技术特征：
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括第一区域以及第四区域；分别在所述第一区域和第四区域的半导体衬底上形成栅极结构，所述第一区域的栅极结构沿沟道长度方向的尺寸大于所述第四区域的栅极结构沿沟道长度方向的尺寸；在所述第一区域的栅极结构上形成阻挡层，所述阻挡层包括贯穿所述阻挡层的若干沟槽。2.如权利要求1所述半导体结构的形成方法，其特征在于，所述栅极结构包括栅介电层以及伪栅极层，所述方法还包括：去除所述第一区域和第四区域的伪栅极层，在所述栅介电层表面形成金属栅。3.如权利要求1所述半导体结构的形成方法，其特征在于，在所述第一区域的栅极结构上形成阻挡层，所述阻挡层包括贯穿所述阻挡层的若干沟槽的方法包括：在所述第一区域以及第四区域的半导体衬底以及栅极结构的侧壁和顶部表面上形成阻挡材料层；刻蚀所述阻挡材料层，仅保留位于第一区域栅极结构顶部表面上的部分阻挡材料层，并在所述阻挡材料层中形成贯穿所述阻挡材料层的沟槽，形成所述阻挡层。4.如权利要求1所述半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第四区域包括第二区域和第三区域中的至少一个。5.如权利要求4所述半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一区域为高压器件区域，第二区域为中压器件区域，第三区域为低压器件区域。6.如权利要求1所述半导体结构的形成方法，其特征在于，所述阻挡层的厚度为100埃至250埃。7.如权利要求1所述半导体结构的形成方法，其特征在于，所述若干沟槽包括沿沟道长度方向分布的若干第一沟槽和沿沟道宽度方向分布的若干第二沟槽。8.如权利要求1所述半导体结构的形成方法，其特征在于，还包括：形成覆盖所述第一区域和第四区域的半导体衬底、所述栅极结构和所述阻挡层的介质层，所述介质层填满所述若干沟槽；去除高于所述第四区域栅极结构顶面的介质层。9.一种半导体结构，其特征在于，包括：半导体衬底，所述半导体衬底包括第一区域以及第四区域；栅极结构，位于所述第一区域和第四区域的半导体衬底上，所述第一区域的栅极结构沿沟道长度方向的尺寸大于所述第四区域的栅极结构沿沟道长度方向的尺寸；阻挡层，位于所述第一区域的栅极结构上，所述阻挡层包括若干贯穿所述阻挡层的沟槽；介质层，位于所述半导体衬底上和所述栅极结构上并填充所述沟槽，所述介质层的上表面与所述阻挡层的上表面平齐。10.如权利要求9所述半导体结构，其特征在于，所述若干沟槽包括沿沟道长度方向分布的若干第一沟槽和沿沟道宽度方向分布的若干第二沟槽。
技术总结
本申请提供半导体结构及其形成方法，所述半导体结构包括：半导体衬底，所述半导体衬底包括第一区域和第四区域；栅极结构，位于所述第一区域和第四区域的半导体衬底上；阻挡层，位于所述第一区域的栅极结构上，所述阻挡层包括若干贯穿所述阻挡层的沟槽；介质层，位于所述半导体衬底上和所述栅极结构上并填充所述沟槽，所述介质层的上表面与所述阻挡层的上表面平齐。所述阻挡层以及位于所述沟槽中的介质层都被分成了若干份，每一份的尺寸变小，因此采用化学机械研磨工艺平坦化所述介质层时不容易凹陷，可以提高器件性能。可以提高器件性能。可以提高器件性能。
技术研发人员：蔡巧明 王小珊
受保护的技术使用者：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
技术研发日：2020.06.03
技术公布日：2021/12/6