1.一种半导体封装结构，其特征在于，所述半导体封装结构包括：
重新布线层，具有第一表面及与所述第一表面相对的第二表面，所述重新布线层包括介质层及位于所述介质层内的金属连接层；
第一玻璃基板，位于所述重新布线层的第二表面；
金属连接柱，贯穿所述第一玻璃基板，且与所述金属连接层电性连接；
第一天线层，位于所述第一玻璃基板远离所述重新布线层的表面，所述第一天线层与所述金属连接柱电性连接；
第二玻璃基板，覆盖所述第一天线层；
第二天线层，位于所述第二玻璃基板远离所述第一天线层的表面；
金属凸块，位于所述重新布线层的第一表面，且与所述金属连接层电性连接；以及
芯片，位于所述重新布线层的第一表面，且与所述金属连接层电性连接。
2.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于：所述第一天线层包括多个间隔分布的天线，所述半导体封装结构还包括位于所述天线之间的保护层。
3.根据权利要求2所述的半导体封装结构，其特征在于：所述第二天线层包括多个间隔分布的天线，所述第一天线层与所述第二天线层包括的天线数量相同且所述第一天线层的天线与所述第二天线层的天线一一对应设置。
4.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于：所述半导体封装结构还包括填充于所述芯片与所述重新布线层之间的底部填充层。
5.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于：所述第一玻璃基板的厚度大于所述第二玻璃基板的厚度。
6.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于：所述第一玻璃基板上具有沟槽，所述第一天线层位于所述沟槽内。
7.根据权利要求6所述的半导体封装结构，其特征在于：所述第一天线层的厚度小于所述沟槽的深度。
8.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于：所述第二玻璃基板上具有沟槽，所述第二天线层位于所述沟槽内。
9.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于：所述第二天线层表面还具有金属引线。
10.根据权利要求1至9任一项所述的半导体封装结构，其特征在于：所述第一天线层上还具有对位标记，所述第一天线层和所述第二天线层通过所述对位标记对准。