1.一种基于ti3c2-mxene/电解质结构的人工突触器件的制备方法，其特征为该方法包括如下步骤：
1)将衬底经丙酮和异丙醇(ipa)依次超声清洗；再用异丙醇热蒸汽熏蒸衬底表面5秒～3分钟，然后用n2将其表面吹干；
2)将ti3alc2刻蚀、洗涤、干燥以后得到的粉末加入到溶剂中，在磁力搅拌下形成质量分数为5-50％的溶液，然后经过转速为1000～4000rpm的离心分离，离心时间3～5分钟，离心后取上层清液作为ti3c2-mxene分散液；
3)将步骤1)所得硅衬底清洗后，取步骤2)中配置的ti3c2-mxene分散液于所得的硅衬底上，旋涂，涂膜结束后将其置于加热板上，退火温度30-150℃，退火时间5-60min，退火后冷却至室温，在硅衬底上获得ti3c2-mxene薄膜；每平方厘米硅衬底旋涂10-500μl分散液；
4)构筑聚合物电解质薄膜：
在步骤3)所得获得的ti3c2-mxene薄膜上滴加聚合物电解质溶液，然后旋涂，再将其置于加热板上，退火温度30-150℃，退火5-60min，退火后冷却至室温，在ti3c2-mxene薄膜上得到该聚合物电解质薄膜；
其中，每平方厘米薄膜上旋涂1μl-500μl聚合物电解质；聚合物电解质溶液的浓度为0.01g/ml-1g/ml；
5)蒸镀电极，利用掩模板，在步骤4)获得的该聚合物电解质薄膜的表面上蒸镀金属电极，制备得到基于mxene的两端人工突触电子器件；所述的金属电极呈陈列分布，厚度为80-150nm。
2.如权利要求1所述的基于ti3c2-mxene/电解质结构的人工突触器件的制备方法，其特征为步骤2)中ti3alc2刻蚀、洗涤、干燥以后得到的粉末的制备方法，包括以下步骤：将碳钛化铝材料(ti3alc2)浸没在含有氟化锂的盐酸中搅拌6～36小时，然后剥离、收集刻蚀后的产物，经烘干，得到粉末材料；盐酸的浓度为1～10m，每10ml盐酸加入0.3～0.9g氟化锂、0.5～2gti3alc2。
3.如权利要求1所述的基于ti3c2-mxene/电解质结构的人工突触器件的制备方法，其特征为步骤3)中所述的清洗是紫外臭氧清洗机中处理；所述的旋涂为用移液枪取步骤2)中ti3c2-mxene的分散液于硅衬底上，以200-2000r·min-1的转速旋涂5-50s；
步骤4)中所述的旋涂是用移液枪取聚合物电解质溶液于步骤3)所得的ti3c2-mxene薄膜的硅衬底上，以200-2000r·min-1的转速旋涂5-50s。
4.如权利要求1所述的基于ti3c2-mxene/电解质结构的人工突触器件的制备方法，其特征为步骤2)中的溶剂为乙醇或n,n-二甲基甲酰胺(dmf)或去离子水。
5.如权利要求1所述的基于ti3c2-mxene/电解质结构的人工突触器件的制备方法，其特征为步骤5)中的金属电极为金电极、铝电极或银电极。
6.如权利要求1所述的基于ti3c2-mxene/电解质结构的人工突触器件的制备方法，其特征为所述的聚合物电解质具体为锂盐-聚环氧乙烷(li-peo)、锂盐-聚乙烯醇(li-pva)、钠盐-聚乙烯醇(na-pva)或钠盐-聚环氧乙烷聚合物电解质(na-peo)。
7.如权利要求1所述的基于ti3c2-mxene/电解质结构的人工突触器件的制备方法，其特征为衬底为硅衬底、导电玻璃基底或不锈钢基底。