阵列基板的制造方法、阵列基板和显示装置与流程

文档序号:21684125发布日期:2020-07-31 21:58阅读:来源:国知局

技术特征:

1.一种阵列基板的制造方法,其特征在于,包括:

提供一基板;

在所述基板上形成图案化的第一金属层,所述图案化的第一金属层包括栅极、第一焊盘和导电金属;

在所述图案化的第一金属层上形成图案化的第一绝缘层,所述图案化的第一绝缘层具有暴露所述第一焊盘的第一通孔;

在所述图案化的第一绝缘层上形成半导体层;

在所述半导体层上形成图案化的第二金属层,所述图案化的第二金属层包括源极、漏极和第二焊盘,所述第二焊盘通过所述第一通孔与所述第一焊盘相连;

在所述图案化的第二金属层上依次形成第二绝缘层、透明电极层、第三绝缘层和遮光层。

2.如权利要求1所述的阵列基板的制造方法,其特征在于,在所述在所述图案化的第二金属层上依次形成第二绝缘层、透明电极层、第三绝缘层和遮光层之后,还包括:

在所述遮光层上形成一贯穿所述遮光层、所述第三绝缘层和所述第二绝缘层的第二通孔,所述第二通孔与所述第二焊盘对应,所述第二通孔暴露所述第二焊盘。

3.如权利要求2所述的阵列基板的制造方法,其特征在于,在所述遮光层上形成一贯穿所述遮光层、所述第三绝缘层和所述第二绝缘层的第二通孔之后,还包括:

在所述第二通孔处设置发光单元,所述发光单元通过所述第二通孔与所述第二焊盘相连。

4.如权利要求1所述的阵列基板的制造方法,其特征在于,所述在所述图案化的第二金属层上依次形成第二绝缘层、透明电极层、第三绝缘层和遮光层,包括:

在所述图案化的第二金属层上形成第二绝缘层;

在所述第二绝缘层上形成透明电极层;

在所述透明电极层上形成第三绝缘层;

在所述第三绝缘层上形成遮光层。

5.如权利要求4所述的阵列基板的制造方法,其特征在于,在所述在所述图案化的第二金属层上形成第二绝缘层之后,在所述在所述第二绝缘层上形成透明电极层之前,还包括:

在所述第二绝缘层上形成暴露所述导电金属的第三通孔。

6.如权利要求5所述的阵列基板的制造方法,其特征在于,在所述在所述第二绝缘层上形成透明电极层之后,在所述在所述透明电极层上形成第三绝缘层之前,还包括:

对所述透明电极层进行蚀刻,以形成图案化的透明电极层,所述图案化的透明电极层包括透明电极,所述透明电极通过所述第三通孔与所述导电金属相连。

7.一种阵列基板,其特征在于,包括:

基板;

第一金属层,所述金属层包括栅极、第一焊盘和导电金属;

第一绝缘层,所述第一绝缘层设置于所述第一金属层上,所述第一绝缘层上设置有暴露所述第一焊盘的第一通孔;

半导体层,所述半导体层设置于所述第一绝缘层上;

第二金属层,所述第二金属层设置于所述半导体层上,所述第二金属层包括源极、漏极和第二焊盘,所述第二焊盘通过所述第一通孔与所述第一焊盘相连;

第二绝缘层,所述第二绝缘层设置于所述第二金属层上;

透明电极层,所述透明电极层设置于所述第二绝缘层上;

第三绝缘层,所述第三绝缘层设置于所述透明电极层上;

遮光层,所述遮光层设置于所述第三绝缘层上。

8.如权利要求7所述的阵列基板,其特征在于,所述遮光层上设置有一贯穿所述遮光层、所述第三绝缘层和所述第二绝缘层的第二通孔,所述第二通孔与所述第二焊盘对应,所述第二通孔暴露所述第二焊盘。

9.如权利要求7所述的阵列基板,其特征在于,所述透明电极层包括透明电极,所述第二绝缘层上设置有暴露所述导电金属的第三通孔,所述透明电极通过所述第三通孔与所述导电金属相连。

10.一种显示装置,其特征在于,包括如权利要求7-9任一项所述的阵列基板。


技术总结
本申请实施例提供了一种阵列基板的制造方法、阵列基板和显示装置,该阵列基板的制造方法包括提供一基板;在所述基板上形成图案化的第一金属层,所述图案化的第一金属层包括栅极、第一焊盘和导电金属;在所述图案化的第一金属层上形成图案化的第一绝缘层,所述图案化的第一绝缘层具有暴露所述第一焊盘的第一通孔;在所述图案化的第一绝缘层上形成半导体层;在所述半导体层上形成图案化的第二金属层,所述图案化的第二金属层包括源极、漏极和第二焊盘,所述第二焊盘通过所述第一通孔与所述第一焊盘相连;在所述图案化的第二金属层上依次形成第二绝缘层、透明电极层、第三绝缘层和遮光层。本方案可以增加焊盘的厚度。

技术研发人员:赵斌;赵锐;李嘉
受保护的技术使用者:深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
技术研发日:2020.04.08
技术公布日:2020.07.31
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