技术总结
本实用新型提供一种半导体封装结构。该半导体封装结构包括重新布线层，重新布线层包括介质层及金属连接层；第一玻璃基板，位于重新布线层的第二表面；金属连接柱，贯穿第一玻璃基板，且与金属连接层电性连接；第一天线层，与金属连接柱电性连接；第二玻璃基板，覆盖第一天线层；第二天线层，位于第二玻璃基板表面；金属凸块，与金属连接层电性连接；以及芯片，与金属连接层电性连接。本实用新型的半导体封装结构采用重新布线层及多层玻璃基板实现两层或更多层天线金属层的整合，有助于封装结构的体积缩小，提高器件集成度，同时有助于其制备工艺的简化和生产成本的降低，有利于其性能的提升。
技术研发人员：陈彦亨;林正忠
受保护的技术使用者：中芯长电半导体(江阴)有限公司
技术研发日：2019.05.22
技术公布日：2019.11.15