技术特征：1.一种形成导电特征的方法，其特征在于包括：
在衬底之上形成晶种层；
在所述晶种层上形成图案化掩模层，其中所述图案化掩模层具有暴露出所述晶种层的开口；
在所述开口中形成导电材料；
移除所述图案化掩模层，以暴露出部分的所述晶种层；以及
使用包含保护剂的刻蚀溶液移除所述部分的所述晶种层，从而形成导电特征，其中所述保护剂具有多个活性部位以吸附在所述导电材料上。
技术总结本公开实施例提供一种形成导电特征的方法，所述方法包括：在衬底之上形成晶种层；在晶种层上形成图案化掩模层，其中图案化掩模层具有暴露出晶种层的开口；在开口中形成导电材料；移除图案化掩模层，以暴露出部分的晶种层；以及使用包含保护剂的刻蚀溶液移除所述部分的晶种层，从而形成导电特征，其中保护剂具有多个活性部位以吸附在导电材料上。
技术研发人员：郭宏瑞;蔡惠榕;汪嘉伟;张育慈
受保护的技术使用者：台湾积体电路制造股份有限公司
技术研发日：2020.09.25
技术公布日：2021.03.30