-07-16 18:08阅读:来源:国知局

技术特征:
1.一种发光二极管,包括:阳极;阴极;设置在所述阳极和所述阴极之间的发光层;设置在所述阴极和所述发光层之间的过渡层,所述过渡层包括贵金属纳米颗粒和金属有机框架材料,所述金属有机框架材料具有孔道结构,所述贵金属纳米颗粒负载在所述孔道结构中。2.根据权利要求1所述的发光二极管,其特征在于,所述贵金属纳米颗粒和所述金属有机框架材料的重量比为(1-10):(90-99)。3.根据权利要求1所述的发光二极管,其特征在于,所述金属有机框架材料包括锌基金属有机框架材料、铜基金属有机框架材料和钴基金属有机框架材料中的至少一种;和/或所述贵金属纳米颗粒选自金纳米颗粒、银纳米颗粒和铂纳米颗粒中的至少一种。4.根据权利要求1至3中任一项所述的发光二极管,其特征在于,所述贵金属纳米颗粒的粒径为30-50纳米;和/或所述过渡层的厚度为80-100纳米;和/或所述阴极的厚度为50-100纳米。5.根据权利要求1至3中任一项所述的发光二极管,其特征在于,所述阳极和所述发光层之间还设置有空穴注入层和/或空穴传输层;所述空穴注入层的厚度为20-50纳米;所述空穴传输层的厚度为30-50纳米。6.根据权利要求1至3中任一项所述的发光二极管,其特征在于,所述发光层的发射波长为400-450nm。7.一种发光二极管的制备方法,其特征在于,包括以下制备过渡层的步骤:提供过渡层材料,所述过渡层材料包括贵金属纳米颗粒和金属有机框架材料,所述金属有机框架材料具有孔道结构,所述贵金属纳米颗粒负载在所述孔道结构中;将所述过渡层材料沉积在基质上,形成过渡层。8.根据权利要求7所述的制备方法,其特征在于,所述基质包括:阴极以及形成在所述阴极上的电子传输层,将所述过渡层材料沉积在基质上的步骤包括:将所述过渡层材料沉积在所述电子传输层远离所述阴极的表面。9.根据权利要求7所述的制备方法,其特征在于,所述基质包括:阳极以及形成在所述阳极上的发光层,将所述过渡层材料沉积在基质上的步骤包括:将所述过渡层材料沉积在所述发光层远离所述阳极的表面。10.根据权利要求7所述的制备方法,其特征在于,所述贵金属纳米颗粒和所述金属有机框架材料的重量比为(1-10):(90-99);和/或所述过渡层的厚度为80-100纳米;和/或所述金属有机框架材料包括锌基金属有机框架材料、铜基金属有机框架材料和钴基金属有机框架材料中的至少一种;和/或所述贵金属纳米颗粒选自金纳米颗粒、银纳米颗粒和铂纳米颗粒中的至少一种。
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