一种基于多维纳米材料的封装膏体及其制备方法与流程

文档序号:21313346发布日期:2020-06-30 20:41阅读:来源:国知局

技术特征:

1.一种基于多维纳米材料的封装膏体的制备方法,其特征在于:所述纳米材料包括至少两种不同维度的纳米金属,包括以下制备步骤:

第一步:在第一纳米金属线,和/或第一纳米金属片表面刻蚀孔洞,形成第二纳米金属线,和/或第二纳米金属片,所述孔洞直径为10nm~40nm;

第二步:采用第一溶剂清洗第一纳米金属颗粒、第二纳米金属线,和/或第二纳米金属片,得到第二纳米金属颗粒、第三纳米金属线,和/或第三纳米金属片;

第三步:混合第二纳米金属颗粒、第三纳米金属线,和/或第三纳米金属片得到第一混合物,将所述第一混合物与第二溶剂混合得到第二混合物;

第四步:浓缩处理第二混合物得到封装膏体。

2.如权利要求1所述的一种基于多维纳米材料的封装膏体的制备方法,其特征在于:第一纳米金属颗粒、第二纳米金属线以及第二纳米金属片的质量比为8-10:3-5:4。

3.如权利要求1所述的一种基于多维纳米材料的封装膏体的制备方法,其特征在于:所述第二纳米金属线长度为30μm~50μm,直径为40nm,所述第二纳米金属片长度为50μm~250μm,厚度为10nm~20nm,所述第一纳米金属颗粒尺寸为10nm~500μm。

4.如权利要求1所述的一种基于多维纳米材料的封装膏体的制备方法,其特征在于:所述纳米金属采用金、银、铜中的一种或多种。

5.如权利要求1所述的一种基于多维纳米材料的封装膏体的制备方法,其特征在于:所述纳米金属颗粒为核壳结构,核部分金属选自金、银、铜,壳部分金属选自锡、铋、铱、钛中的一种或者多种。

6.如权利要求1所述的一种基于多维纳米材料的封装膏体的制备方法,其特征在于:所述刻蚀为干法刻蚀。

7.如权利要求1所述的一种基于多维纳米材料的封装膏体的制备方法,其特征在于:所述第一溶剂包括有机溶剂和清洗剂,所述有机溶剂选自乙醇、异丙醇、丙酮、乙酸乙酯、乙二醇;所述清洗剂选自抗坏血酸、柠檬酸、磷酸二氢钠;所述有机溶剂与所述清洗剂的质量比例为15-25:1。

8.如权利要求1所述的一种基于多维纳米材料的封装膏体的制备方法,其特征在于:所述第一混合物与第二溶剂的质量比为0.5-1:0.2-0.4;所述第二溶剂包括有机酸、树脂、第三溶剂,所述第三溶剂选自乙醇、异丙醇、松油醇、乙二醇、丙三醇、一缩二乙二醇。

9.如权利要求8所述的一种基于多维纳米材料的封装膏体的制备方法,其特征在于:所述有机酸、树脂、第三溶剂的质量比为0.05-0.1:0.01-0.03:0.2-0.5。

10.一种如权利要求1-9所述基于多维纳米材料的封装膏体的制备方法制备的封装膏体,其特征在于:纳米金属占材料重量的75%-85%。


技术总结
本发明提供了一种基于纳米材料的封装膏体及其制备方法,所述纳米材料包括至少两种不同维度的纳米金属,包括以下制备步骤:第一步:在第一纳米金属线,和/或第一纳米金属片表面刻蚀孔洞,形成第二纳米金属线,和/或第二纳米金属片,所述孔洞直径为10nm~40nm;第二步:采用第一溶剂清洗第一纳米金属颗粒、第二纳米金属线,和/或第二纳米金属片,得到第二纳米金属颗粒、第三纳米金属线,和/或第三纳米金属片;第三步:混合第二纳米金属颗粒、第三纳米金属线,和/或第三纳米金属片得到第一混合物,将所述第一混合物与第二溶剂混合得到第二混合物;第四步:浓缩处理第二混合物得到封装膏体。该方法,工艺简单执行条件温和,适用于大批量低成本生产。

技术研发人员:唐宏浩;张卫红;黄显机;叶怀宇;张国旗
受保护的技术使用者:深圳第三代半导体研究院
技术研发日:2020.03.06
技术公布日:2020.06.30
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