1.一种沟道孔的制作方法,其特征在于,包括以下步骤:
提供表面具有第一堆叠结构(10)的衬底(100),所述第一堆叠结构(10)中形成有贯穿至所述衬底(100)的多个第一沟道通孔(210),在各所述第一沟道通孔(210)中形成填充层(211),所述第一堆叠结构(10)具有至少一个切割区域,所述第一沟道通孔(210)位于所述第一堆叠结构(10)中除所述切割区域之外的区域中;
在所述第一堆叠结构(10)表面覆盖中间层(40),在与所述切割区域对应的所述中间层(40)中形成第一对位槽(510);
在所述中间层(40)上形成第二堆叠结构(60),所述第二堆叠结构(60)对应于所述第一对位槽(510)的位置形成有第二对位槽(520);
基于所述第二对位槽(520),采用套刻工艺形成顺序贯穿所述第二堆叠结构(60)和中间层(40)至所述填充层(211)的第二沟道通孔(220),去除所述填充层(211)以使所述第二沟道通孔(220)与所述第一沟道通孔(210)连通。
2.根据权利要求1所述的制作方法,其特征在于,
所述第一堆叠结构(10)包括沿远离所述衬底(100)的方向交替层叠的第一牺牲层(110)和第一隔离层(120);
所述中间层(40)包括沿远离所述衬底(100)的方向交替层叠的第二牺牲层(410)和第二隔离层(420);
所述第二堆叠结构(60)包括沿远离所述衬底(100)的方向交替层叠的第三牺牲层(610)和第三隔离层(620)。
3.根据权利要求2所述的制作方法,其特征在于,所述中间层(40)包括至少两组所述第二牺牲层(410)和所述第二隔离层(420)。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的制作方法,其特征在于,所述第一对位槽(510)贯穿至所述第一堆叠结构(10)。
5.根据权利要求1至3中任一项所述的制作方法,其特征在于,采用光刻工艺在与所述切割区域对应的所述中间层(40)中形成所述第一对位槽(510)。
6.根据权利要求1至3中任一项所述的制作方法,其特征在于,形成所述第二沟道通孔(220)的步骤包括:
在所述第二堆叠结构(60)表面覆盖硬掩膜(70),所述硬掩膜(70)对应于所述第二对位槽(520)的位置形成第三对位槽;
采用光刻工艺在所述硬掩膜(70)上除所述第三对位槽之外的位置形成开口,通过所述开口对所述第二堆叠结构(60)进行刻蚀,以形成所述第二沟道通孔(220)。
7.一种存储器的制作方法,其特征在于,包括以下步骤:
采用权利要求1至6中任一项所述的制作方法在衬底(100)上形成具有堆叠结构,所述堆叠结构中具有贯穿至所述衬底(100)的沟道孔(20),所述堆叠结构包括沿远离所述衬底(100)的方向交替层叠的牺牲层和隔离层;
在所述沟道孔(20)中形成存储结构;
在所述堆叠结构中形成贯穿至所述衬底(100)的栅极隔槽,所述栅极隔槽位于相邻所述沟道孔(20)之间;
去除所述牺牲层,并在对应所述牺牲层的位置形成栅极层。
8.根据权利要求7所述的制作方法,其特征在于,形成所述存储结构的步骤包括:
在所述沟道孔(20)的侧壁上顺序形成层叠的电荷阻挡层、电子捕获层、隧穿层和沟道层。
9.根据权利要求7所述的制作方法,其特征在于,在所述堆叠结构的形成有第二对位槽(520)的切割区域形成贯穿至所述衬底(100)的所述栅极隔槽。
10.一种存储器,其特征在于,包括具有双栅极堆叠结构的衬底(100)和存储结构(500),所述双栅极堆叠结构包括沿远离所述衬底(100)方向顺序层叠的第一栅极堆叠结构(200)、中间栅极堆叠结构(300)和第二栅极堆叠结构(400),所述第一栅极堆叠结构(200)中具有贯穿至所述衬底(100)的第一沟道通孔(210),所述中间栅极堆叠结构(300)和所述第二栅极堆叠结构(400)中具有与所述第一沟道通孔(210)连通的第二沟道通孔(220),所述存储结构位于连通的所述第一沟道通孔(210)与所述第二沟道通孔(220)中,所述中间栅极堆叠结构(300)远离所述衬底(100)的一侧具有第一对位槽(510),所述第二栅极堆叠结构(400)中的部分填充于所述第一对位槽(510)中,所述第二栅极堆叠结构远离所述衬底(100)的一侧表面具有与所述第一对位槽(510)对应的第二对位槽(520)。