一种用于整流电路的复合半导体肖特基二极管的制备方法与流程

技术总结
本发明涉及一种用于整流电路的复合半导体肖特基二极管的制备方法，包括：选取[100]晶向GeOI衬底；在GeOI衬底顶层Ge的上表面生长Pb层；在Pb层的上表面淀积SiO2保护层；对包括GeOI衬底、Pb层、SiO2保护层的整个材料进行激光再晶化工艺处理，形成DR


技术研发人员：左瑜
受保护的技术使用者：西安科锐盛创新科技有限公司
技术研发日：2020.12.14
技术公布日：2021/4/17