技术特征：
1.半导体功率器件，其特征在于，包括：n型衬底；位于所述n型衬底之上的n型外延层；凹陷在所述n型外延层内的至少三个沟槽；位于相邻的所述沟槽之间的n型外延层部分为台面结构，所述台面结构的上部设有p型体区，所述p型体区内设有n型源区；所述台面结构中，包括至少一个下部宽度为第一宽度的台面结构和至少一个下部宽度为第二宽度的台面结构，所述第二宽度大于所述第一宽度。2.如权利要求1所述的半导体功率器件，其特征在于，所述下部宽度为第二宽度的台面结构的数量大于所述下部宽度为第一宽度的台面结构的数量。3.如权利要求1所述的半导体功率器件，其特征在于，位于所述下部宽度为第一宽度的台面结构的两侧的所述沟槽，至少有其中一个沟槽的底部设有位于所述n型外延层内的n型注入区。4.如权利要求1所述的半导体功率器件，其特征在于，所述沟槽内设有栅极，所述栅极通过栅氧化层与所述n型外延层隔离。5.如权利要求4所述的半导体功率器件，其特征在于，所述沟槽内还设有导电多晶硅，所述导电多晶硅通过绝缘介质层与所述n型外延层和所述栅极隔离。6.如权利要求5所述的半导体功率器件，其特征在于，所述栅极位于所述沟槽的上部，所述导电多晶硅位于所述沟槽的下部。7.如权利要求5所述的半导体功率器件，其特征在于，所述栅极位于所述沟槽的上部，所述导电多晶硅位于所述沟槽的下部并向上延伸至所述沟槽的上部内。8.如权利要求1所述的半导体功率器件，其特征在于，所述沟槽的上部的宽度大于所述沟槽的下部的宽度。
技术总结
本发明属于半导体功率器件技术领域，具体公开了一种半导体功率器件，包括：n型衬底；位于所述n型衬底之上的n型外延层；凹陷在所述n型外延层内的至少三个沟槽；位于相邻的所述沟槽之间的n型外延层部分为台面结构，所述台面结构的上部设有p型体区，所述p型体区内设有n型源区；所述台面结构中，包括至少一个下部宽度为第一宽度的台面结构和至少一个下部宽度为第二宽度的台面结构，所述第二宽度大于所述第一宽度。本发明的半导体功率器件具有缓变的电容，可以降低半导体功率器件在开关时的电压震荡。震荡。震荡。
技术研发人员：龚轶 刘伟 毛振东 徐真逸
受保护的技术使用者：苏州东微半导体股份有限公司
技术研发日：2020.07.31
技术公布日：2022/2/18